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↓在全部中搜索到 181 條關于“CGD”的信息，用時:0.042 sec.

干貨 MOS管損壞之謎

第一種：雪崩破壞如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達到擊穿電壓V(BR)DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。在介質負載的開關運行斷開時產生的回掃電壓，或者由漏磁電感產生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進入擊穿區(qū)而導致破壞的模式會...
MOS管損壞電涌電壓 2022-08-22

干貨聊聊柵極電阻為什么要取100歐姆？

看到一篇推文，“Why 100Ω? 較真的教授發(fā)現(xiàn)簡單結論背后不簡單的問題”，對MOSFET管柵極為什么放置“一個約100Ω串聯(lián)電阻”進行討論。推文一開始就講到：只要問任何經驗豐富的電氣工程師——如我們今天故事里的教授 Gureux ——在 MOSFET 柵極前要放什么，你很可能會聽到“一個約 100 Ω 的電阻”。雖然我...
柵極電阻MOSFET柵極 2022-08-04

MOS的D和S可以互換，為什么定義DS？

MOSFET和三極管，在ON 狀態(tài)時，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過來的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢？三極管ON狀態(tài)時工作于飽和區(qū)，導通電流Ice主要由Ib與Vce決定，由于三極管的基極驅動電流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能簡單的僅由Vce來決定，即不能采...
mos管三極管 2022-07-26

為什么MOS管柵極串聯(lián)電阻越小越好

只要問任何經驗豐富的電氣工程師——如我們今天故事里的教授 Gureux ——在 MOSFET 柵極前要放什么，你很可能會聽到“一個約 100 Ω 的電阻”。雖然我們對這個問題的答案非常肯定，但你們或許會繼續(xù)問——“為什么呢？他的具體作用是什么呢？電阻值為什么是 100 Ω 呢”年輕教授Neubean懷著好奇心對于通常...
CDC同步器MOSFET器件MOS管柵極 2022-07-05

橋式結構中的柵極－源極間電壓的行為：導通時

本文的關鍵要點：具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。要想正確實施SiC MOSFET柵-源電壓的浪涌對策，需要逐一了解SiC MOSFET電壓的行為。在功率開關器件最常見的應用中，包括與上一篇文章...
功率開關器件浪涌抑制 2022-06-13

SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討

作者：富昌電子 David An校稿：富昌電子 Iven Xiao隨著制備技術的進步，在需求的不斷拉動下，碳化硅（SiC）器件與模塊的成本逐年降低。相關產品的研發(fā)與應用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車，可再生能源及儲能等應用領域的發(fā)展，更是不容小覷。富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的...
SiC設計SiC MOSFET驅動電壓 2022-06-08

通過新拓撲結構和功率器件提高系統(tǒng)效率和功率密度

隨著功率電源技術和信息技術的發(fā)展，用戶對高效率小體積產品的要求越來越高，對電源的性能也相應提出了更為苛刻的規(guī)范要求，電源市場迎來巨大的商機，同時也迎來了巨大的挑戰(zhàn)。本次報告包括以下幾項內容：系統(tǒng)效率和功率密度的重要性，行業(yè)發(fā)展的趨勢以及相應的解決方案，電源設計中面臨的挑戰(zhàn)，需要更...
功率器件拓撲結構 2022-05-30

寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的碳化硅功率MOSFET模型

作者：James Victory現(xiàn)在介紹該模型的幾個元素，如下所示。首先，我們討論關鍵通道區(qū)域。這里我們使用著名的伯克利BSIM 3v3模型。只要有可能，我們就盡力不做重復工作。在本例中，我們嘗試建模一個適合BSIM模型的MOSFET通道。該模型以物理為基礎，通過亞閾值、弱反和強反準確地捕捉轉換過程。此外，它具...
碳化硅功率MOSFET器件 2022-05-19

全面解析開關電源各功能電路

1 開關電源的電路組成開關電源的主要電路是由輸入電磁干擾濾波器（EMI）、整流濾波電路、功率變換電路、PWM控制器電路、輸出整流濾波電路組成。輔助電路有輸入過欠壓保護電路、輸出過欠壓保護電路、輸出過流保護電路、輸出短路保護電路等。開關電源的電路組成方框圖如下： 2 輸入電路的原理及常見電...
開關電源電磁干擾濾波器（EMI） 2022-04-28

如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導通?

該文描述了引起功率MOSFET發(fā)生寄生導通的機制，并進一步指出為了避免寄生導通，在選取MOSFET時應遵循什么準則。功率MOSFET的寄生導通實際上，功率MOSFET發(fā)生寄生導通（不希望發(fā)生的事件）的機率比我們的預計更高，造成的損失也更大。寄生導通通常會損壞MOSFET，且之后很難查出故障的根源。寄生導通機制...
功率MOSFET寄生導通 2022-03-11

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