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↓在全部中搜索到 2501 條關于“SiC”的信息，用時:0.036 sec.

SiC MOSFET 如何提高 AI 數據中心的電源轉換能效

作者：安森美產品線經理 Wonhwa Lee如今所有東西都存儲在云端，但云究竟在哪里？答案是數據中心。我們對圖片、視頻和其他內容的無盡需求，正推動著數據中心行業蓬勃發展。國際能源署 (IEA) 指出，[1]人工智能 (AI) 行業的迅猛發展正導致數據中心電力需求激增。預計在 2022 年到 2025 年的三年間，...
SiC MOSFETAI安森美 2025-04-10

SiC 市場的下一個爆點：共源共柵（cascode）結構詳解

本文作者：Jonathan Dodge, P.E. 安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場效應晶體管）在硬開關和軟開關應用中有諸多優勢，SiC JFET cascode應用指南講解了共源共柵（cascode）結構、關鍵參數、獨特功能和設計支持。本文為第一篇，將重點介紹Cascode結構。 Cascode簡介碳化硅結型場效...
SiC共源共柵碳化硅 2025-03-28

第18講：SiC MOSFET的動態特性

本文詳細介紹了SiC MOSFET的動態特性。包括閾值電壓特性、開通和關斷特性以及體二極管的反向恢復特性。此外，還應注意測試波形的準確性。 1. 閾值電壓特性 SiC MOSFET的閾值電壓（VGS(th)）通常低于Si IGBT。降低閾值電壓可降低SiC MOSFET的通態電阻。驅動SiC MOSFET需要對柵極施加負偏壓，...
SiC MOSFET三菱電機 2025-03-28

第17講：SiC MOSFET的靜態特性

商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V，而SiC擁有更高的擊穿場強，在結構上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態電阻，使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態特性。 1. 正向特性圖1顯示了SiC MOSFET的正向通態特性。由于MOSFET是單極性器件，沒有內建電勢，所以在...
SiC MOSFET三菱電機 2025-03-17

SiC JFET并聯的五大難題，破解方法終于來了！

本文作者：Jonathan Dodge, P.E., Mike Zhu, Shusun Qu ,Mike Tian隨著Al工作負載日趨復雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。我們將詳細介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET，內容包括Cascode（共源共柵）關鍵參數和并聯振蕩的分析，以及設計指南。本文...
SiC JFET并聯示波器 2025-03-05

第16講：SiC SBD的特性

SiC SBD具有高耐壓、快恢復速度、低損耗和低漏電流等優點，可降低電力電子系統的損耗并顯著提高效率。適合高頻電源、新能源發電及新能源汽車等多種應用，本文介紹SiC SBD的靜態特性和動態特性。SBD（肖特基勢壘二極管）是一種利用金屬和半導體接觸，在接觸處形成勢壘，具有整流功能的器件。Si SBD耐壓一...
SiC SBD三菱電機 2025-03-03

安森美半導體推出碳化硅(SiC) MOSFET，完善生態系統

SiC MOSFET支持高能效、小外形、強固和高性價比的高頻設計，用于汽車、可再生能源和數據中心電源系統推動高能效創新的安森美半導體，推出了兩款新的碳化硅(SiC) MOSFET。工業級NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽車級NVHL080N120SC1把寬禁帶技術的使能、廣泛性能優勢帶到重要的高增長終端應用...
碳化硅(SiC) MOSFET汽車DC－DC電動汽車車載充電機 2019-03-21

UnitedSiC宣布推出用于低功率AC－DC反激式轉換器的SiC JFET系列

2019年3月19日，美國加州Anaheim應用電源電子會議（APEC），美國新澤西州普林斯頓 --- 碳化硅（SiC）功率半導體制造商UnitedSiC宣布已經推出一系列適用于與具備內置低壓MOSFET的控制器IC共同封裝的SiC JFET晶片，由此可制造出速度極快，基于共源共柵的20～100W反激式產品。這些常導通型SiC JFET的工作電...
SiC JFET晶片低功率AC－DC反激式轉...控制器IC 2019-03-20

意法半導體收購SiC晶圓制造商Norstel 55%股權 SiC成巨頭布局熱點

SiC功率器件大勢所趨，國際巨頭競相布局，全球領先的半導體供應商意法半導體擬通過并購整合進一步擴大SiC產業規模。日前，意法半導體宣布，公司已簽署協議，收購瑞典碳化硅（SiC）晶圓制造商Norstel AB（“Norstel”）55%股權。交易完成后，意法半導體將在全球產能受限的情況下控制部分SiC器件的整個供...
SiC功率器件意法半導體碳化硅（SiC）晶圓 2019-02-13

三菱電機與東京大學達成合作，提出提高SiC功率半導體可靠性的新機制

在美國加利福尼亞州舊金山舉行的IEEE第64屆國際電子設備會議（IEDM 2018）（12月1日至5日）上，三菱電機公司和東京大學提出了提高SiC功率半導體可靠性的新機制。這個新機制是通過確認柵極氧化物和SiC之間的界面下的硫捕獲器件電流路徑中的一些電子傳導，增加閾值電壓而不改變器件的導通電阻而實現的。該...
SiC功率半導體三菱電機 2018-12-07

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