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三菱電機開始提供XB系列HVIGBT模塊樣品

XB系列HVIGBT模塊（3.3kV/1500A型）三菱電機集團近日（2025年4月8日）宣布，將于5月1日開始供應(yīng)其新型XB系列高壓絕緣柵雙極型晶體管（HVIGBT）模塊的樣品。該模塊是一款3.3kV/1500A的大容量功率半導(dǎo)體，專為軌道交通車輛等大型工業(yè)設(shè)備設(shè)計。通過采用專有的二極管和IGBT元件，以及獨特的芯...
HVIGBT模塊三菱電機 2025-04-10

三菱電機推出兩款新型SBD嵌入式SiC－MOSFET模塊

三菱電機集團近日（2024年6月10日）宣布，從6月10日起開始為包括鐵路和電力系統(tǒng)在內(nèi)的大型工業(yè)設(shè)備提供低電流版本3.3kV/400A和3.3kV/200A肖特基勢壘二極管（SBD）嵌入式SiC-MOSFET模塊。與現(xiàn)有的3.3kV/800A模塊一起，新命名的Unifull™系列包含3款產(chǎn)品，以滿足大型工業(yè)設(shè)備對能夠提高功率輸出和功...
三菱電機SBD嵌入式SiC－MOSFET模塊 2024-06-13

CGD新型ICeGaN GaN功率IC使數(shù)據(jù)中心、逆變器和工業(yè)開關(guān)電源的實現(xiàn)超高效率

采用新型熱阻增強封裝的P2系列表現(xiàn)出超高的電氣性能，支持具有挑戰(zhàn)性的高功率應(yīng)用，堅固可靠無晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日推出采用新穎的芯片和封裝設(shè)計的、超低導(dǎo)通電阻(RDS(on)...
CGDGaN功率IC 2024-06-12

CGD為數(shù)據(jù)中心、逆變器等更多應(yīng)用推出新款低熱阻GaN功率IC封裝

新封裝提供了更高的功率輸出、便于光學(xué)檢查、節(jié)省了系統(tǒng)成本，并提高了可靠性無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日推出兩款新型 ICeGaN™ 產(chǎn)品系列 GaN 功率 IC 封裝，它們具有低熱阻并便于...
CGDGaN 功率 IC 封裝 2024-06-05

Transphorm發(fā)布業(yè)界首款1200伏GaN－on－Sapphire器件的仿真模型

該器件已準(zhǔn)備就緒：為Transphorm的創(chuàng)新常關(guān)型氮化鎵平臺應(yīng)用于新一代汽車和三相電力系統(tǒng)高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始規(guī)格書。TP120H070WS功率管是迄今為止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sap...
Transphorm1200伏GaN－on－Sapph...仿真模型 2023-05-31

英飛凌推出新一代雙通道隔離柵極驅(qū)動器IC，提升SMPS設(shè)計的系統(tǒng)性能

如今，3.3 kW的開關(guān)電源（SMPS）通過采用圖騰柱PFC級中的超結(jié)（SJ硅）功率MOSFET和碳化硅（SiC）功率MOSFET，以及能夠滿足高壓DC-DC功率轉(zhuǎn)換要求的氮化鎵（GaN）功率開關(guān)等最新技術(shù)，使得功率密度可以達到100 W/inch3。PFC和DC-DC的數(shù)字控制與出色的柵極驅(qū)動解決方案一樣，對于提高能效和增強魯棒性至關(guān)...
英飛凌隔離柵極驅(qū)動器ICSMPS設(shè)計 2023-05-15

三菱電機開始提供集成SBD的SiC－MOSFET模塊樣品

三菱電機宣布將于5月31日開始提供一款新型集成SBD*1的SiC*2-MOSFET*3模塊樣品，該半橋模塊額定電壓為3.3kV，絕緣耐壓為6.0kVrms。將有助于為鐵路、電力系統(tǒng)及大型工業(yè)變流系統(tǒng)提供更大功率密度、更高效率和可靠性。該產(chǎn)品正在PCIM Europe 2023（5月9-11日，德國紐倫堡）上展出。 3.3kV 集成SBD SiC-MO...
三菱電機SiC－MOSFET模塊 2023-05-12

英飛凌的 CoolSiC XHP 2 高功率模塊助力推動節(jié)能電氣化列車低碳化

為了實現(xiàn)全球氣候目標(biāo)，交通運輸必須轉(zhuǎn)用更加環(huán)保的車輛，比如節(jié)能的電氣化列車。然而，列車運行有苛刻的運行條件，需要頻繁加速和制動，且要在相當(dāng)長的使用壽命內(nèi)可靠運行。因此，它們需要采用具備高功率密度、高可靠性和高質(zhì)量的節(jié)能牽引應(yīng)用。英飛凌科技股份公司為了滿足上述需求，在其 CoolSiCT...
英飛凌CoolSiC XHP 2高功率模塊低碳化 2023-05-12

國內(nèi)主要電子展介紹

一、ELEXCON高交會電子展　　　　時間/地點：2004年起每年10月舉辦　　　　舉辦者：政府多個部委主辦，創(chuàng)意時代策劃承辦　　　　規(guī)模：15000平米　　　展覽內(nèi)容：半導(dǎo)體、被動元件、生產(chǎn)設(shè)備、電子材料，測試測量及認證等　　　　特點：高交會的影響，多家業(yè)界領(lǐng)先的跨國公司參加，形成了行業(yè)的影響力，...
2011-07-20

--BBS主題帖: 英飛凌推出全新IHM/IHV B系列IGBT功率模塊

英飛凌在紐倫堡舉行的電子功率器件、智能傳送、電源質(zhì)量博覽會（PCIM）上，推出了IHM/IHV B系列的IGBT（絕緣柵雙極晶體管）模塊。運用這個全新的模塊，用戶可設(shè)計出能夠在嚴酷的環(huán)境下正常工作，全面滿足大負荷與溫度循環(huán)要求的高效功率變頻器，如機車、列車和電車的牽引驅(qū)動裝置等。全新模塊擴展了英飛...
2006-06-22

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