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華大九天PowerMOS版圖自動(dòng)化工具助力電源管理集成電路設(shè)計(jì)

在電源管理集成電路 (PMIC) 設(shè)計(jì)中，為確保PowerMOS器件滿足電流密度（EM）和導(dǎo)通電阻（RDSon）的指標(biāo)要求，傳統(tǒng)方法依賴于人工重復(fù)工作和版圖迭代調(diào)整。這個(gè)過程繁瑣耗時(shí)且易出錯(cuò)。為了更好優(yōu)化，設(shè)計(jì)廠商積極嘗試?yán)米詣?dòng)化工具，以提升設(shè)計(jì)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。Empyrean Andes™ Power解決方案針對...
華大九天PowerMOS 2024-12-25

華大九天生態(tài)伙伴及用戶大會完美收官，多領(lǐng)域新技術(shù)飛躍創(chuàng)“芯”

備受矚目的2024華大九天生態(tài)伙伴及用戶大會在上海圓滿落下帷幕。作為中國EDA行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，華大九天攜手國內(nèi)外近四十位頂尖的行業(yè)專家與技術(shù)精英，共同呈現(xiàn)了一場關(guān)于行業(yè)前沿技術(shù)與產(chǎn)業(yè)趨勢的盛宴。此次大會吸引了來自芯片設(shè)計(jì)、制造、封裝、平板顯示等多個(gè)領(lǐng)域的四百余家企業(yè)，超過八百位精英代表齊...
華大九天EDA 2024-10-21

安世半導(dǎo)體英國區(qū)總經(jīng)理：收購 NWF 是為了提高產(chǎn)能

聞泰科技旗下安世半導(dǎo)體收購 NWF（ Newport Wafer Fab）在本月告一段落。根據(jù) 8 月 15 日聞泰發(fā)布的公告，本次交易過戶手續(xù)已全部完成，公司間接持有 NWF 100% 權(quán)益。作為英國現(xiàn)存最大的晶圓廠，以及化合物半導(dǎo)體和硅光子學(xué)戰(zhàn)略研究活動(dòng)集群的制造中心，安世半導(dǎo)體對 NWF 的收購引起了英國方面的擔(dān)憂...
安世半導(dǎo)體NWF 2021-08-30

--BBS主題帖: [轉(zhuǎn)] PCB布局前的準(zhǔn)備-經(jīng)驗(yàn)總結(jié)

布局前的準(zhǔn)備: 1查看捕捉點(diǎn)設(shè)置是否正確.08工藝為0.1,06工藝為0.05,05工藝為0.025. 2Cell名稱不能以數(shù)字開頭.否則無法做DRACULA檢查. 3布局前考慮好出PIN的方向和位置 4布局前分析電路，完成同一功能的MOS管畫在一起 5對兩層金屬走向預(yù)先訂好。一個(gè)圖中柵的走向盡量一致，不要有橫有豎。布局時(shí)...
2014-07-26

--BBS主題帖: [轉(zhuǎn)] PCB布局前的準(zhǔn)備-經(jīng)驗(yàn)總結(jié)

布局前的準(zhǔn)備: 1查看捕捉點(diǎn)設(shè)置是否正確.08工藝為0.1,06工藝為0.05,05工藝為0.025. 2Cell名稱不能以數(shù)字開頭.否則無法做DRACULA檢查. 3布局前考慮好出PIN的方向和位置 4布局前分析電路，完成同一功能的MOS管畫在一起 5對兩層金屬走向預(yù)先訂好。一個(gè)圖中柵的走向盡量一致，不要有橫有豎。布局時(shí)...
2014-05-14

--BBS主題帖: [轉(zhuǎn)] PCB布局前的準(zhǔn)備-經(jīng)驗(yàn)總結(jié)

布局前的準(zhǔn)備: 1查看捕捉點(diǎn)設(shè)置是否正確.08工藝為0.1,06工藝為0.05,05工藝為0.025. 2Cell名稱不能以數(shù)字開頭.否則無法做DRACULA檢查. 3布局前考慮好出PIN的方向和位置 4布局前分析電路，完成同一功能的MOS管畫在一起 5對兩層金屬走向預(yù)先訂好。一個(gè)圖中柵的走向盡量一致，不要有橫有豎。布局時(shí)...
2014-04-16

--BBS主題帖: PCB布局前的準(zhǔn)備-經(jīng)驗(yàn)總結(jié)

布局前的準(zhǔn)備: 1 查看捕捉點(diǎn)設(shè)置是否正確.08工藝為0.1,06工藝為0.05,05工藝為0.025. 2 Cell名稱不能以數(shù)字開頭.否則無法做DRACULA檢查. 3 布局前考慮好出PIN的方向和位置 4 布局前分析電路，完成同一功能的MOS管畫在一起 5 對兩層金屬走向預(yù)先訂好。一個(gè)...
2012-09-28

PCB布局前的準(zhǔn)備-經(jīng)驗(yàn)總結(jié)

布局前的準(zhǔn)備: 1 查看捕捉點(diǎn)設(shè)置是否正確.08工藝為0.1,06工藝為0.05,05工藝為0.025. 2 Cell名稱不能以數(shù)字開頭.否則無法做DRACULA檢查. 3 &...
2012-09-28

--BBS主題帖: IC layout FloorPlan 經(jīng)驗(yàn)總結(jié)

布局前的準(zhǔn)備: 1 查看捕捉點(diǎn)設(shè)置是否正確.08工藝為0.1,06工藝為0.05,05工藝為0.025. 2 Cell名稱不能以數(shù)字開頭.否則無法做DRACULA檢查. 3 布局前考慮好出PIN的方向和位置 4 布局前分析電路，完成同一功能的MOS管畫在一起 5 對兩層金屬走向預(yù)先訂好。一個(gè)圖中柵的走向盡量一致，不要有橫有豎。 6 ...
2012-09-05

--BBS主題帖: 車用MOSFET如何提高能量利用效率與質(zhì)量可靠性

　　工程師在為汽車電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在極端環(huán)境下（如引擎蓋下面的汽車電子應(yīng)用），溫度的迅速上升會使MOSFET意外導(dǎo)通，...
2012-06-19

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