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↓在全部中搜索到 183 條關(guān)于“pHEMT”的信息，用時(shí):0.028 sec.

pHEMT功率放大器的有源偏置解決方案

作者：Gweneivere Lasay，產(chǎn)品應(yīng)用工程師摘要假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)是耗盡型器件，其漏源通道的電阻接近0 Ω。此特性使得這些器件可以在高開關(guān)頻率下以高增益運(yùn)行。然而，如果柵極和漏極偏置時(shí)序不正確，漏極溝道的高電導(dǎo)率可能會(huì)導(dǎo)致器件燒毀。本文探討耗盡型pHEMT射頻(RF)放大器的工作原理以及...
pHEMT功率放大器有源偏置解決方案 2023-11-13

利用 HEMT 和 PHEMT 改善無(wú)線通信電路中的增益、速度和噪聲

本文要點(diǎn)高電子遷移率晶體管 (High electron mobility transistors ，HEMT) 和偽高電子遷移率晶體管 (pseudomorphic high electron mobility transistors ，PHEMT) 因其獨(dú)特的、可提高性能的特點(diǎn)而大受歡迎在 HEMT 結(jié)構(gòu)中，高電子遷移率是由于摻雜的寬帶半導(dǎo)體與未摻雜的窄帶隙半導(dǎo)體并列在一起造成的H...
晶體管無(wú)線通信 2022-03-08

供應(yīng)AMCOM 砷化鎵pHEMT晶體管 AM120WH2-CU-R

PHEMT是對(duì)高電子遷移率晶體管（HEMT）的一種改進(jìn)結(jié)構(gòu)，也稱為贗調(diào)制摻雜異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（PMODFET）。在PHEMT的結(jié)構(gòu)中還有一個(gè)i-InGaAs/i–GaAs異質(zhì)結(jié)，該異質(zhì)結(jié)的勢(shì)壘高度（導(dǎo)帶底的能量差）約為0.17eV；這樣，就使得i-InGaAs溝道層成為了一個(gè)量子阱（底部?jī)A斜的量子阱）,2-DEG即處于其中。因此，P...
2016-02-03

--BBS主題帖: Qorvo采用全新GaAs工藝提高光帶寬，最新TQPHT09 90nm pHEMT適用于下一代高頻放大器

[color=#000][font=Arial,]Qorvo, Inc.推出一項(xiàng)全新的砷化鎵(GaAs)贗晶型高[/font][/color][url=http://www.eechina.com/keyword/%E7%94%B5%E5%AD%90]電子[/url][color=#000][font=Arial,]遷移率晶體管(pHEMT)工藝技術(shù)，與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的[/font][/color][url=http://www.eechina.com/keyword/%E5%8D%8A%E5%...
2015-07-21

Avago AMMC-2008是一款單片PHEMT SPDT開關(guān)

is a monolithic PHEMT SPDT switch with low insertion loss and high isolation from DC to 50 GHz. Features Frequency Range: DC to 50 GHz Single Pole Double Throw Switch Low Insertion Loss: 2.3 dB (max) at 40 GHz High Isolation: 25 dB (min) at 40 GHz Medium Input Power: P-1dB...
AMMC－2008AvagoPHEMT SPDT開關(guān) 2013-03-11

TriQuint推出四款采用新封裝的砷化鎵(GaAs) pHEMT 射頻功率放大器模塊

技術(shù)創(chuàng)新的射頻解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商TriQuint半導(dǎo)體公司推出四款采用新封裝的砷化鎵(GaAs) pHEMT 射頻功率放大器模塊，提供高輸出功率、增益及效率，覆蓋頻率范圍為6-38 GHz。其中每款新放大器的封裝都更方便進(jìn)行組裝，包括支持多層印刷電路板布局的設(shè)計(jì)。TriQuint新的放大器是用于點(diǎn)對(duì)點(diǎn)微波無(wú)線電和極小...
GaAsPHEMTTriQuint射頻功率放大器新封裝砷化鎵 2012-12-20

利用GaAs PHEMT設(shè)計(jì)MMIC LNA

在通信接收器中低噪聲放大器(LNA)對(duì)于從噪聲中析出信號(hào)十分關(guān)鍵。控制系統(tǒng)內(nèi)噪聲還有其他技術(shù)，包括過(guò)濾和低溫冷卻，但低噪聲放大器的良好性能，提供了一種被實(shí)踐所驗(yàn)證的可靠的管理通信系統(tǒng)噪聲的方法。隨之而來(lái)的是對(duì)工作于X頻段(8GHz)的低功率(電池供電)LNA設(shè)計(jì)的探索。設(shè)計(jì)比較了在目標(biāo)是工作于的幾...
2012-04-26

Hittite推出GaAs pHEMT MMIC增益模塊放大器

Hittite Microwave Corporation推出新款SMT封裝GaAs pHEMT MMIC增益模塊放大器HMC599ST9E，適合用于50——960 MHz寬帶和CATV應(yīng)用。 HMC599ST9E基于GaAs pHEMT，寬動(dòng)態(tài)范圍增益模塊MMIC放大器，額定50——960 MHz，提供14 dB增益，輸出+39 dBm IP3，噪聲可低至2dB。輸入與輸出回波損耗可達(dá)15dB或更高。H...
GaAs pHEMT MMIC增益模...HittiteHMC599ST9E 2008-12-03

Hittite推出SMT封裝GaAs pHEMT MMIC增益單元放大器

Hittite Microwave Corporation近日推出兩款SMT封裝GaAs pHEMT MMIC增益單元放大器，適用于頻率在50-4GHz的汽車、寬帶，CATV，蜂窩/3G，WiMAX/4G以及固定無(wú)線應(yīng)用。 HMC636ST89E和HMC639ST89E是GaAs pHEMT高線性增益單元放大器，無(wú)需外部匹配電路，從而成為競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的理想替代品，如50MHz到4GHz的IF和R...
GaAs pHEMT MMICHMC636ST89EHMC639ST89E增益單元放大器汽車電子 2008-07-23

--BBS主題帖: IAM-93516:線性E-pHEMT MMIC有源混頻器

5月13日訊,安捷倫科技公司(Agilent Technologies) 推出一款高線性度低本地頻率振蕩器(LO) E-pHEMT (增強(qiáng)模式偽形態(tài)高電子遷移率晶體管) MMIC (微波單片集成電路)有源混頻器IAM-93516, 滿足了BTS (基站設(shè)備) 3G基站無(wú)線卡和其它點(diǎn)對(duì)點(diǎn)與點(diǎn)對(duì)多點(diǎn)微波無(wú)線鏈路應(yīng)用對(duì)關(guān)鍵性能的要求.
2005-05-23

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