电影一区二区三区_亚洲激情二区_亚洲欧洲成人av每日更新_91超碰国产在线

設為首頁網站地圖加入收藏

首頁
新聞
新品
文庫
方案
視頻
下載
商城
開發板
數據中心
在線座談
培訓
工具
博客
論壇
百科
GEC
活動
主題月
萬花筒

應用開發

VR/無人機| 智能照明| 智能家居| 工業自動化| 測試測量| 人工智能| 碳化硅/氮化鎵| 智能電源及能源| 智能可穿戴| 智能手機| 智能醫療及看護| 通信及物聯網| 智能交通及汽車

↓在全部中搜索到 285 條關于“DMOS”的信息，用時:0.037 sec.

通過 SPICE 仿真預測 VDS 開關尖峰

電源行業的主要目標之一是為數據中心和5G等應用中的電源設備帶來更高的電源轉換效率和功率密度。與具有單獨驅動器 IC 的傳統分立 MOSFET 相比，將驅動器電路和功率 MOSFET（稱為 DrMOS）集成到 IC 中可提高功率密度和效率。此外，DrMOS 的倒裝芯片技術通過縮短響應時間和減小芯片與封裝之間的電感，進一...
SPICE 仿真預測VDS 開關 2023-09-27

高性能 SiC MOSFET 技術裝置設計理念

合適的設備概念應允許一定的設計自由度，以便適應各種任務概況的需求，而無需對處理和布局進行重大改變。然而，關鍵性能指標仍然是所選器件概念的低面積比電阻，與其他列出的參數相結合。圖 1 列出了一些被認為必不可少的參數，還可以添加更多參數。圖 1：必須與 SiC MOSFET 的性能指標（左）進...
SiC MOSFET 技術MOSFET 器件 2023-08-09

SiC MOSFET的設計挑戰——如何平衡性能與可靠性

作者：Friedrichs Peter翻譯：趙佳碳化硅（SiC）的性能潛力是毋庸置疑的，但設計者必須掌握一個關鍵的挑戰：確定哪種設計方法能夠在其應用中取得最大的成功。先進的器件設計都會非常關注導通電阻，將其作為特定技術的主要基準參數。然而，工程師們必須在主要性能指標（如電阻和開關損耗），與實際應用需...
SiC MOSFET碳化硅英飛凌 2023-04-12

在您的汽車音頻子系統中充分利用 D 類放大器

隨著汽車娛樂和信息娛樂系統增加更多功能和子系統，主機和中繼單元的音頻功率預算被推到了極限。汽車音頻設計人員正在尋找一種高性能、高性價比的解決方案。對于許多人來說，明智地使用超高效 D 類放大器正在成為選擇。特別是，多聲道和多揚聲器系統在高端汽車中越來越普遍。汽車工程師面臨的設計挑戰是...
汽車音頻子系統 2023-04-03

集成無源元件的電源管理集成電路

自TechInsights于2021年底推出電源管理集成電路（PMIC）工藝分析頻道以來，已分析了多種器件。內容囊括高壓柵極驅動器和汽車級電源轉換IC，乃至移動電源管理集成電路。據觀察，越來越多的制造商嘗試以共同封裝配置或與硅IC本身“全集成”的方式將無源元件集成至電源管理集成電路產品。與所有電力電子產...
電源管理集成電路集成無源元件“集成穩壓器” 2023-02-08

你還在使用傳統架構的DC－DC轉換器嗎？

如今，我們正處于一個被無處不在的數據及高耗電應用所驅動的信息計算世界中，使得電源管理成為了不同系統、網絡和軟件所面臨多方面挑戰中的不可忽視的一環。智能設備、邊緣計算和云處理都對高效的電力傳輸有特別的要求，在提高產品性價比和降低功耗的目標下，實現低延遲和高處理能力。為了滿足這些需求...
DC－DC轉換器PMIC 2022-08-03

1000 V 輸出、No－Opto、隔離型反激式轉換器

隔離型反激式轉換器廣泛用于汽車、工業、醫療和電信領域，在此類應用中電源必須具有可靠、易用、高電壓和隔離的特性，隔離型反激式轉換器必須隨著負載、電壓和溫度的變化提供卓越的穩壓性能。LT8304-1 是一款隔離型、非光反激式轉換器，其專為高輸出電壓應用而優化，可提供高達 1000 V 的輸出。傳統上，...
隔離型反激式轉換器光耦合器 2022-07-04

如何正確理解SiC MOSFET的靜態和動態特性

作者: Peter 翻譯: 趙佳CoolSiC™ MOSFET集高性能、堅固性和易用性于一身。由于開關損耗低，它們的效率很高，因此可以實現高功率密度。但盡管如此，工程師需要了解器件的靜態和動態性能以及關鍵影響參數，以實現他們的設計目標。在下面的文章中，我們將為您提供更多關于這方面的見解。溫度對...
SiC MOSFETIGBT 2022-06-29

反激式控制器能做到多“簡潔”？

傳統的隔離型反激式轉換器的架構中，轉換器的功率等級通常可達60W左右，通過調整變壓器的匝數比，借助原邊開關和可以將電源電壓轉換為輸出電壓。有關輸出電壓的信息會通過反饋路徑傳輸到原邊的PWM發生器，以使該輸出電壓盡可能保持穩定。如果輸出電壓太高或太低，則將調整PWM發生器的占空比。圖1. 傳...
反激式控制器PWM發生器光耦合器 2022-06-16

基于PN結隔離(JI)技術的驅動芯片簡介及設計指導

引言自從1989年國際整流器公司(IR)率先推出首款單片式高壓驅動產品以來，高壓集成電路(HVIC)技術就開始利用獲得專利的單片式結構，集成雙極器件、CMOS及橫向DMOS器件，設計出了擊穿電壓分別高于700V和1400V的產品；這些高壓驅動芯片可以工作在600V和1200V偏置電壓下。2016年英飛凌完全收購IR后，英飛凌...
PN結隔離(JI)技術驅動芯片 2022-04-11

1... 上一頁 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 下一頁 29

關鍵字搜索分類查看

新聞(26)

新品(78)

技術文章(33)

解決方案(34)

論壇帖子(68)

博客日志(41)

主站蜘蛛池模板：莒南县| 汕头市| 高邮市| 黑山县| 建宁县| 黄梅县| 绥德县| 海盐县| 同仁县| 宜兴市| 邓州市| 五莲县| 霍山县| 桐城市| 双鸭山市| 光山县| 肥西县| 永胜县| 楚雄市| 山阳县| 古交市| 西昌市| 新蔡县| 澄迈县| 武城县| 越西县| 曲松县| 平乐县| 安义县| 丰镇市| 额济纳旗| 河东区| 太仓市| 丹寨县| 安平县| 许昌县| 南澳县| 滨州市| 民和| 沿河| 满城县|