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↓在全部中搜索到 2501 條關于“SiC”的信息，用時:0.037 sec.

第6講：SiC單晶生長技術

高質量低缺陷的SiC晶體是制備SiC功率半導體器件的關鍵，目前比較主流的生長方法有PVT法、液相法以及高溫CVD法等，本文帶你了解以上三種SiC晶體生長方法及其優缺點。在常壓下，不存在Si:C化學計量比等于1:1的液相SiC。因此，通常用于硅晶體生長的以融液作為原料的方法不能用于SiC塊狀晶體生長，而是采用...
SiC單晶三菱電機SiC功率半導體器件 2024-09-20

第5講：SiC的晶體缺陷

SiC晶體中存在各種缺陷，對SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類缺陷的構成和生長機制非常重要。本文帶你了解SiC的晶體缺陷及其如何影響SiC器件特性。在SiC晶體中存在各種缺陷，其中一些會影響器件的特性。SiC缺陷的主要類型包括微管、晶界、多型夾雜物、碳夾雜物等大型缺陷、以及堆垛層錯（SF）、以...
SiC晶體三菱電機 2024-09-09

第4講：SiC的物理特性

與Si材料相比，SiC半導體材料在物理特性上優勢明顯，比如擊穿電場強度高、耐高溫、熱傳導性好等，使其適合于制造高耐壓、低損耗功率器件。本篇章帶你詳細了解SiC材料的物理特性。SiC作為半導體功率器件材料，具有許多優異的特性。4H-SiC與Si、GaN的物理特性對比見表1。與Si相比，4H-SiC擁有10倍的擊穿電...
SiC物理特性 2024-08-30

如何“榨干”SiC器件潛能？這幾種封裝技術提供了參考范例

隨著全球對可再生能源和清潔電力系統的需求不斷增長，光儲充一體化市場為實現能源的高效利用和優化配置提供了創新解決方案。在此趨勢引領下，碳化硅（SiC）產業生態正迅速發展，逐漸成為替代傳統硅基功率器件的有力市場競爭者。本文將聚焦于SiC材料的卓越屬性，探討安森美（onsemi）系列先進的封裝技術...
SiC封裝技術安森美碳化硅 2024-08-29

第3講：SiC的晶體結構

SiC是由硅（Si）和碳（C）按1:1的化學計量比組成的晶體，因其內部結構堆積順序的不同，形成不同的SiC多型體，本篇章帶你了解SiC的晶體結構及其可能存在的晶體缺陷。半導體SiC是由硅（Si）和碳（C）按1:1的化學計量比組成的晶體，屬于化合物半導體的一種。硅和碳都是IV族元素，每個原子都有4個共價鍵，硅...
SiC三菱電機 2024-08-22

從Si到SiC，我們該如何絲滑升級？

在功率電子領域，一場技術變革正在發生：在越來越多的應用中，GaN和SiC等第三代寬禁帶半導體器件正在逐步替代傳統的硅（Si）基器件，扮演越來越重要的角色。在需要較高電壓和功率的電動車、白色家電、通信基礎設施、可再生能源、數據中心等領域，SiC更是表現出強勁的實力。SiC器件的性能優勢從下圖可以...
SISiC器件貿澤電子 2024-08-16

第2講：三菱電機SiC器件發展史

三菱電機從事SiC器件開發和應用研究已有近30年的歷史，從基礎研究、應用研究到批量商業化，從2英寸、4英寸晶圓到6英寸晶圓，三菱電機一直致力于開發和應用高性能、高可靠性且高性價比的SiC器件，本篇章帶你了解三菱電機SiC器件發展史。三菱電機從上世紀90年代已經開始啟動SiC相關的研發工作。最初階段，...
三菱電機SiC器件 2024-07-29

革新ZVS軟開關技術，Qorvo SiC FET解鎖高效率應用潛能

從石器時代到信息時代，人類對高效率的追求從未停止。如今，隨著人工智能、電動汽車和可再生能源系統等前沿科技的蓬勃發展，電力電子設備面臨的挑戰與日俱增。開關損耗一直是影響電力電子設備性能的關鍵因素之一，也成了人們對高效率追求路上的攔路虎。面對這一挑戰，盡管電力電子工程師們早就掌握了理...
ZVS軟開關技術QorvoSiC FET 2024-07-26

一文了解SiC MOS的應用

作為第三代半導體產業發展的重要基礎材料，碳化硅MOSFET具有更高的開關頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統電力轉換效率，并且降低對熱循環的散熱要求。在電力電子系統中，應用碳化硅MOSFET器件替代傳統硅IGBT器件，可以實現更低的開關和導通損耗，同時具有更高...
SiC MOS碳化硅MOSFET世輝基本半導體 2024-06-19

電驅逆變器SiC功率模塊芯片級熱分析

作者✦ Michele Aparo, Power Transistors sub Group, Application lab, STMicroelectronics, Catania, Italy michele.aparo01@st.com✦ Vittorio Giuffrida, Power Transistors sub Group , Application lab, STMicroelectronics, Catania, Italy, vittorio-mo...
電驅逆變器SiC電動汽車碳化硅 2024-06-13

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