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↓在全部中搜索到 3094 條關于“FET”的信息，用時:0.059 sec.

eGaN FET 場效應晶體管增強型氮化鎵場效應管氮化鎵技術

在過去幾年間有很多關于氮化鎵(GaN)半導體器件的報導,如美國RensselaerPolytechnic Institute的科學家開發(fā)了全球初期專為電源轉換應用而設的氮化鎵晶體管。他們嘗試利用具備更高擊穿電壓及更高效電源轉換性能的氮化鎵晶體管來替代硅MOSFET器件(注1),其目標是開發(fā)出可以在嚴峻環(huán)境下工作并具備更高性能的...
2013-04-21

eGaN FET 磚式轉換器電源硅MOSFET

隔離型磚式轉換器廣泛地應用于電信系統(tǒng)，為網(wǎng)絡設備提供工作電源。這些磚式轉換器可以提供各種標準尺寸和輸入/輸出電壓范圍。它們中大多數(shù)可以在2:1甚至高達4:1的大輸入電壓范圍內工作。它們的模塊性、功率密度、可靠性和多功能性簡化了隔離式電源應用，并在某種程度上使之在市場上廣受歡迎。由于這些磚...
2013-04-16

eGaN FET 場效應晶體管增強型氮化鎵場效應管氮化鎵技術

在過去幾年間有很多關于氮化鎵(GaN)半導體器件的報導,如美國RensselaerPolytechnic Institute的科學家開發(fā)了全球初期專為電源轉換應用而設的氮化鎵晶體管。他們嘗試利用具備更高擊穿電壓及更高效電源轉換性能的氮化鎵晶體管來替代硅MOSFET器件(注1),其目標是開發(fā)出可以在嚴峻環(huán)境下工作并具備更高性能的...
2013-03-30

eGaN FET 場效應晶體管增強型氮化鎵場效應管氮化鎵技術

在過去幾年間有很多關于氮化鎵(GaN)半導體器件的報導,如美國RensselaerPolytechnic Institute的科學家開發(fā)了全球初期專為電源轉換應用而設的氮化鎵晶體管。他們嘗試利用具備更高擊穿電壓及更高效電源轉換性能的氮化鎵晶體管來替代硅MOSFET器件(注1),其目標是開發(fā)出可以在嚴峻環(huán)境下工作并具備更高性能的...
2013-03-15

將光電FET光耦用作一個線性壓控電位器

關鍵字：H11F3M 線性壓控電位器光耦光電FET 光電FET可以用作一只可變電阻，或與一只固定電阻一起用作電位器。H11F3M光電FET有7.5kV的隔離電壓，因此能夠安全地控制高壓電路參數(shù)。但這些器件的非線性傳輸特性可能成為問題(圖1)。為了校正這種...
2013-01-23

將光電FET光耦用作一個線性壓控電位器

關鍵字：H11F3M 線性壓控電位器光耦光電FET 光電FET可以用作一只可變電阻，或與一只固定電阻一起用作電位器。H11F3M光電FET有7.5kV的隔離電壓，因此能夠安全地控制高壓電路參數(shù)。但這些器件的非線性傳輸特性可能成為問題(圖1)。為了校正這種...
2012-11-16

將光電FET光耦用作一個線性壓控電位器

光電FET可以用作一只可變電阻，或與一只固定電阻一起用作電位器。H11F3M光電FET有7.5kV的隔離電壓，因此能夠安全地控制高壓電路參數(shù)。但這些器件的非線性傳輸特性可能成為問題(圖1)。為了校正這種非線性，可以采用一種簡單的反饋機制，使電位器產(chǎn)生一種線性響應(圖2)，本電路使用了兩只光電FET，一只作...
2012-10-03

--BBS主題帖: 使用結型FET的簡易電壓控制放大器電路及工作原

使用結型FET的簡易電壓控制放大器電路及工作原理更新于2012-06-05 04:21:36 文章出處:互聯(lián)網(wǎng) [url=http://www.eefocus.com/search/?keyword=FET&searchselect=site][color=#0000ff]FET[/color][/url] [url=http://www.eefocus.com/search/?keyword=電壓&searchselect=site][color=#0000ff]電壓[/colo...
2012-06-24

--BBS主題帖: 基于FET輸入型OP放大器的長時間模擬定時電路介紹

[font=宋體, Georgia, verdana, serif][font=Verdana][size=12px][b]電路的功能[/b][/size][/font][/font] [font=宋體, Georgia, verdana, serif][img]http://www.21ic.com/d/file/201203/51d0d5d5516c43cb1436d3480147716b.jpg[/img][/font] [font=宋體, Georgia, verdana, serif][font=Verdana][si...
2012-03-31

--BBS主題帖: 安華高推出小尺寸場效應晶體管(FET)產(chǎn)品VMMK-12xx

Avago推出業(yè)內封裝尺寸最小的場效應晶體管(FET, Field Effect Transistor)產(chǎn)品，尺寸大小僅1.0 x 0.5 x 0.25 mm，這些超小型低厚度分立式低噪器件占用空間只有標準SOT-343封裝的5%以下，新推出的VMMK-1218和-1225通過采用Avago創(chuàng)新的芯片級封裝技術，帶來具備高頻工作能力和卓越散熱效果的小型化晶體管...
2008-04-14

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