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↓在全部中搜索到 2501 條關于“SiC”的信息，用時:0.037 sec.

SiC的突破要解決技術和原材料兩大難題

隨著硅材料的負載量逐漸接近極限，以硅為基片的半導體器件性能和能力極限已無可突破的空間。人們遂將目光投向以碳化硅（SiC）為代表的第三代寬帶隙半導體材料。其中，SiC作為目前發展最成熟的寬禁帶半導體材料最受重視，被業內公認為最具發展前景的“一種未來的材料”，預計在今后5~10年將會取得快速發...
碳化硅（SiC）羅姆 2019-07-23

電動汽車蓬勃發展，能否帶動 SiC 起飛？

據DIGITIMES Research預測，碳化硅(SiC)功率半導體市場將起飛，而電動車領域將成為主要驅動力。SiC功率半導體具耐高溫、耐高電壓、切換速度快，可降低電力傳輸或轉換時能量損耗等優點，已成為以節能為要求的太陽能、電動車及充電基礎建設、智慧電網等領域倍受關注的新興產品。 DIGITIMES Research副...
SiC功率半導體充電基礎建設智慧電網 2019-07-15

SiC功率半導體市場將起飛，電動車領域為主要驅動力

碳化硅(SiC)功率半導體具耐高溫、耐高電壓、切換速度快，可降低電力傳輸或轉換時能量損耗等優點，已成為節能訴求的太陽能、電動車及充電基礎建設、智能電網等領域關注的新興產品。根據市調機構預估，隨廠商大舉擴產，未來10年，SiC功率半導體市場規模將大增約10倍。以市場發展動向分析，2018年全球SiC功...
SiC功率半導體市場汽車電動化智能電網 2019-07-12

SiC功率元器件市場動向及羅姆產品的戰略規劃

至今半導體產業發展歷經了三個階段，分別是20世紀50年代誕生的以硅（Si）為代表的第一代半導體材料，及以80年代誕生的砷化鎵（GaAs）為代表的第二代半導體材料，和如今以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等寬禁帶為代表的第三代半導體材料，且愈來愈被受到高度的重視。以碳化硅（SiC）為例，憑借其禁帶寬度...
羅姆SiC功率元器件市場碳化硅（SiC）SiC分立器件 2019-07-09

三菱電機以SiC功率技術深耕家電、汽車、牽引和工業應用

“從未對創新懈怠，保持著一貫的技術迭代步伐?！边@是三菱電機半導體的匠人心態。自1921年以來，深耕變頻家電、工業、新能源、軌道牽引、電動汽車五大應用領域。如今，三菱電機研發推出的DIPIPMTM已成為變頻家電領域不可或缺重要組成部分，而且其高速機車用HVIGBT模塊也早已成為行業默認的標準。過去一...
新型IGBT模塊SiC功率技術 2019-07-02

Microchip宣布推出碳化硅（SiC）產品，助力打造可靠的高壓電子設備

隨著市場對SiC技術的效率和功率密度的要求不斷上升，新推出的700VMOSFET和700V、1200VSBD可為客戶提供更多選擇汽車、工業、太空和國防領域越來越需要能提升系統效率、穩健性和功率密度的SiC功率產品。今日，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）通過其子公司Microsemi（美高森美）宣布推出一...
碳化硅（SiC）700VMOSFET和700V、12...SiC功率模塊 2019-05-17

Cree 成為大眾汽車集團FAST 項目SiC（碳化硅）獨家合作伙伴

Cree, Inc. (Nasdaq: CREE)宣布，作為SiC（碳化硅）半導體的全球引領者，成為大眾汽車集團（Volkswagen Group）FAST（Future Automotive Supply Tracks，未來汽車供應鏈）項目SiC（碳化硅）獨家合作伙伴。FAST的目標旨在推進共同合作，比以往更為快速地實施技術創新，并且更有效率地、更有效果地實現全...
SiC（碳化硅）EV電動汽車功率模塊 2019-05-15

Cree將投資10億美元，擴大SiC（碳化硅）產能

先進的制造園區，將加速從Si（硅）向SiC（碳化硅）的產業轉型，滿足EV電動汽車和5G市場需求• 此次產能擴大，將帶來SiC（碳化硅）晶圓制造產能的30倍增長和SiC（碳化硅）材料生產的30倍增長，以滿足2024年之前的預期市場增長• 5年的投資，充分利用現有的建筑設施North Fab，并整新200mm設備...
SiC（碳化硅）晶圓制造 2019-05-08

安森美半導體基于SiC的混合IGBT和隔離型大電流IGBT門極驅動器將在歐洲PCIM 2019推出

展示針對強固電源應用的混合IGBT和廣泛的IGBT驅動器，提供同類最佳的電流性能和保護特性推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，將于5月7日開始的德國紐倫堡歐洲PCIM 2019展會推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相關的隔離型大電流IGBT門極驅動器。 AFGHL50T65...
混合IGBT隔離型大電流IGBT門極...AFGHL50T65SQDC碳化硅(SiC) 2019-04-30

ROHM推出內置1700V SiC MOSFET的AC／DC轉換器IC

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都），面向大功率通用逆變器、AC伺服、工業用空調、街燈等工業設備，開發出內置1700V耐壓SiC MOSFET*1)的AC/DC轉換器*2)IC“BM2SCQ12xT-LBZ”。近年來，隨著節能意識的提高，在交流400V工業設備領域，相比現有的Si功率半導體，可支持更高電壓、更節能、...
rohmAC／DC轉換器ICSiC元器件“BM2SCQ12xT－LBZ” 2019-04-19

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