电影一区二区三区_亚洲激情二区_亚洲欧洲成人av每日更新_91超碰国产在线

<source id="g2424"><strong id="g2424"></strong></source>

<source id="g2424"></source>

<code id="g2424"><cite id="g2424"></cite></code>

<dl id="g2424"></dl>

<button id="g2424"></button>

設為首頁網站地圖加入收藏

首頁
新聞
新品
文庫
方案
視頻
下載
商城
開發板
數據中心
在線座談
培訓
工具
博客
論壇
百科
GEC
活動
主題月
萬花筒

應用開發

VR/無人機| 智能照明| 智能家居| 工業自動化| 測試測量| 人工智能| 碳化硅/氮化鎵| 智能電源及能源| 智能可穿戴| 智能手機| 智能醫療及看護| 通信及物聯網| 智能交通及汽車

↓在全部中搜索到 160 條關于“CoolSiC”的信息，用時:0.041 sec.

英飛凌推出CoolSiC 肖特基二極管2000 V，直流母線電壓最高可達1500 VDC，效率更高，設計更簡單

如今，許多工業應用可以通過提高直流母線電壓，在力求功率損耗最低的同時，向更高的功率水平過渡。為滿足這一需求，全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出CoolSiC™肖特基二極管2000 V G5，這是市面上首款擊穿電壓達到2000 V的分立碳...
英飛凌CoolSiC 肖特基二極管2000 V 2024-10-24

貿澤開售適合能量轉換應用的新型英飛凌CoolSiC G2 MOSFET

貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開售英飛凌公司的CoolSiC™ G2 MOSFET。CoolSiC™ G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET溝槽技術，開啟了電力系統和能量轉換的新篇章，適用于光伏逆變器、能量儲存系統、電動汽車充電、電源和電機驅動應用。貿澤供貨的英飛凌CoolSiC™ ...
貿澤英飛凌CoolSiC G2 MOSFET 2024-07-24

英飛凌推出CoolSiC MOSFET 400 V，重新定義AI服務器電源的功率密度和效率

隨著人工智能（AI）處理器對功率的要求日益提高，服務器電源（PSU）必須在不超出服務器機架規定尺寸的情況下提供更高的功率，這主要是因為高級GPU的能源需求激增。到本十年末，每顆高級GPU芯片的能耗可能達到2千瓦或以上。這些需求以及更高要求的應用和相關特定客戶需求的出現，促使英飛凌科技股份公司...
英飛凌CoolSiC MOSFET 400 VAI服務器電源 2024-06-25

英飛凌推出TOLT和Thin－TOLL封裝的新型工業CoolSiC MOSFET 650 V G2，提高系統功率密度

在技術進步和低碳化日益受到重視的推動下，電子行業正在向結構更緊湊、功能更強大的系統轉變。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX：IFNNY）推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封裝正在積極支持并加速這一趨勢。這些產品能夠更大程度地利用PCB主板和子卡，同時兼顧系統的散熱要求和空間限制。目前，英飛凌...
英飛凌Thin－TOLL封裝CoolSiC MOSFET 650 V... 2024-06-13

英飛凌全新CoolSiC MOSFET 750 V G1產品系列推動汽車和工業解決方案的發展

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出750V G1分立式CoolSiC™ MOSFET，以滿足工業和汽車功率應用對更高能效和功率密度日益增長的需求。該產品系列包含工業級和車規級SiC MOSFET，針對圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋（DAB）、HERIC、降壓/升壓和移相全橋（PS...
英飛凌CoolSiC MOSFET 750 V... 2024-03-18

英飛凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000 V，在不影響系統可靠性的情況下提供更高功率密度

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V。這款產品不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求，也不會降低系統可靠性。CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母線電壓，可在不...
英飛凌CoolSiC MOSFET 2000 ...碳化硅分立器件 2024-03-13

英飛凌推出全新62 mm封裝CoolSiC產品組合，助力實現更高效率和功率密度

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模塊系列新添全新工業標準封裝產品。其采用成熟的62 mm 器件半橋拓撲設計并基于新推出的增強型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技術。該封裝使SiC能夠應用于250 kW以上的中等功率等級應用，而傳統IGBT硅技術在這...
英飛凌62 mm封裝CoolSiC產品... 2023-11-29

采用TO263－7封裝的新一代1200 V CoolSiC 溝槽式MOSFET推動電動出行的發展

英飛凌推出采用TO263-7封裝的新一代車規級1200 V CoolSiC™ MOSFET。這款新一代車規級碳化硅（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能夠實現雙向充電功能，并顯著降低了車載充電（OBC）和DC-DC應用的系統成本。相比第一代產品，1200 V CoolSiC系列的開關損耗降低了25%，具有同類最佳的開關性能。...
英飛凌1200 V CoolSiC 溝槽式...碳化硅（SiC）MOSFET 2023-07-03

英飛凌的 CoolSiC XHP 2 高功率模塊助力推動節能電氣化列車低碳化

為了實現全球氣候目標，交通運輸必須轉用更加環保的車輛，比如節能的電氣化列車。然而，列車運行有苛刻的運行條件，需要頻繁加速和制動，且要在相當長的使用壽命內可靠運行。因此，它們需要采用具備高功率密度、高可靠性和高質量的節能牽引應用。英飛凌科技股份公司為了滿足上述需求，在其 CoolSiCT...
英飛凌CoolSiC XHP 2高功率模塊低碳化 2023-05-12

英飛凌CoolSiC器件為臺達雙向逆變器提供助力，讓電動汽車化身家庭應急備用電源

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的CoolSiC產品被總部位于臺灣的全球領先的電源管理及散熱解決方案提供商臺達電子選用，使得臺達電子向著利用綠色電力實現能源轉型和碳中和的目標邁出了一大步。臺達成功開發出了雙向逆變器，即一個由太陽能發電、儲能和電動汽車（EV）充電組成的...
英飛凌CoolSiC逆變器 2022-08-02

上一頁 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 下一頁 16

關鍵字搜索分類查看

新品(32)

技術文章(74)

解決方案(12)

博客日志(2)

主站蜘蛛池模板：格尔木市| 旌德县| 合水县| 普兰县| 绩溪县| 鸡东县| 桓仁| 日土县| 崇文区| 新巴尔虎右旗| 如东县| 泗洪县| 项城市| 盘山县| 河北区| 米林县| 武功县| 白朗县| 峨山| 荥阳市| 兴和县| 河北区| 潞城市| 竹北市| 呼玛县| 武乡县| 任丘市| 仙桃市| 明溪县| 偏关县| 长治县| 巴青县| 惠州市| 博客| 通江县| 南木林县| 绥芬河市| 台江县| 综艺| 德庆县| 射洪县|

<li id="qc4ca"><tbody id="qc4ca"></tbody></li>

<li id="qc4ca"></li>

<nav id="qc4ca"><acronym id="qc4ca"></acronym></nav>

<nav id="qc4ca"><tr id="qc4ca"></tr></nav>

<li id="qc4ca"><source id="qc4ca"></source></li>

<rt id="qc4ca"><delect id="qc4ca"></delect></rt>