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應(yīng)用開(kāi)發(fā)

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為了實(shí)現(xiàn)更小、更快、更節(jié)能，芯片制造經(jīng)歷了什么？

每隔幾個(gè)月就會(huì)有更新?lián)Q代的電子產(chǎn)品問(wèn)世。它們通常更小、更智能，不僅擁有更快的運(yùn)行速度與更多帶寬，還更加節(jié)能，這一切都要?dú)w功于新一代先進(jìn)的芯片和處理器。跨入數(shù)字化時(shí)代，我們?nèi)缤嘈盘?yáng)明天一定會(huì)升起那樣，確信新設(shè)備會(huì)不斷地推陳出新。而在幕后，則是工程師們積極研究半導(dǎo)體技術(shù)路線(xiàn)圖，以...
芯片制造晶體管處理器3D技術(shù)NAND閃存 2022-05-10

如何利用寬帶天線(xiàn)同時(shí)滿(mǎn)足傳統(tǒng)和 5G 無(wú)線(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)網(wǎng)絡(luò)需求

作者：Bill Schweber除了隨處可見(jiàn)的消費(fèi)者智能手機(jī)之外，基于 5G 的無(wú)線(xiàn)鏈路還能滿(mǎn)足多樣化的嵌入式應(yīng)用需求，例如物聯(lián)網(wǎng) (IoT)、機(jī)對(duì)機(jī) (MTM) 鏈路、智能電網(wǎng)、自動(dòng)售貨機(jī)、網(wǎng)關(guān)、路由器、安全和遠(yuǎn)程監(jiān)控連接等等。然而，向 5G 的這一轉(zhuǎn)變過(guò)程不可能一蹴而就。這就需要在無(wú)線(xiàn)通信鏈路的前端使用天...
寬帶天線(xiàn)5G無(wú)線(xiàn)物聯(lián)網(wǎng) 2022-04-14

摩爾定律的現(xiàn)在及未來(lái)

摩爾定律的本質(zhì)是創(chuàng)新，我們可以自信地說(shuō)創(chuàng)新將永不止步摘要：• 英特爾不懈推進(jìn)摩爾定律，在制程工藝基礎(chǔ)創(chuàng)新方面有著深厚底蘊(yùn)。• 在推進(jìn)摩爾定律的過(guò)程中，先進(jìn)封裝為架構(gòu)師和設(shè)計(jì)師提供了新工具。• 英特爾擁有完備的研究體系，這讓我們有信心延續(xù)摩爾定律。• 總而言之，在不...
摩爾定律英特爾芯片 2022-03-29

一文了解相控陣天線(xiàn)中的真時(shí)延

本文要點(diǎn)· 真時(shí)延是寬頻帶相控陣天線(xiàn)的關(guān)鍵元素之一。· 真時(shí)延通過(guò)在整個(gè)信號(hào)頻譜上應(yīng)用可變相移來(lái)消除波束斜視現(xiàn)象。· 在相控陣中使用時(shí)延單元或電路板，以提供波束控制和相移市場(chǎng)越來(lái)越需要更快、更可靠的通信網(wǎng)絡(luò)，而寬帶通信系統(tǒng)正在努力滿(mǎn)足這一需求。帶寬越高，通信數(shù)據(jù)速率就...
相控陣天線(xiàn)天線(xiàn)技術(shù) 2022-03-16

一鍵解鎖！晶體管結(jié)構(gòu)工藝發(fā)展歷程

從人工智能（AI）到5G、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、再到自動(dòng)駕駛汽車(chē)，半導(dǎo)體不知不覺(jué)已經(jīng)成為第四次工業(yè)革命時(shí)代的核心技術(shù)之一。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的先進(jìn)化和復(fù)雜化，半導(dǎo)體工藝也在快速發(fā)展。隨著下一代設(shè)備越來(lái)越小，半導(dǎo)體也逐漸小型化，集成度越來(lái)越高，超微工藝技術(shù)變得更加重要。FinEFT，開(kāi)啟3D晶體管時(shí)代 ...
晶體管半導(dǎo)體技術(shù) 2022-03-08

一文解讀“集成電路三大發(fā)展方向”

作者： Suny Li（李揚(yáng)）雖然，所有以指數(shù)規(guī)律增長(zhǎng)的曲線(xiàn)在物理意義上均是不可持續(xù)的，摩爾定律正是如此。然而，人們卻一直想方設(shè)法地去延續(xù)摩爾定律，為什么明知不可為而為之？這其實(shí)代表了人類(lèi)的一種理想主義，這種理想或信念往往讓人類(lèi)超越自身，創(chuàng)造出意想不到的科技和文明。或許正...
集成電路技術(shù)芯片晶體管 2022-02-10

Nerissa Draeger博士：全包圍柵極結(jié)構(gòu)將取代FinFET

作者：泛林Nerissa Draeger博士FinFET在22nm節(jié)點(diǎn)的首次商業(yè)化為晶體管——芯片“大腦”內(nèi)的微型開(kāi)關(guān)——制造帶來(lái)了顛覆性變革。與此前的平面晶體管相比，與柵極三面接觸的“鰭”所形成的通道更容易控制。但是，隨著3nm和5nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)面臨的難題不斷累積，F(xiàn)inFET的效用已經(jīng)趨于極限。晶體管縮放的難題...
FinFET晶體管 2021-01-25

利用虛擬工藝建模贏得全球半導(dǎo)體技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)

半導(dǎo)體工藝的開(kāi)發(fā)絕非易事，每一代器件研發(fā)的難度和成本在不斷提升。用傳統(tǒng)的先構(gòu)建再測(cè)試的方法來(lái)開(kāi)發(fā)最先進(jìn)的工藝過(guò)于耗時(shí)且成本過(guò)高，如今已經(jīng)不再適用。工藝開(kāi)發(fā)的高成本大多數(shù)芯片設(shè)計(jì)師需要基于現(xiàn)有制造工藝來(lái)開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品，但這些工藝本身也需要工程師來(lái)開(kāi)發(fā)。工藝開(kāi)發(fā)，相較于設(shè)計(jì)新的芯片，對(duì)于...
半導(dǎo)體制造工藝晶體管 2020-12-10

歐美已開(kāi)始研發(fā)1nm CPU技術(shù)？

據(jù)最新消息，在VLSI 2020上，IMEC發(fā)表了有關(guān)單片CFET的有趣論文，我有機(jī)會(huì)采訪(fǎng)了其中一位作者Airoura Hiroaki。三星已經(jīng)宣布，他們將在3nm的時(shí)候轉(zhuǎn)向水平納米片(Horizontal Nanosheets ：HNS)。臺(tái)積電(TSMC)保持3nm的FF，但預(yù)計(jì)將轉(zhuǎn)移到2nm的新架構(gòu)。在業(yè)界眾所周知，F(xiàn)inFET(FF)即將達(dá)到其定標(biāo)壽命...
CPU處理器工藝芯片 2020-09-17

LED芯片原理分類(lèi)基礎(chǔ)知識(shí)大全

LED芯片原理分類(lèi)基礎(chǔ)知識(shí)大全　　一、LED歷史 50年前人們已經(jīng)了解半導(dǎo)體材料可產(chǎn)生光線(xiàn)的基本知識(shí),1962年,通用電氣公司的尼克何倫亞克(NickHolonyakJr.)開(kāi)發(fā)出第一種實(shí)際應(yīng)用的可見(jiàn)光發(fā)光二極管。LED是英文light emitting diode(發(fā)光二極管)的縮寫(xiě),它的基本結(jié)構(gòu)是一塊電...
2010-12-02

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