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↓在全部中搜索到 126 條關于“eGaN”的信息，用時:0.027 sec.

基于eGaN FET的50 W、12 V/60 V升壓轉換器

50 W、12 V/60 V且基于eGaN FET的同步升壓轉換器采用簡單、低成本的拓撲結構，可實現 95.3%的峰值效率和低溫升。宜普電源轉換公司（EPC）宣布推出雙向降壓或反向升壓轉換器演示板（EPC9162）。該演示板用于同步轉換器時采用100 V的EPC2052器件，以及用于同步自舉FET電路時，采用EPC2038器件。 E...
Digi－KeyGaN宜普電源轉換器 2021-10-22

加快eGaN發展 EPC稱硅FET已走到盡頭

關鍵字：eGaN FET MOSFET EPC 經過近兩年的發展，EPC公司的eGaN產品已經發展到第二代，在性能上有了更好的表現，例如體積更小、開關效率比相同導通電阻的MOSFET高出更多等。eGaN FET的高性能正在使之更快地被高速DC/DC電源、負載點轉換器、D類音頻放大器...
2013-06-20

eGaN FET 磚式轉換器電源硅MOSFET

隔離型磚式轉換器廣泛地應用于電信系統，為網絡設備提供工作電源。這些磚式轉換器可以提供各種標準尺寸和輸入/輸出電壓范圍。它們中大多數可以在2:1甚至高達4:1的大輸入電壓范圍內工作。它們的模塊性、功率密度、可靠性和多功能性簡化了隔離式電源應用，并在某種程度上使之在市場上廣受歡迎。由于這些磚...
2013-05-24

eGaN FET與硅功率器件比拼之隔離型PoE-PSE轉換器

隔離型磚式轉換器被廣泛應用于電信系統，為網絡設備供電，這些轉換器可以提供各種標準尺寸及輸入/輸出電壓范圍。它們的模塊性、功率密度、可靠性和多功能性簡化了隔離式電源應用，并在某種程度上商品化了隔離電源市場。這些轉換器的一個共同特點是輸入/輸出功率器件的額定電壓都在100V或以下。然而，市...
2013-05-12

eGaN FET 磚式轉換器電源硅MOSFET

隔離型磚式轉換器廣泛地應用于電信系統，為網絡設備提供工作電源。這些磚式轉換器可以提供各種標準尺寸和輸入/輸出電壓范圍。它們中大多數可以在2:1甚至高達4:1的大輸入電壓范圍內工作。它們的模塊性、功率密度、可靠性和多功能性簡化了隔離式電源應用，并在某種程度上使之在市場上廣受歡迎。由于這些磚...
2013-05-08

eGaN FET與硅功率器件比拼之隔離型PoE-PSE轉換器

隔離型磚式轉換器被廣泛應用于電信系統，為網絡設備供電，這些轉換器可以提供各種標準尺寸及輸入/輸出電壓范圍。它們的模塊性、功率密度、可靠性和多功能性簡化了隔離式電源應用，并在某種程度上商品化了隔離電源市場。這些轉換器的一個共同特點是輸入/輸出功率器件的額定電壓都在100V或以下。然而，市...
2013-05-04

eGaN FET 場效應晶體管增強型氮化鎵場效應管氮化鎵技術

在過去幾年間有很多關于氮化鎵(GaN)半導體器件的報導,如美國RensselaerPolytechnic Institute的科學家開發了全球初期專為電源轉換應用而設的氮化鎵晶體管。他們嘗試利用具備更高擊穿電壓及更高效電源轉換性能的氮化鎵晶體管來替代硅MOSFET器件(注1),其目標是開發出可以在嚴峻環境下工作并具備更高性能的...
2013-04-21

eGaN FET 磚式轉換器電源硅MOSFET

隔離型磚式轉換器廣泛地應用于電信系統，為網絡設備提供工作電源。這些磚式轉換器可以提供各種標準尺寸和輸入/輸出電壓范圍。它們中大多數可以在2:1甚至高達4:1的大輸入電壓范圍內工作。它們的模塊性、功率密度、可靠性和多功能性簡化了隔離式電源應用，并在某種程度上使之在市場上廣受歡迎。由于這些磚...
2013-04-16

eGaN FET 場效應晶體管增強型氮化鎵場效應管氮化鎵技術

在過去幾年間有很多關于氮化鎵(GaN)半導體器件的報導,如美國RensselaerPolytechnic Institute的科學家開發了全球初期專為電源轉換應用而設的氮化鎵晶體管。他們嘗試利用具備更高擊穿電壓及更高效電源轉換性能的氮化鎵晶體管來替代硅MOSFET器件(注1),其目標是開發出可以在嚴峻環境下工作并具備更高性能的...
2013-03-30

eGaN FET 場效應晶體管增強型氮化鎵場效應管氮化鎵技術

在過去幾年間有很多關于氮化鎵(GaN)半導體器件的報導,如美國RensselaerPolytechnic Institute的科學家開發了全球初期專為電源轉換應用而設的氮化鎵晶體管。他們嘗試利用具備更高擊穿電壓及更高效電源轉換性能的氮化鎵晶體管來替代硅MOSFET器件(注1),其目標是開發出可以在嚴峻環境下工作并具備更高性能的...
2013-03-15

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