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↓在全部中搜索到 857 條關于“SiGe”的信息，用時:0.030 sec.

[原創] IDT F0424600－4200MHz SiGe大功率寬帶RF放大器解決方案

IDT公司的F0424是600MHz-4200MHz SiGe大功率寬帶RF放大器,組合低噪音(NF)和高線性性能,是器件可用在發送器和藹接收器中.器件可工作單電壓5V或3.3V,ICC正常電流70A,2600MHz時的增益17.3dB,OIP3為+40dBm和2.3dB噪音.主要用在4G TDD和FDD基站,2G/3G基站,中繼器和DAS,點對點基礎設備,公共安全設備和軍用手持...
無線通信RF放大器SiGeF0424 2018-12-20

SiGe推出面向消費電子市場的SE2571U前端Wi-Fi/藍牙模塊

SiGe 半導體公司 (SiGe Semiconductor, Inc) 現已擴展其 Wi-Fi 產品系列，推出 SE2571U 前端模塊，專門瞄準包括手機、游戲、數碼相機和個人媒體播放器 (PMP) 的嵌入式應用。SE2571U 專為應對OEM 廠商面臨的特定挑戰而設計，其特點包括實現“電池直接供電”運作、提升性能，并滿足消費者對便攜設備內建通...
SE2571USiGe前端Wi-Fi/藍牙模塊消費電子市場 2009-06-30

Maxim推出線性度最高的下變頻SiGe混頻器MAX19996A

Maxim推出帶有片內LO緩沖器的完全集成、2000MHz至3900MHz下變頻混頻器MAX19996A。器件采用Maxim專有的單片SiGe BiCMOS工藝設計，集優異的線性度、噪聲性能和高度的器件集成特性于一體，能夠工作于極寬的頻段范圍。MAX19996A提供完全集成的下變頻通道，具有+24.5dBm (典型值) IIP3、8.7dB (典型值)轉換增...
MAX19996AMaxim下變頻SiGe混頻器線性度 2009-06-23

Toshiba推出低噪音SiGe MMIC放大器TB76xxTU系列

Toshiba公司推出小型、低噪音放大器系列，在VHF-UHF寬帶應用中能夠提供良好的線性和低電流消耗，其中輸入信號強度可能是變化的。新的SiGe 單芯片組合器件尤其適用于固定和移動地面調諧器應用，在這些方面可用來改進動態范圍和最大限度減少失真，同時降低能耗和元件密度。 TB76xxTU系列MMIC(單片微波集...
toshiba低噪音SiGe MMIC放大器...旁路能力 2009-06-08

Maxim推出850MHz至1550MHz上/下變頻SiGe混頻器MAX2051

Maxim推出業內性能最佳的完全集成、850MHz至1550MHz SiGe無源混頻器MAX2051。器件專為多載波電纜前端下行視頻、電纜調制解調器終端系統(CMTS)、視頻點播和DOCSIS兼容的邊沿QAM調制以及無線基礎設施等應用而設計，在較寬的50MHz至1000MHz IF頻帶內具有優異的線性度和雜散抑制性能。當配置為下變頻器時，...
MAX2051Maxim上/下變頻SiGe混頻器 2009-06-04

Maxim推出高線性度、雙通道、SiGe下變頻混頻器MAX1999x

Maxim推出用于DCS/PCS、cdma2000、WCDMA、WCS、LTE、WiMAX™和MMDS無線基礎設施的高性能、雙通道、下變頻混頻器系列產品MAX19995/MAX19995A/MAX19997A/MAX19999。這些混頻器加上之前發布的MAX19985A，構成了完備的700MHz至4000MHz頻段基站下變頻器解決方案。器件采用Maxim專有的SiGe工藝設計...
MAX1999xMaximSiGe下變頻混頻器 2009-03-02

SiGe推出新款ISM頻帶功率放大器SE2568U

SiGe現已推出一款 ISM (即工業、科研、醫療－ industrial、 scientific、medical, ISM) 頻帶高性能功率放大器 (power amplifier, PA)，型號為 SE2568U，目標是嵌入式2.4GHz 無線局域網 (WLAN) 市場。這款新器件可直接與電池操作集成，并為嵌入式手持設備與模塊化應用帶來了先進的集成度。SE2568U提供業...
ISM頻帶功率放大器SE2568USiGe嵌入式WLAN 2008-12-23

Maxim推出高線性度下變頻SiGe混頻器MAX19996

Maxim推出具有片內LO緩沖器的完全集成、2000MHz至3000MHz下變頻混頻器MAX19996。器件采用Maxim專有的單片SiGe工藝設計，具有優異的線性度、噪聲性能和高度的器件集成特性。該單片IC中完全集成的下變頻通道具有+24.5dBm(典型值)的IIP3、8.7dB(典型值)的轉換增益以及9.6dB(典型值)的噪聲系數。另外，MAX1...
MAX19996下變頻SiGe混頻器高線性度 2008-10-09

Maxim推出高增益低噪聲系數的SiGe BiCMOS LNA

Maxim針對GPS、伽利略以及GLONASS應用推出MAX2659高增益、低噪聲放大器(LNA)。該器件采用Maxim先進的、低功耗SiGe BiCMOS工藝設計，具有高達20.5dB的增益以及0.8dB的超低噪聲系數，同時分別將輸入參考1dB壓縮點和三階交調點降低至-12dBm和-2dBm。因此，MAX2659 SiGe BiCMOS LNA具有業界最高增益和最低噪...
MAX2659SiGe BiCMOS LNA 2007-11-29

130nm 8HP:第四代硅鍺(SiGe) BiCMOS工藝

8月5日訊,IBM公司宣布它的第四代硅鍺工藝技術8HP具有比以前的工藝2X性能.這種稱為8HP的130nm硅鍺(SiGe)雙極互補金屬氧化物半導體(DiCMOS)工藝術能降到移動消費類電子產品和先進的高帶寬無線通信系統的成本,能助于創新應用如汽車防碰撞雷達. 和8HP一起,IBM還提供更低成本的目標在無線應用的8WL工藝技術...
BiCMOS SiGe 工藝技術 2005-08-08

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