电影一区二区三区_亚洲激情二区_亚洲欧洲成人av每日更新_91超碰国产在线

<bdo id="c8oio"></bdo>

<rt id="c8oio"></rt>

<rt id="c8oio"></rt>

<bdo id="c8oio"></bdo>

<code id="c8oio"><delect id="c8oio"></delect></code>

設為首頁網(wǎng)站地圖加入收藏

首頁
新聞
新品
文庫
方案
視頻
下載
商城
開發(fā)板
數(shù)據(jù)中心
在線座談
培訓
工具
博客
論壇
百科
GEC
活動
主題月
萬花筒

應用開發(fā)

VR/無人機| 智能照明| 智能家居| 工業(yè)自動化| 測試測量| 人工智能| 碳化硅/氮化鎵| 智能電源及能源| 智能可穿戴| 智能手機| 智能醫(yī)療及看護| 通信及物聯(lián)網(wǎng)| 智能交通及汽車

↓在全部中搜索到 2501 條關于“SiC”的信息，用時:0.037 sec.

英飛凌達成200mm碳化硅(SiC)新里程碑：開始交付首批產(chǎn)品

• 英飛凌開始向客戶提供首批采用先進的200 mm碳化硅（SiC）晶圓制造技術的SiC產(chǎn)品 • 這些產(chǎn)品在奧地利菲拉赫生產(chǎn)，為高壓應用領域提供一流的SiC功率技術 • 200 mm SiC的生產(chǎn)將鞏固英飛凌在所有功率半導體材料領域的技術領先優(yōu)勢英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX ...
英飛凌碳化硅(SiC)SiC功率技術 2025-02-18

芯合半導體參與制定的《SiC MOSFET 閾值電壓測試方法》等9項標準正式發(fā)布

由芯合半導體參與制定的《碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管(SiC MOSFETs)閾值電壓測試方法》等9項SiC MOSFET測試與可靠性標準正式發(fā)布。在第十屆國際第三代半導體論壇上，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟發(fā)布的這一系列標準，旨在為SiC MOSFET功率器件提供一套科學、合理的測試與評估方法，支撐產(chǎn)...
芯合半導體SiC MOSFET 2024-11-22

意法半導體先進的電隔離柵極驅(qū)動器 STGAP3S為 IGBT 和 SiC MOSFET 提供靈活的保護功能

面向空調(diào)、家電和工廠自動化等工業(yè)電機驅(qū)動裝置和充電站、儲能系統(tǒng)、電源等能源應用的功率控制意法半導體的 STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開關柵極驅(qū)動器集成了意法半導體最新的穩(wěn)健的電隔離技術、優(yōu)化的去飽和保護功能和靈活的米勒鉗位架構。STGAP3S 在柵極驅(qū)動通道與低壓控制和接口電路之間采...
意法半導體電隔離柵極驅(qū)動器IGBTSiC MOSFET 2024-11-13

車載電驅(qū)＆供電電源用SiC技術最新發(fā)展趨勢

新能源汽車近年來成為備受關注的行業(yè)。從過去五年到今天，新能源汽車發(fā)展超出了許多人的預期，尤其是在中國。根據(jù)統(tǒng)計，2023年中國新能源汽車銷量達到了950萬輛，占總汽車銷量的31.6%，預計2024年銷量將突破1200萬輛，市占率將超過45%。新能源汽車市場的快速增長為SiC技術的應用帶來了巨大的機遇，在E維...
車載電驅(qū)供電電源SiC技術 2024-11-08

實現(xiàn)SiC器件與先進電機、電控系統(tǒng)的全方位優(yōu)化、匹配，并促使逆變器更加“智能化”和“傻瓜化”

CISSOID與南京航空航天大學自動化學院電氣工程系達成深度戰(zhàn)略合作協(xié)議，建立聯(lián)合電驅(qū)動實驗室，共同開展相關前沿技術的研究開發(fā)為各行業(yè)提供所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID日前宣布：公司已與南京航空航天大學自動化學院電氣工程系達成深度戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將攜手建立聯(lián)合電驅(qū)動實驗室，共同...
SiC器件先進電機電控系統(tǒng)CISSOID 2024-09-23

羅姆與聯(lián)合汽車電子簽署SiC功率元器件長期供貨協(xié)議

全球知名半導體廠商羅姆（ROHM Co., Ltd.，以下簡稱“羅姆”）于近日與中國汽車行業(yè)一級綜合性供應商——聯(lián)合汽車電子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，以下簡稱“UAES”）簽署了SiC功率元器件的長期供貨協(xié)議。 UAES副總經(jīng)理郭曉潞（圖右）、ROHM Co., Ltd.&nb...
羅姆聯(lián)合汽車電子SiC功率元器件 2024-09-05

羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量應用于吉利集團電動汽車品牌“極氪”3種主力車型

應用于主機逆變器，有助于延長續(xù)航里程，提升性能日前，搭載了羅姆（總部位于日本京都市）第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊成功應用于浙江吉利控股集團（以下簡稱“吉利”）的電動汽車（以下稱“EV”）品牌“極氪”的“X”、 “009”、 “001”3種車型的主機逆變器上。自2023財年起，這款功率模塊經(jīng)由羅...
羅姆吉利集團第4代SiC MOSFET裸芯片 2024-08-29

RTP快速退火爐提高SiC晶體生長質(zhì)量

SiC器件制造過程主要包括“光刻、清洗、摻雜、蝕刻、成膜、減薄”等工藝，其中，離子注入工藝是SiC摻雜的重要步驟，以滿足SiC器件耐高壓、大電流功能的實現(xiàn)。然而離子注入后，碳化硅材料的晶格損傷必須通過退火工藝進行修復。在SiC材料晶體生長過程中，退火工藝可以使硅原子獲得足夠的能...
晟鼎精密SiC材料碳化硅材料 2024-07-08

泰克攜手芯聚能共推SiC功率模塊，協(xié)同打造新能源車產(chǎn)業(yè)新生態(tài)

在國家“雙碳”戰(zhàn)略的引領下，節(jié)能減排已成為推動各行各業(yè)結構轉(zhuǎn)型的核心動力。泰克科技與廣東芯聚能半導體有限公司的合作，正是這一戰(zhàn)略下的重要實踐，雙方致力于推動SiC功率模塊產(chǎn)業(yè)的技術創(chuàng)新與市場競爭力，共同加速第三代半導體技術在新能源汽車領域的應用，促進了產(chǎn)業(yè)的綠色升級。第三代半導體技術...
泰克芯聚能SiC功率模塊新能源車 2024-07-03

恩智浦和采埃孚合作開發(fā)基于SiC的牽引逆變器，助力增強電動汽車動力系統(tǒng)

• 恩智浦的高壓隔離柵極驅(qū)動器系列集成到采埃孚的下一代800 V SiC電動汽車牽引逆變器解決方案中• 此次合作旨在提升電動汽車的安全、能效、續(xù)航里程和性能• GD316x產(chǎn)品系列帶有多項功能，可保護高壓SiC功率開關，并發(fā)揮其優(yōu)勢恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.，納斯達克股票...
恩智浦采埃孚SiC牽引逆變器電動汽車動力系統(tǒng) 2024-06-14

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 下一頁 251

關鍵字搜索分類查看

新聞(768)

新品(396)

解決方案(63)

論壇帖子(157)

博客日志(305)

電子百科(6)

下載(2)

主站蜘蛛池模板：龙井市| 彭州市| 宁阳县| 枣阳市| 盈江县| 望谟县| 报价| 陆丰市| 台湾省| 彭州市| 贡嘎县| 昭平县| 都匀市| 滕州市| 日照市| 电白县| 安庆市| 普宁市| 鞍山市| 冀州市| 上林县| 城市| 沽源县| 新蔡县| 田林县| 甘孜县| 新和县| 沧州市| 禄丰县| 射阳县| 宁蒗| 体育| 正安县| 裕民县| 疏附县| 高平市| 廉江市| 贵州省| 渭源县| 盘山县| 林州市|

<center id="g44ou"><acronym id="g44ou"></acronym></center><noscript id="g44ou"><wbr id="g44ou"></wbr></noscript>

<nav id="g44ou"><dl id="g44ou"></dl></nav>

<cite id="g44ou"></cite>

<code id="g44ou"><wbr id="g44ou"></wbr></code>

<code id="g44ou"><tr id="g44ou"></tr></code>