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應(yīng)用開(kāi)發(fā)

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用于 GaN HEMT 的超快分立式短路保護(hù)

當(dāng)今的行業(yè)需要緊湊且速度更快的電子電路，這些電路可以在高性能計(jì)算機(jī)、電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心和高功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)等高功率應(yīng)用中實(shí)施。實(shí)現(xiàn)這一壯舉的方法是提高電子設(shè)備的功率密度。硅基MOSFET具有較低的開(kāi)關(guān)速度和熱效率；因此，如果不增加尺寸并因此影響功率密度，它們就不能用于高功率應(yīng)用。這就是基于...
GaN HEMT短路保護(hù) 2023-03-07

幾個(gè)氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器PCB設(shè)計(jì)必須掌握的要點(diǎn)

NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵（以下簡(jiǎn)稱“GaN”）功率開(kāi)關(guān)。之前我們簡(jiǎn)單介紹過(guò)氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)策略概要，本文將為大家重點(diǎn)說(shuō)明利用 NCP51820 設(shè)計(jì)高性能 GaN 半橋柵極驅(qū)動(dòng)電路必須考慮的 PCB 設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)。本設(shè)計(jì)文檔其余部分...
氮化鎵GaNPCB設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動(dòng)器 2023-02-23

光隔離探頭應(yīng)用場(chǎng)景之—— 助力氮化鎵（GaN）原廠FAE解決客戶問(wèn)題

作為功率半導(dǎo)體廠商，為下游客戶提供典型應(yīng)用方案似乎成行業(yè)內(nèi)約定俗成的事。也就是說(shuō)，作為半導(dǎo)體原廠不僅要設(shè)計(jì)好芯片，還要親自設(shè)計(jì)和驗(yàn)證很多應(yīng)用方案供下游客戶參考或者直接采用，以便讓自己的芯片能快速通過(guò)下游客戶的應(yīng)用而占領(lǐng)市場(chǎng)。但是下游客戶面臨的應(yīng)用場(chǎng)景復(fù)雜多樣，盡管芯片原廠提供了應(yīng)...
光隔離探頭氮化鎵（GaN） 2023-02-02

一文深入了解 GaN 技術(shù)

GaN 是一項(xiàng)久經(jīng)考驗(yàn)的化合物半導(dǎo)體技術(shù)。自 20 世紀(jì) 80 年代以來(lái)，化合物半導(dǎo)體一直都是高性能應(yīng)用中的主導(dǎo)微波集成電路 (IC) 技術(shù)。這是因?yàn)榕c簡(jiǎn)單的硅基半導(dǎo)體器件相比，它們可實(shí)現(xiàn)卓越的速度和功率組合。化合物半導(dǎo)體由元素周期表中的兩個(gè)或兩個(gè)以上不同元素族組成，而簡(jiǎn)單的半導(dǎo)體器件則由硅 (Si) ...
GaN 技術(shù)晶體管 GaN 2022-12-22

使用機(jī)器學(xué)習(xí)設(shè)計(jì)復(fù)雜形狀的GaN基亞波長(zhǎng)光柵反射器

摘要基于機(jī)器學(xué)習(xí)的方法可用于實(shí)現(xiàn)和優(yōu)化GaN基亞波長(zhǎng)光柵(SWG)設(shè)計(jì)。在現(xiàn)代電力電子產(chǎn)品中，GaN等材料在眾多工業(yè)應(yīng)用中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。在光子應(yīng)用方面，亞波長(zhǎng)光柵具有許多有用的特性，例如可調(diào)諧反射率和偏振選擇性，這使得它們非常的通用。由于它提供的眾多好處，這種SWG技術(shù)被用于各種元器件...
機(jī)器學(xué)習(xí)設(shè)計(jì)GaN 2022-12-12

殺入新能源汽車市場(chǎng)的GaN，勝算幾何？

作者：Doctor M在電力電子應(yīng)用中，為了滿足更高能效和更高開(kāi)關(guān)頻率的要求，功率密度正在成為關(guān)鍵的指標(biāo)之一。基于硅（Si）的技術(shù)日趨接近發(fā)展極限，高頻性能和能量密度不斷下降，功率半導(dǎo)體材料也在從第一代的硅基材料發(fā)展到第二代的砷化鎵后，正式開(kāi)啟了第三代寬禁帶技術(shù)如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN...
新能源汽車GaN 2022-09-21

使用集成 GaN 解決方案提高功率密度

氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業(yè)的熱門話題，因?yàn)樗梢允沟?80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動(dòng)汽車 (EV) 車載充電器和 EV 充電站等設(shè)計(jì)得以實(shí)現(xiàn)。在許多應(yīng)用中， GaN 能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET)。但由于 GaN 的電氣特性和它所能實(shí)現(xiàn)的性能，使用 GaN...
氮化鎵(GaN)柵極驅(qū)動(dòng)器 2022-09-15

殺入新能源汽車市場(chǎng)的GaN，勝算幾何？

作者：Doctor M在電力電子應(yīng)用中，為了滿足更高能效和更高開(kāi)關(guān)頻率的要求，功率密度正在成為關(guān)鍵的指標(biāo)之一。基于硅（Si）的技術(shù)日趨接近發(fā)展極限，高頻性能和能量密度不斷下降，功率半導(dǎo)體材料也在從第一代的硅基材料發(fā)展到第二代的砷化鎵后，正式開(kāi)啟了第三代寬禁帶技術(shù)如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN...
新能源汽車GaN 2022-09-14

殺入新能源汽車市場(chǎng)的GaN，勝算幾何？

圖源：greenbutterfly/stock.adobe.com 在電力電子應(yīng)用中，為了滿足更高能效和更高開(kāi)關(guān)頻率的要求，功率密度正在成為關(guān)鍵的指標(biāo)之一。基于硅（Si）的技術(shù)日趨接近發(fā)展極限，高頻性能和能量密度不斷下降，功率半導(dǎo)體材料也在從第一代的硅基材料發(fā)展到第二代的砷化鎵后，正式開(kāi)啟了第三代寬禁帶技術(shù)如碳...
電動(dòng)汽車GaN車載充電器（OBC） 2022-08-12

GaN是否可靠？

作者：Sandeep Bahl, TI技術(shù)專家氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)正迅速獲得采用，因?yàn)樗軌蛱岣咝什⒖s小電源供應(yīng)器尺寸。不過(guò)，在投資這個(gè)技術(shù)之前，您可能仍會(huì)問(wèn)自己GaN是否可靠。但令我震驚的是，沒(méi)有人問(wèn)硅(Si)是否可靠。其實(shí)仍然有新的硅產(chǎn)品持續(xù)上市，電源設(shè)計(jì)人員也同樣關(guān)注硅功率組件的可靠性。...
GaN氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2022-07-28

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