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↓在全部中搜索到 26 條關于“SiCMOSFET”的信息，用時:0.027 sec.

為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實現(xiàn)硅到碳化硅的過渡？

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碳化硅Cascode JFET晶體管硅到碳化硅 2025-03-11

SiC MOSFET應用技術在雪崩條件下的魯棒性評估

摘要本文將探討如何在雪崩工作條件下評估SiC MOSFET的魯棒性。MOSFET功率變換器，特別是電動汽車驅動電機功率變換器，需要能夠耐受一定的工作條件。如果器件在續(xù)流導通期間出現(xiàn)失效或柵極驅動命令信號錯誤，就會致使變換器功率開關管在雪崩條件下工作。因此，本文通過模擬雪崩事件，進行非鉗位感性負載...
SiC MOSFET應用技術功率變換器魯棒性評估 2024-10-12

淺談碳化硅壽命中的挑戰(zhàn)

引言功率半導體作為電力電子行業(yè)的驅動力之一，在過去幾十年里硅(Si)基半導體器件以其不斷優(yōu)化的技術和成本優(yōu)勢主導了整個電力電子行業(yè)，但它也正在接近其理論極限，難以滿足系統(tǒng)對高效率、高功率密度的需求。而當下碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體以其優(yōu)異的電學和熱學特性使得功率半導體器件...
碳化硅寬禁帶半導體 2023-01-09

淺談碳化硅壽命中的挑戰(zhàn)

引言功率半導體作為電力電子行業(yè)的驅動力之一，在過去幾十年里硅(Si)基半導體器件以其不斷優(yōu)化的技術和成本優(yōu)勢主導了整個電力電子行業(yè)，但它也正在接近其理論極限，難以滿足系統(tǒng)對高效率、高功率密度的需求。而當下碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體以其優(yōu)異的電學和熱學特性使得功率半導體器件...
碳化硅功率半導體 2022-12-23

先進碳化硅技術，有效助力儲能系統(tǒng)

人們普遍認識到，碳化硅（SiC）現(xiàn)在作為一種成熟的技術，在從瓦特到兆瓦功率范圍的很多應用中改變了電力行業(yè)，覆蓋工業(yè)、能源和汽車等眾多領域。這主要是由于它比以前的硅（Si）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的應用具有更多優(yōu)勢，包括更高的開關頻率，更低的工作溫度，更高的電流和電壓容量，以及更低的損...
碳化硅技術儲能系統(tǒng)SiC 2022-10-26

寬帶隙半導體開關：緩慢的開關沿可減少過沖和EMI

作者：Peter Losee 在寬帶隙半導體開關的新時代，器件類型的選擇包括具有自己的特性并聲稱具有最佳性能的SiCMOSFET和GaN HEMT單元。但是，這兩者都不是理想的開關，這兩種器件類型在某些方面都有局限性，特別是在柵極驅動要求和“第三象限”操作方面。SiC FET是替代選擇但是，還有另一種選擇。Uni...
寬帶隙半導體開關Si MOSFET 2022-05-23

50余款達國際一流水平的國產SiC SBD、SiCMOS、GaN HEMT及應用DEMO即將亮相PCIM展

據2021深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會（PCIM展）主辦方公布的信息，第三代半導體設計和方案商派恩杰半導體已確定參展，展位號E43。成立于2018年9月的派恩杰半導體，目前已是國際標準委員會JC-70會議的主要成員之一，參與制定寬禁帶半導體功率器件國際標準。2019年3月，派恩杰成立僅6個月即...
SiC SBDSiCMOSGaNHEMTPCIM展 2021-08-25

SiC功率器件緣何深受熱捧這一點很關鍵

功率器件行業(yè)發(fā)展到IGBT(絕緣層柵雙極晶體三極管)階段，硅基器件的性能早已貼近極限，邊際效益愈來愈高，而半導體材料器件產業(yè)鏈仍對大功率、高頻率轉換、高溫實際操作、高功率等擁有愈來愈多的要求，因而以SiC(碳碳復合材料)、GaN(氮化鎵)等第三代半導體器件為關鍵的寬禁帶功率器件變成了科學研究網絡...
SiC功率器件SiC功率半導體 2021-05-19

從先進器件到系統(tǒng)級方案羅姆傾情助力工業(yè)電機設計

引言作為全球能源消耗的重點產品，各類電機消耗了全球一半以上的電力資源，足見電機應用在整個社會運轉中的重要作用，特別是在各種數(shù)字化產業(yè)升級趨勢的引領下，功能越來越強大的電機系統(tǒng)在工業(yè)應用中發(fā)揮著越來越重要的作用。因此，如何實現(xiàn)更高效更節(jié)能的電機系統(tǒng)對整個工業(yè)系統(tǒng)的運行效率和成本...
工業(yè)電機羅姆 2020-12-15

未來十年將是GaN和SiC功率半導體市場將以18%速度增長

在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動機的需求驅動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。據有關報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據預測，未來十年這一市場的銷售額將實現(xiàn)兩位數(shù)的年增長率，見下...
2013-04-26

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