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應(yīng)用開發(fā)

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將ADuM4135柵極驅(qū)動器與Microsemi APTGT75A120T1G 1200 V IGBT模塊配合使用

作者：Martin Murnane ADI公司簡介絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)是適用于高壓應(yīng)用的經(jīng)濟高效型解決方案，如車載充電器、非車載充電器、DC-DC快速充電器、開關(guān)模式電源(SMPS)應(yīng)用。開關(guān)頻率范圍：直流至100 kHz。IGBT可以是單一器件，甚至是半橋器件，如為圖1所示設(shè)計選擇的。本應(yīng)用筆...
柵極驅(qū)動器IGBT模塊加載充電器 2019-08-13

Microsemi公司推出13 RF，微波和毫米波器件

2015年IEEE MTT-S國際微波研討會暨展覽會（IMS 2015）在亞利桑那州鳳凰城（5月17日至22日），加利福尼亞Aliso Viejo的Microsemi的的公司，CA，USA（其中設(shè)計和制造的模擬和RF器件，混合信號集成電路和子系統(tǒng)進行通信，國防與安全，航空航天和工業(yè)市場）的特色從射頻，微波和毫米波集成電路，模塊，單片...
射頻微波器件模擬電路毫米波器件 2015-05-18

Microsemi與New Wave Design＆Verification合作開發(fā)網(wǎng)絡(luò)硬件和光纖通道IP內(nèi)核

美高森美公司宣布與New Wave Design & Verification (New Wave DV)合作開發(fā)網(wǎng)絡(luò)硬件和光纖通道IP內(nèi)核。現(xiàn)在，PMC/XMC 卡和IP內(nèi)核均可用于美高森美的SmartFusion2® SoC FPGA和IGLOO2® FPGA器件，能夠為用以太網(wǎng)和/或光纖通道的新型國防、航空航天、企業(yè)網(wǎng)絡(luò)和存儲應(yīng)用加快開發(fā)周期。美高...
MicrosemiNew Wave Design＆Ver...光纖通道IP內(nèi)核網(wǎng)絡(luò)硬件 2014-12-23

Microsemi提供用于極端溫度環(huán)境的FPGA和cSoC產(chǎn)品

可編程器件可在150至200攝氏度下工作　　致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation)宣布，其現(xiàn)場可編程門陣列(field programmable gate array，F(xiàn)PGA) 和SmartFusion可定制系統(tǒng)級芯片(customizable system-on-chip，SoC) 解決方案現(xiàn)已具...
2012-06-25

Jay Legenhausen解讀Microsemi收購Actel

Jay Legenhausen解讀Microsemi收購Actel 10月6日，Microsemi宣布收購Actel，讓很多業(yè)內(nèi)人士大惑不解。包括時任Actel中國區(qū)經(jīng)理的夏明威，在此之前他甚至都沒有聽說過Microsemi。有50年歷史的Microsemi公司總部位于美國加州Irvine，產(chǎn)品線包...
2010-12-07

Microsemi推出SOT227型的新電源模塊系列

采用SOT227封裝的35個全橋器件擴展了其二極管系列。器件覆蓋范圍為6A~100A和45V~1.7kV。SiC二極管模塊在600V和1.2 kV提供電流6A~40A，而肖特基二極管模塊覆蓋電流和電壓為30A~60A和45V~200V。2個標準全橋整流二極管全橋模塊，電流分別為40A和90A，電壓為1.6 kV，還可提供30A~ 100A 和200V~1700V的FRED二...
MicrosemiSOT227型新電源模塊 2010-02-02

Microsemi推出用于空中交通管制的功率解決方案

Microsemi推出新款先進功率解決方案模塊，用于高功率S波段空中交通管制系統(tǒng)。這一緊湊的器件命名為2729-300P，具有50歐姆匹配模塊，提供優(yōu)越的RF性能，高于300W的脈沖RF輸出功率，100毫秒脈寬和10%占空比，工作在2700-2900MHz頻帶。 2729-300P具有大于8dB高功率增益，僅僅70ns優(yōu)越的上升時間，僅僅0....
2729-300P功率解決方案空中交通管制 2008-07-16

Microsemi增添DRF1200/CLASS-E參考設(shè)計套件

Microsemi推出新款基于Microsemi的DRF1200驅(qū)動器/MOSFET混合的1 KW單端CLASS-E參考設(shè)計套件。參考設(shè)計套件使設(shè)計工程師可以直接生成一個86%效率的1000W CLASS-E RF發(fā)生器。套件提供了一個重要的用于開發(fā)高功率，高電壓RF發(fā)生器的工具，優(yōu)化了等離子生成的效率以及功率密度，開關(guān)模式電源放大器，脈沖發(fā)...
DRF1200/CLASS-E參考設(shè)計套件 2008-03-12

--BBS主題帖: Microsemi發(fā)布標準IGBT三相橋式電源模塊

Microsemi 推出一系列采用SP3緊湊封裝的標準IGBT三相橋式電源模塊。該系列電源模塊設(shè)計用于電機控制，采用快速NPTIGBT的3相IGBT橋用于20～50KHz高頻應(yīng)用，采用場溝漕截止IGBT用于5～20KHz的低頻應(yīng)用。所有新款整流器都集成有用于監(jiān)控模塊內(nèi)部溫度的傳感器以實現(xiàn)過熱保護。快速NPT類IGBT的電...
2007-09-29

--BBS主題帖: Microsemi的802.11a功率放大器LX5506M

11月1日訊，Microsemi Corporation宣布其集成產(chǎn)品組添加新型InGap HBT功率放大器LX5506M，用于便攜式802.11a無線局域網(wǎng)（WLAN）應(yīng)用，具體包括卡總線、迷你PCI與接入點產(chǎn)品。
2005-11-09

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