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↓在全部中搜索到 208 條關(guān)于“CoolMOS”的信息，用時:0.027 sec.

大聯(lián)大品佳集團推出基于Infineon產(chǎn)品的3.3KW雙向圖騰柱PFC數(shù)字電源方案

致力于亞太地區(qū)市場的國際領(lǐng)先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下品佳推出基于英飛凌（Infineon）XMC1404 MCU、IMBG65R048M1H CoolSiC™ MOSFET、IPDQ60R010S7 CoolMos™ MOSFET以及2EDS9259X柵極驅(qū)動IC的3.3KW雙向圖騰柱PFC數(shù)字電源方案。圖示1-大聯(lián)大品佳基于Infineon產(chǎn)品...
大聯(lián)大品佳集團infineon3．3KW雙向圖騰柱PFC數(shù)... 2025-03-06

升級電源和機架架構(gòu)，滿足AI服務器的需求

英飛凌的CoolSiCTM和CoolGaNTM產(chǎn)品非常適用于應對數(shù)據(jù)中心機架和電源供應單元（PSU）電力需求增長所需的新架構(gòu)和AC-DC配電配置。作者：Sam Abdel-Rahman 英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部高級首席系統(tǒng)架構(gòu)師前言人工智能（AI）的迅猛發(fā)展推動了數(shù)據(jù)中心處理能力的顯著增長。如圖1所示，英飛凌預測單臺G...
升級電源機架架構(gòu)AI服務器 2025-02-24

為什么開關(guān)晶體管會失效？

過電壓從何而來？　　罪魁禍首很清楚，很容易識別：它是寄生電感 L滲漏，在傳輸時間內(nèi)不會通過續(xù)流二極管 D2 消磁。其中儲存的能量（1/2 升滲漏我2）轉(zhuǎn)移到現(xiàn)有的寄生電容并在那里產(chǎn)生過電壓（1/2 CparasiticV2 版本).如果沒有寄生電容，電壓將上升到無窮大。反激式轉(zhuǎn)換器中產(chǎn)生的 MOSFET 電壓（...
開關(guān)晶體管 2025-02-14

800V直流快充：高端EV俱樂部的“入場券”，如何能拿到？

如今，電動汽車越來越受歡迎，隨之而來的是對更高效充電解決方案的需求。然而，電動汽車的快速充電與智能手機等小型消費電子產(chǎn)品的快速充電有很大不同。在電動汽車中，快速充電技術(shù)需要將車輛電池的充電時間從幾個小時縮短到十幾分鐘甚至更短的時間。直流快速充電是電動汽車目前很高效的快充技術(shù)，此時...
直流快充電動汽車 2024-12-12

面對電動汽車和數(shù)據(jù)中心兩大主力應用市場，SiC和GaN該如何發(fā)力？

氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）是寬禁帶（WBG）半導體材料，由于其獨特性，使其在提高電子設(shè)備的效率和性能方面起著至關(guān)重要的作用，特別是在DC/DC轉(zhuǎn)換器和DC/AC逆變器領(lǐng)域。對于GaN而言，與硅相比，它具有優(yōu)異的電子遷移率和更高的擊穿電壓，能在高溫、高電和高頻下工作，其優(yōu)勢主要體現(xiàn)在三個方面：&#...
電動汽車數(shù)據(jù)中心SiCGaN 2024-12-02

功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（四）——功率半導體芯片溫度和測試方法

作者：陳子穎前言功率半導體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，相關(guān)標準和工程測量方法。芯片表面溫...
功率器件IGBT碳化硅 2024-11-18

貿(mào)澤開售Infineon CoolGaN HEMT 支持緊湊型系統(tǒng)設(shè)計中的高效快速開關(guān)

專注于引入新品并提供海量庫存的半導體與電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨Infineon Technologies的CoolGaN™ 氮化鎵 (GaN) HEMT。CoolGaN 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 提供高效率和高功率密度，幫助實現(xiàn)半導體電源的快速開關(guān)。CoolGan HEMT同時適合硬開關(guān)和軟開關(guān)拓撲，是...
貿(mào)澤電子CoolGaN 氮化鎵 (GaN)...開關(guān)模式電源 (SMPS)高效快速開關(guān) 2019-02-20

基于FPGA的通用開關(guān)電源控制器硬件模擬開發(fā)平臺的設(shè)計與實現(xiàn)

隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，離線開關(guān)電源在人們的日常生活中得到了日益廣泛的應用。在開關(guān)電源領(lǐng)域，各大半導體廠商對開關(guān)電源控制芯片的競爭也日趨激烈。因此，縮短控制芯片的開發(fā)周期及新產(chǎn)品的上市時間，是提高其競爭力的關(guān)鍵因素?！　≡陂_關(guān)電源控制芯片的設(shè)計過程中，軟件仿真是系統(tǒng)方案論證的一個...
2012-03-27

鯉躍龍門，“2012中國年度電子成就獎”參展商感言

“2012中國年度電子成就獎”頒獎典禮于“第十七屆國際集成電路研討會暨展覽會”期間在深圳會展中心隆重舉行。據(jù)了解，本次獎項中“分析師推薦獎”由《電子工程專輯》資深分析師組成的評審小組評選出來。而最佳企業(yè)及最佳產(chǎn)品獎項則是經(jīng)由上述資深分析師獨立評選得出入圍名單，再由中國大陸工程師社...
2012-02-27

--BBS主題帖: Infineon推出900 V Superjunction MOSFET

Infineon發(fā)布900 V superjunction MOSFET，特定應用于高效SMPS（switched-mode power supply），工業(yè)和可再生能源應用中。接續(xù)了Infineon在電源半導體業(yè)界的創(chuàng)新歷史，新款節(jié)能CoolMOSTM 900 V電源MOSFET系列克服了電源三極管制造的“硅限制”，使用標準TO（Transistor Outline）封裝為高壓設(shè)計提供了一...
2008-03-05

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