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↓在全部中搜索到 3767 條關于“Nand”的信息，用時:0.038 sec.

TOSHIBA 3位/單元32nm和4位/單元43nm NAND閃存技術突破性進展

近日，Toshiba公司宣布在NAND閃存的“多位/單元”技術領域取得突破性進展，將使下一代器件的芯片密度更高，成本更低。在32納米技術時代，Toshiba已經以業界最小晶片尺寸實現了3位/單元的32 Gb芯片，體積小于目前市場常見的采用43nm技術的2位/單元16Gb芯片。這款前沿的芯片將于2009下半年開始量產。該公...
3位/單元32nm4位/單元43nmNAND閃存技術toshiba 2009-02-16

SANDISK開發出先進的32納米NAND閃存技術

SanDisk和東芝宣布，兩公司使用32納米（nm）處理技術生產出32GB 3 bits/單元（3-bits-per-cell） (X3)存儲芯片，共同開發出多層式芯片(MLC) NAND 快閃存儲器。該項突破預期將很快為從存儲卡到固態硬盤（SSD）等市場帶來能夠提高產品容量、降低制造成本的先進技術。 32納米 X3 技術—micro...
32納米NAND閃存技術SanDisk 2009-02-12

NUMONYX針對無線通信/嵌入式系統等市場推出新系列NAND閃存

恒憶公司（Numonyx）針對無線通信、嵌入式設計和數據存儲市場推出新系列NAND閃存產品。新系列產品包括32Gb（gigabits）的多級單元 (MLC) NAND閃存、32GB（gigabytes）的eMMC存儲芯片和高達8 GB的 microSD產品，全部采用先進的41nm制造工藝。對于手機、便攜導航儀等消費電子產品廠商，這些新產品將是一系...
NAND閃存NUMONYX嵌入式系統無線通信 2008-12-19

美光面向嵌入式應用推出串行NAND閃存

美光科技推出了一項串行NAND閃存技術，使嵌入式應用產品能夠靈活方便地升級存儲容量。美光串行NAND閃存的最低芯片密度為1Gb，這樣一來，客戶就能夠輕松地在串行NOR閃存現有存儲能力之外，以高性價比擴展存儲容量；此外，美光的這款閃存還具有顯著的每數據位成本（cost-per-bit）優勢。隨著嵌入式系統...
串行NAND閃嵌入式應用美光 2008-12-11

Spansion公布基于最小NAND裸片尺寸的NAND閃存計劃

Spansion布了即將推出的MirrorBit? ORNAND2產品系列的生產計劃，該系列產品的寫入速度可提高25%，讀取速度最高可提升一倍，其裸片尺寸也比目前的浮動門NAND閃存顯著減小。Spansion計劃通過MirrorBit ORNAND2系列產品進一步提高產品線的多樣化，以滿足更為廣泛的高附加值無線和嵌入式市場的需求。首批產...
最小NAND裸片尺寸NAND閃存計劃高附加值嵌入式閃存應用 2008-09-25

東芝推出最大容量為32GB的嵌入式NAND閃存模塊

東芝日前宣布推出多款最大容量為32GB的嵌入式NAND閃存模塊，并宣布這些產品完全符合e-MMC和eSD標準。這些嵌入式產品用于移動數碼消費產品，包括手機和數碼相機。樣品將于2008年9月出廠，從第四季度開始量產。該款32GB嵌入式新產品采用東芝先進的43nm制程技術，收納了8枚32Gbit（=4GB）的NAND芯片和一個...
32GBe-MMCESD嵌入式NAND閃存模塊 2008-09-05

TDK推出GBDriver RA8系列NAND閃存控制器LSI

TDK 公司開發出 GBDriver RA8 系列 NAND 閃存控制器 LSI，該產品計劃于九月份開始銷售。 GBDriver RA8 系列是用于 U.DMA6 的高速 NAND 控制器 IC，與 2 K 字節/頁和 4 K 字節/頁的 NAND 閃存兼容。該控制器支持單級單元 (SLC) 和多級單元 (MLC) NAND 閃存，實現了從 128 M 字節到 16 G 字節 (SLC) 和 2...
GBDriver RA8系列lsiNAND閃存控制器 2008-08-12

TDK發布GBDriver RS1系列NAND閃存控制器LSI電路

TDK公司發布GBDriver RS1系列NAND閃存控制器LSI電路。新的GBDriver RS1兼容1.5 Gbps SATA I，并且在當作NAND閃存控制器IC使用時，可以控制最新的4 K字節/頁的SLC（單級單元）和MLC（多級單元）NAND閃存。 NAND閃存在降價的同時容量不斷增大，因此，用閃存代替硬盤驅動器（HDD）的情況越來越多。TDK曾開...
LSI電路NAND閃存控制器 2008-02-14

東芝推出首個對應多值NAND的128Gb SSD產品

東芝(Toshiba)宣布即將推出搭載首個對應多值技術的大容量NAND閃存(多值NAND)的128Gb的SSD(Solid State Drive：固態硬盤)產品，主要用于計算機。計劃2008年第一季度出貨，并同時開始量產。在此之前，東芝將于明年1月7日-10日在美國拉斯維加斯召開的世界最大規模的家電展中亮相該新產品。目前的SSD，采...
128Gb SSDNAND 2007-12-11

SAMSUNG推出首個30nm級64Gb NAND Flash

SAMSUNG推出首個30nm級64Gb NAND Flash 三星電子有限公司（Samsung Electronics Co., Ltd）日前宣布，已經開發出世界上第一個使用30nm級的處理技術的64Gb多級單元（MLC）NAND閃存芯片。由于計算和數字應用中閃存成為主要存儲媒介，因此,對閃存的需求快速增長，而這一閃存芯片的出現，成為向更高密度...
64GBNAND Flash 2007-10-29

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