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↓在全部中搜索到 402 條關于“DDR5”的信息，用時:0.043 sec.

通過DDR5為數據中心帶來先進的服務器性能

作者：John Eble，Rambus產品營銷副總裁隨著服務器和個人電腦制造商相繼發布支持DDR5內存的產品，越來越多的系統正在轉向新一代內存模塊，2022年也成為了DDR5的啟用年。特別是在數據中心，處理器內核數量的增加所帶動的內存帶寬和容量需求正在推動DDR5內存的普及。與DDR4相比，DDR5的主要變化包括...
DDR5數據中心服務器 2022-11-01

DDR5內存滿足未來內容創作、發布和消費的更高要求

在過去的十年時間里，隨著程序與應用、數據集與復雜代碼，以及3D模型渲染、8K視頻編輯和高幀速率游戲等領域的空前發展，DDR4技術已不堪重負，難以跟上行業發展步伐。隨著CPU內核數量的不斷增加，為了應對這些海量需求，內存技術也需要進一步擴展。下一代系統中的DDR5內存是實現當前所需性能的最佳解決方...
DDR5內存 2022-09-27

消息稱 DDR5 芯片滲透率將在 2023 年大幅上升，今年底價格逼近 DDR4

據 DIGITIMES 報道，內存模塊制造商稱，三星電子、SK 海力士和美光科技均已擴大其 DDR5 芯片產量，旨在加速行業從 DDR4 向 DDR5 DRAM 的過渡。消息人士稱，DDR5 內存的供應一直緊張，但最近趨于穩定，并補充說供應商已開始提高其 DDR5 芯片產量。不過，消息人士指出，DDR5 內存在游戲和工...
DDR5 芯片DDR4 2022-06-08

瀾起科技：預計 DDR5 后續可能還會有 1~2 個子代

6 月 6 日，瀾起科技披露近期投資者調研報告。對于 DDR5 相關產品的滲透率，瀾起科技表示，2021 年第四季度，DDR5 內存接口芯片及內存模組配套芯片已正式量產出貨，并在 2022 年第一季度持續出貨。關于 DDR5 相關產品的滲透率，分服務器端和桌面端兩個維度來看： · ...
瀾起科技DDR5 2022-06-06

最新爆料：長鑫今年投產 17nm 工藝的 DDR5 內存芯片

為了避免未來被國外“掐脖子”，國內內存芯片廠商也一直在突破自身瓶頸，推動相關技術的綜合升級。最新消息爆料，合肥長鑫今年要投產 17nm 工藝的 DDR5 內存芯片。根據相關資料消息顯示，合肥長鑫已經通過 2020 年、2021 年兩年的努力，分別實現了 4.5 萬片晶圓 / 月、6 萬片晶圓 / 月的目標，2022...
長鑫DDR5內存芯片 2022-02-21

美光確認：DDR5 內存 PMIC、VRM 電源芯片雙雙短缺

盡管目前 DDR5 內存已經上市，但是其相對于 DDR4 內存條的價格依舊偏高，16GB 4800MHz 售價高達千元以上。根據外媒 Tom's Hardware 消息，存儲大廠美光（Micron）證實，當前 DDR5 內存供不應求，其中與電源相關的 PMIC、VRM 芯片雙雙短缺，影響到了產能。美光預計這些芯片短缺將在 2022 年逐步緩和...
美光DDR5 內存PMICVRM電源芯片 2021-12-22

DDR5 內存缺貨原因曝光：電源管理芯片 PMIC 緊缺

隨著英特爾 Z690 主板和 12 代酷睿 K 系列處理器的上市，各家內存廠商也相繼發布了 DDR5 內存，主要型號有 DDR5-4800 標準內存條和和 DDR5-5200、DDR5-5600 等超頻內存條。目前，市場上的 DDR5 內存條出現了缺貨現象，博板堂的消息稱缺貨的主要原因是 DDR5 內存搭載的電源管理芯片 PMIC 目前供應非常...
DDR5內存缺貨PMIC電源管理 2021-11-18

瀾起科技宣布DDR5第一子代內存接口及模組配套芯片實現量產

瀾起科技宣布其DDR5第一子代內存接口及模組配套芯片已成功實現量產。該系列芯片是DDR5內存模組的重要組件，包括寄存時鐘驅動器 (RCD)、數據緩沖器 (DB)、串行檢測集線器 (SPD Hub)、溫度傳感器 (TS) 和電源管理芯片 (PMIC)，可為DDR5 RDIMM、LRDIMM、UDIMM、SODIMM等內存模組...
瀾起科技DDR5 2021-10-29

三星14納米EUV DDR5 DRAM正式量產

今日，三星宣布已開始量產基于極紫外光（EUV）技術的14納米（nm）DRAM。繼去年3月三星推出首款EUV DRAM后，又將EUV層數增加至5層，為其DDR5解決方案提供當下更為優質、先進的DRAM工藝。三星首款14納米DRAM 三星首款14納米DRAM “通過開拓關鍵的圖案（key patterning）技術，三星活躍全球DR...
三星EUV DDR5 DRAM 2021-10-12

三星宣布2022年底前量產8層TSV技術堆疊的DDR5芯片，傳輸速度高達7.2Gbps

據韓國媒體《THEELEC》報導指出，三星電子在23 日舉行的在全球半導體產業會議Hotchips 33 上宣布，三星電子將于2022 年底開始量產8 層堆疊的DDR5內存芯片。據介紹，該8層堆疊的DDR5內存芯片將使用其矽通孔(TSV) 技術，將512GB DDR5 內存模組進一步堆疊起來。而目前該公司已經生產出采用TSV 技術4 層堆...
三星DDR5芯片 2021-08-27

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