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↓在全部中搜索到 148 條關于“RDIMM”的信息，用時:0.029 sec.

SBSRAM

SBSRAM ( Synchronous Burst Static Random Access Memory) 是一種同步突發式靜態RAM, 在結構上分為flow through和pipeline兩種類型, 其優點在于讀寫速度高, 而且是靜態RAM, 不需要刷新。同時采用SBSRAM可以減少器件所占用的板上面積。SBSRAM采用CMOS技術并提供節電模式, 以降低功耗。 DSP中SBSRAM和S...
2011-11-14

凌華科技發布雙四核雙AMC插槽的ATCA刀片服務器

凌華科技發布其最新ATCA工業計算機新品aTCA-6900，可應用于新時代無線基礎架構、媒體服務器、媒體網絡和軟件交換設備等，作為 IP多媒體子系統 (IMS, IP Multimedia Subsystem)、網絡電視(IPTV, Internet Protocol Television)與全球互通微波存取(WiMax, Worldwide Interoperability for Microwave Acce...
ATCA刀片服務器雙AMC插槽雙四核 2008-09-26

凌華科技推出服務器等級AdvancedMC處理器模塊

凌華科技推出單槽寬、中型尺寸的AdvancedMC處理器模塊AMC-1000。此高集成度的CPU卡，采用具備雙核64位低功耗處理器與英特爾服務器等級3100芯片組，為使用者在功耗、運算能力與I/O帶寬上帶來更高的效益。支持熱插拔，前出線。更大的PCB面積，更大的電源功耗。凌華AMC-1000具有2 Gigabit以太網口，PCI-...
AdvancedMC處理器模塊AdvancedTCAMicroTCA服務器 2008-06-25

GE Fanuc智能設備發布WANic 5434包處理器板

GE Fanuc智能設備近日發布了WANic 5434 包處理器板，再次表明GE Fanuc在通訊應用領域尖端技術研發方面的領導地位。這是本公司第一款帶PCI Express的包處理器板，四通道的PCI Express總線為與主機通訊提供了高速連接，WANic 5434 功能強大然而卻有非常好的散熱特性。該產品采用的是高性能的 500MHz Cav...
OCTEON Plus處理器PCI Express解決方案WANic 5434包處理器板 2008-06-13

TI推出 DDR3 寄存器的量產版本SN74SSQE32882

TI推出針對寄存式雙列直插式存儲器模塊 (RDIMM)的鎖相環 (PLL) 集成式 DDR3 寄存器的量產版本。該器件在廣泛的電壓與溫度范圍內實現了恒定的時鐘與輸出延遲，從而實現了較高的系統穩定性。單芯片四排模塊支持不僅能夠節省總體板級空間，而且還降低了功耗，從而能夠滿足服務器、工作站與存儲設備的要求。...
DDR3 寄存器SN74SSQE32882量產版本 2008-04-29

TI推出25位可配置寄存緩沖器SN74SSTUB32864

TI推出的25位1:1 或14位1:2可配置寄存緩沖器適用于1.7V至1.9V的VCC工作環境。就1:1引腳配置而言，每個DIMM 僅需一個器件驅動9個SDRAM負載。就1:2引腳配置而言，每個DIMM需要兩個器件驅動18個SDRAM負載。除復位 (RESET) 與控制 (Cn) 輸入為LVCMOS，所有其它輸入均為SSTL_18。所有輸出均針對邊緣控制電路...
SN74SSTUB32864可配置寄存緩沖器 2007-01-08

Elpida DTV/STB/筆記本PC 1Gb DDR2 SDRAM

3月7日訊，Elpida Memory 發布第二代1Gb DDR2 SDRAM及基于此器件的六個存儲器模塊。新器件采用Elpida先進的90nm加工技術制造，擴充了目前正大批量生產的Elpida DDR2器件系列產品。x16器件為數字消費類應用提供了更寬的數據通路，FBGA封裝實現了更薄的存儲器模塊設計。基于新器件的雙列直插存儲器模塊(D...
DTVSTBDDR2SDRAM筆記本PC 2006-03-09

MT47H512M4HG:2Gb DDR2 DRAM

7月18日訊,Micron公司推出2Gb雙數據速率(DDR2)存儲器元件MT47H512M4HG.這種2Gb元件設計用來組成8GB大容量存儲器模塊,以比現有元件更小的空間和功耗為每個服務器提供更多的存儲器容量. MT47H512M4HG 2Gb DDR2元件樣品為用戶提供了先進存儲器解決方案.以前,Micron公司曾推出用于所有主要x86服務器平臺的...
存儲器 DDR2 DRAM 2005-08-03

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