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↓在全部中搜索到 181 條關于“CGD”的信息，用時:0.027 sec.

高效控制：類比半導體DR7808在新能源汽車中的應用

作者：類比半導體摘要在當前新能源汽車產業迅猛發展的大潮中，中國汽車芯片的國產化進程顯得尤為迫切和重要。隨著國家對自主可控技術的高度重視和支持，電機預驅技術正經歷著一場深刻的變革。從早期依賴分立元件和繼電器的控制方式，到現在向高度集成化的IC解決方案轉型，這一轉變不僅響應了市場對更高...
類比半導體DR7808新能源汽車 2024-07-29

Qorvo E1B SiC模塊：成就高效功率轉換系統的秘密武器

作者：Mike Zhu 來源：Qorvo半導體在功率轉換中，效率和功率密度至關重要。每一個造成能量損失的因素都會產生熱量，并需要通過昂貴且耗能的冷卻系統來去除。軟開關技術與碳化硅（SiC）技術的結合為提升開關頻率提供了可能；從而能夠縮減暫存能量和用于平滑開關模式轉換器輸出無源元件的尺寸及數量...
功率轉換系統碳化硅 2024-06-18

耐輻射性已成為新太空衛星設計的新難題

雖然半導體器件的選擇是為太空應用開發耐輻射電源系統的核心，但它只是可部署在組件和電路層面的眾多設計策略之一。本文將討論在耐輻射電源系統中采用軟開關的基本策略及多種優勢。要想開發能夠在太空中可靠運行的衛星電力電子系統，工程師們需要克服多方面的挑戰。沒有了地球磁場，衛星很難使高能粒子...
耐輻射電源系統VicorMOSFET 2024-04-28

SiC 器件如何顛覆不間斷電源設計?

不間斷電源 (UPS) 和其他基于電池的儲能系統可以確保住宅、電信設施、數據中心、工業設備、醫療設備和其他關鍵設備的持續供電。憑借先進的半導體技術，這些系統能夠確保可靠供電，提供濾波功能，并在發生短期電網斷電時保障供電。對于更長時間的停電，這些系統可以提供足夠的時間讓關鍵設備安全地關閉。...
SiC電源設計安森美UPS 2023-12-13

MOS管G極與S極之間的電阻作用

MOS管具有三個內在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點在MOS管的規格書中可以體現（規格書常用Ciss、Coss、Crss這三個參數代替）。MOS管之所以存在米勒效應，以及ＧＳ之間要并電阻，其源頭都在于這三個寄生電容。 MOS管內部寄生電容示意IRF3205寄生電容參數 1.MOS管的米勒效應 MOS管驅動之理想與現實...
mos管電阻寄生電容 2023-12-04

工業電機驅動中的柵極驅動和電流反饋信號隔離

摘要二十多年來,電機電能效率一直是全球能源監管機構關注的重點。這是全球共同努力的一部分,旨在通過增加電能利用率以及使用可再生源發電,達到最大程度減少碳排放的目的。早期的電機效率法規是自愿的,但很快這些法規就變成強制性的了,并且每5至10年就會提高最低能效水平要求。鼠籠式感應電機(SQIM)...
工業電機驅動柵極驅動電流反饋信號隔離自動化 2023-09-01

三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds？

MOSFET和三極管，在ON 狀態時，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過來的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢？三極管ON狀態時工作于飽和區，導通電流Ice主要由Ib與Vce決定，由于三極管的基極驅動電流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能簡單的僅由Vce來決定，即不能采...
MOSFET三極管 2023-05-29

功率MOS管損壞的典型

第一種：雪崩破壞如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達到擊穿電壓V(BR)DSS （根據擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發生破壞的現象。在介質負載的開關運行斷開時產生的回掃電壓，或者由漏磁電感產生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進入擊穿區而導致破壞的模式會...
二極管功率MOS管 2023-05-15

MOSFET柵極驅動的優化設計

MOS管驅動電阻怎么選擇,給定頻率,MOS管的Qg和上升沿怎么計算用多大電阻首先得知道輸入電容大小和驅動電壓大小,等效為電阻和電容串聯電路,求出電容充電電壓表達式,得出電阻和電容電壓關系圖MOS管的開關時間要考慮的是Qg的,而不是有Ciss,Coss決定,看下面的Data.一個MOS可能有很大的輸入電容,但是并不代表...
MOSFET柵極驅動mos管 2023-04-18

SiC MOSFET的短溝道效應

作者：趙佳Si IGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異，Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 這篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比較明顯的短溝道效應、Vth滯回效應、短路特性以及體二極管的魯棒性。直接翻譯不免晦澀難懂，不如加入自己的理解，重新...
SiC－MOSFET短溝道效應 2023-03-29

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