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應(yīng)用開(kāi)發(fā)

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為什么 GaN 對(duì)5G 基礎(chǔ)設(shè)施至關(guān)重要？

作者：英飛凌科技高級(jí)首席應(yīng)用工程師Giuseppe Bernacchia，英飛凌科技應(yīng)用工程總監(jiān)Moshe Domb 在全世界都在對(duì) 5G 的技術(shù)進(jìn)步感到無(wú)比興奮的同時(shí)，設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在正忙于如何為基站提供電力供應(yīng)而努力。5G 未來(lái)成功的核心是其能否實(shí)現(xiàn)三大期望目標(biāo)：巨大的數(shù)據(jù)吞吐量、超低延...
GaN5G 基礎(chǔ)設(shè)施5G 射頻收發(fā)器 2022-01-04

日本開(kāi)發(fā)出GaN和SiC混合晶體管

禁帶寬度是半導(dǎo)體的一個(gè)重要特性參數(shù)，根據(jù)半導(dǎo)體材料的能帶結(jié)構(gòu)不同，可將半導(dǎo)體材料分成兩種類(lèi)型：寬禁帶和窄禁帶。若半導(dǎo)體材料的帶隙寬度小于2.3eV，則稱(chēng)為窄帶隙半導(dǎo)體，代表性材料有GaAs、Si、Ge 和InP ；若半導(dǎo)體材料的帶隙寬度大于或等于2.3eV，則稱(chēng)為寬帶隙半導(dǎo)體，代表性材料有GaN、SiC、AlN...
寬禁帶半導(dǎo)體材料GaNSiC混合晶體管 2021-12-23

如何為應(yīng)用的實(shí)用性測(cè)試GaN的可靠性

作者：Sandeep Bahl最近，一位客戶(hù)問(wèn)我關(guān)于氮化鎵（GaN）可靠性的問(wèn)題：“JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)）似乎沒(méi)把應(yīng)用條件納入到開(kāi)關(guān)電源的范疇。我們將在最終產(chǎn)品里使用的任何GaN器件都應(yīng)通過(guò)這樣的測(cè)試。依我看，JEDEC制定的標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)該涵蓋這類(lèi)測(cè)試。您說(shuō)呢？”客戶(hù)的質(zhì)疑是對(duì)的。為使GaN被廣泛使用，...
開(kāi)關(guān)電源測(cè)試GaNGaN晶體管 2021-12-02

GaN 和 SiC 器件相似和差異

幾十年來(lái)，硅一直主導(dǎo)著晶體管世界，但這種情況正在逐漸發(fā)生變化。已經(jīng)開(kāi)發(fā)出由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體，并具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和卓越的特性。例如，化合物半導(dǎo)體為我們提供了 LED：一種是由砷化鎵 (GaAs) 和砷化鎵和磷 (GaAsP) 的混合物組成；其他人使用銦和磷。雖然化合物半導(dǎo)體更難制造且...
GaNSiC 器件 2021-11-25

盤(pán)點(diǎn)GaN與SiC在汽車(chē)中的成功應(yīng)用

在過(guò)去的幾十年中，SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）技術(shù)都呈現(xiàn)快速發(fā)展，并且正在被各行業(yè)所接受，有著廣闊的市場(chǎng)前景。第一個(gè)商用 SiC 器件是德國(guó)英飛凌公司2001年推出的肖特基二極管。預(yù)計(jì)到2026 年，工業(yè)市場(chǎng)相關(guān)需求有望超過(guò) 40 億美元。GaN 則是相對(duì)較新，2010 年首次亮相，當(dāng)時(shí)美國(guó) EPC 推出了其超...
GaNSiC車(chē)載充電器 2021-11-19

增強(qiáng)型器件優(yōu)于雙芯片式常關(guān)型GaN FET嗎？

加賀富儀艾電子旗下代理品牌Transphorm是一家致力于設(shè)計(jì)、制造和銷(xiāo)售用于高壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的高性能、高可靠性的氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體功率器件的公司。寬泛的產(chǎn)品使用范圍，使得Transphorm積累了不少使用者的提問(wèn)及反饋，這里我們就分享一個(gè)“關(guān)于增強(qiáng)型器件和雙芯片式常關(guān)型GaN FET”的問(wèn)題，供大家在產(chǎn)...
GaN FETGaN器件 2021-11-08

GaN HEMT推動(dòng)電機(jī)變革

作者：Steven Keeping對(duì)緊湊但功能強(qiáng)大的電機(jī)的需求為設(shè)計(jì)工程師帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)。為了盡可能提高小型電機(jī)的功率輸出，工程師們開(kāi)始轉(zhuǎn)向高壓和高頻工作。硅 (Si) 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 和集成柵極雙極晶體管 (IGBT) — 它們都是傳統(tǒng)開(kāi)關(guān)模式逆變器（現(xiàn)代電機(jī)控制的重要組成部分）的基礎(chǔ)...
GaN HEMT高頻電機(jī)驅(qū)動(dòng) 2021-09-26

基于GaN芯片的電源轉(zhuǎn)換方案設(shè)計(jì)

作者：Alex Lidow，Michael de Rooij，Andreas Reiter氮化鎵（GaN）功率器件已投入生產(chǎn)10多年，除了性能和成本方面的改進(jìn)外，GaN技術(shù)具有將多個(gè)器件集成在同一襯底上的本征特性，這將極有可能給電源轉(zhuǎn)換市場(chǎng)帶有巨大影響。這種能力將使單片電源系統(tǒng)能夠以更簡(jiǎn)單，更高效，更具成本效益的方式在單個(gè)芯片...
gan芯片電源轉(zhuǎn)換 2021-08-16

對(duì) GaN 認(rèn)識(shí)的幾大誤解

作者：Roger Hall高功率密度、高效率和更寬的頻率支持使基于 GaN 的解決方案成為適合許多射頻應(yīng)用的優(yōu)良選擇。嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員都知道，每一種材料都必須權(quán)衡利弊。在探討最佳設(shè)計(jì)實(shí)踐之前，有必要澄清關(guān)于 GaN 的一些常見(jiàn)誤解。我們知道，6GHz 以下 5G 基站的功率需求正在推動(dòng) LDMOS 放大器向基于 G...
GaN 2021-07-26

基于GaN的4000W圖騰柱無(wú)橋PFC實(shí)現(xiàn)高效率服務(wù)器電源

日前，德州儀器在TI新基建半導(dǎo)體技術(shù)論壇上介紹了公司最新的基于GaN的4000W圖騰柱無(wú)橋PFC參考設(shè)計(jì)。隨著電源行業(yè)的演進(jìn)，80 PLUS標(biāo)準(zhǔn)越來(lái)越嚴(yán)苛。80 PLUS計(jì)劃最初是由美國(guó)能源署出臺(tái)， Ecos Consulting 負(fù)責(zé)執(zhí)行的一項(xiàng)全國(guó)性節(jié)能現(xiàn)金獎(jiǎng)勵(lì)方案。起初為降低能耗，鼓勵(lì)系統(tǒng)商在生產(chǎn)臺(tái)式機(jī)或服務(wù)器時(shí)選配使...
GaN服務(wù)器電源 2021-06-28

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