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應(yīng)用開(kāi)發(fā)

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革新ZVS軟開(kāi)關(guān)技術(shù)，Qorvo SiC FET解鎖高效率應(yīng)用潛能

從石器時(shí)代到信息時(shí)代，人類對(duì)高效率的追求從未停止。如今，隨著人工智能、電動(dòng)汽車和可再生能源系統(tǒng)等前沿科技的蓬勃發(fā)展，電力電子設(shè)備面臨的挑戰(zhàn)與日俱增。開(kāi)關(guān)損耗一直是影響電力電子設(shè)備性能的關(guān)鍵因素之一，也成了人們對(duì)高效率追求路上的攔路虎。面對(duì)這一挑戰(zhàn)，盡管電力電子工程師們?cè)缇驼莆樟死?..
ZVS軟開(kāi)關(guān)技術(shù)QorvoSiC FET 2024-07-26

基于 GaN 的 FET 如何實(shí)現(xiàn)高性能電機(jī)逆變器

推動(dòng)更高效的能源利用、更嚴(yán)格的監(jiān)管要求以及冷卻器操作的技術(shù)優(yōu)勢(shì)都支持了近減少電動(dòng)機(jī)功耗的舉措。雖然硅 MOSFET 等開(kāi)關(guān)技術(shù)已得到廣泛應(yīng)用，但它們通常無(wú)法滿足關(guān)鍵逆變器應(yīng)用更苛刻的性能和效率目標(biāo)。相反，設(shè)計(jì)人員可以使用氮化鎵 (GaN) 來(lái)實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)，氮化鎵是一種寬帶隙 (WBG) FET 器件技術(shù)，...
GaNFET電機(jī)逆變器 2024-05-31

Qorvo SiC FET與SiC MOSFET優(yōu)勢(shì)對(duì)比

在之前一篇題為《功率電子器件從硅（Si）到碳化硅（SiC）的過(guò)渡》的博文中，我們探討了碳化硅（SiC）如何成為功率電子市場(chǎng)一項(xiàng)“顛覆行業(yè)生態(tài)”的技術(shù)。如圖1所示，與硅（Si）材料相比，SiC具有諸多技術(shù)優(yōu)勢(shì)，因此我們不難理解為何它已成為電動(dòng)汽車（EV）、數(shù)據(jù)中心和太陽(yáng)能/可再生能源等許多應(yīng)用領(lǐng)域中...
QorvoSiC FETSiC MOSFET 2024-04-25

適用于自主駕駛車輛LiDAR的GaN FET快速指南

作者：Kenton Williston激光探測(cè)及測(cè)距 (LiDAR) 的應(yīng)用包括自主駕駛車輛、無(wú)人機(jī)、倉(cāng)庫(kù)自動(dòng)化和精準(zhǔn)農(nóng)業(yè)。在這些應(yīng)用中，大多都有人類參與其中，因此人們擔(dān)心 LiDAR 激光可能會(huì)對(duì)眼睛造成傷害。為防止此類傷害，汽車 LiDAR 系統(tǒng)必須符合 IEC 60825-1 1 類安全要求，同時(shí)發(fā)射功率不超過(guò) 200 W。通用解決...
自主駕駛LiDARGaN FET 2024-02-27

汽車 GaN FET 專為 HEV／EV 的高頻和魯棒性而設(shè)計(jì)

電動(dòng)汽車 (EV) 車載充電器 (OBC) 正在經(jīng)歷快速變化，它允許消費(fèi)者直接通過(guò)家里或公共或商業(yè)網(wǎng)點(diǎn)的交流電源為電池充電。提高充電速率的需要導(dǎo)致功率水平從 3.6 kW 增加到 22 kW，但與此同時(shí)，OBC 必須安裝在現(xiàn)有的機(jī)械外殼內(nèi)，并始終由汽車攜帶，而不影響行駛里程。，有人提出將 OBC 功率密度從 4 kW/L ...
汽車 GaN FETHEV／EV 2024-01-02

SiC FET的脈沖電流能力量化

作者：Qorvo功率器件高級(jí)工程經(jīng)理Pete Losee寬帶隙（WBG）器件，尤其是SiC FET、碳化硅JFET的級(jí)聯(lián)和共封裝硅MOSFET，正在引領(lǐng)降低半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)功率損耗的競(jìng)賽。這種安排產(chǎn)生了一個(gè)常關(guān)器件，帶有一個(gè)簡(jiǎn)單的柵極驅(qū)動(dòng)器和一個(gè)由“品質(zhì)因數(shù)”組成的獎(jiǎng)杯柜，擊敗了所有競(jìng)爭(zhēng)技術(shù)。對(duì)于給定電壓等級(jí)的器件RDS(A...
QorvoSiC FET碳化硅UJ4SC075005L8S 2023-11-30

UnitedSiC發(fā)布首批RDS（on）低于10mΩ的碳化硅FET，具有更高效率和更低損耗

新型功率半導(dǎo)體企業(yè)美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布將推出四種新型SiC FET，其RDS（ON）值可低至7mΩ，并可提供前所未有的性能和高效率，適用于電動(dòng)汽車（EV）逆變器、高功率DC/DC轉(zhuǎn)換器、大電流電池充電器和固態(tài)斷路器等高功率應(yīng)用。在這四款全新UF3C SiC FET器件中，一款產(chǎn)品額定電壓值為...
UnitedSiC碳化硅FET大電流電池充電器 2019-12-10

UnitedSiC在UF3C FAST產(chǎn)品系列中新增兩個(gè)650V SiC FET封裝

新型功率半導(dǎo)體企業(yè)美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布，在公司快速發(fā)展的650V SiC FET硬開(kāi)關(guān)UF3C FAST產(chǎn)品系列中新增兩種TO220-3L封裝選項(xiàng)。新產(chǎn)品的RDS（on）值分別為30mΩ（UF3C065030T3S）和80mΩ（UF3C065080T3S），采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的三引腳TO220-3L封裝，結(jié)合了UnitedSiC自己開(kāi)發(fā)的燒結(jié)...
UnitedSiC電動(dòng)汽車充電650V SiC FET封裝 2019-07-25

UnitedSiC在650V產(chǎn)品系列中新增7個(gè)SiC FET

碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC/美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司宣布，已經(jīng)為UJ3C（通用型）和UF3C（硬開(kāi)關(guān)型）系列650V SiC FET新增加了7種新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封裝組合產(chǎn)品。這些新器件能夠提供新級(jí)別的高壓電源性能，適用于快速增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源、5G基站電信整流器以及電...
UnitedSiCUJ3C和UF3C FET產(chǎn)品5G基站電信整流器電動(dòng)汽車車載充電器 2019-05-08

UnitedSiC在UF3C FAST FET系列中新增Kelvin連接器件

碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC宣布擴(kuò)展UF3C FAST產(chǎn)品系列，并推出采用TO-247-4L 4引腳Kelvin Sense封裝的全新系列650 V和1200 V高性能碳化硅FET器件。新產(chǎn)品基于高效的共源共柵配置，可為設(shè)計(jì)人員提供非常快的開(kāi)關(guān)速度和較高的功率，并且其封裝能夠滿足高功率應(yīng)用的散熱要求。 Kelvin封裝...
UnitedSiC650 V和1200 V高性能碳...UF3C FAST產(chǎn)品系列 2018-12-04

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