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↓在全部中搜索到 3767 條關于“Nand”的信息，用時:0.039 sec.

--BBS主題帖: 東芝開始提供業內首批符合UFS 2.0的嵌入式NAND閃存模塊的樣品出貨

[font=宋體, arial][b]2014年4月25日，東京[/b]—東芝公司（TOKYO：6502）旗下的半導體&存儲產品公司今天宣布，即日起開始提供符合JEDEC UFS［1］ 2.0版本標準的32GB和64GB嵌入式NAND閃存模塊的樣品出貨。東芝在業內率先提供此產品［2］。這兩種模塊還集成了UFS 2.0版本的可選功能——5.8Gbps高速MIPI...
2014-11-01

--BBS主題帖: 10nm級MLC NAND SAS固態硬盤問世

[font=Arial, Helvetica, sans-serif, 宋體][b]關鍵字：SAS固態硬盤存儲芯片 SM1623 三星 [/b][/font] [font=Arial, Helvetica, sans-serif, 宋體]全球存儲器領軍者三星電子8月7日宣布，已開始量產基于10納米級MLC NAND閃存的全新高性能SAS[url=http://www.ednchina.com/SEARCH/ART/%B9%CC%CC...
2014-09-14

--BBS主題帖: 可應用三維存儲結構PCM的高集成NAND型相變內存方

[font=宋體, arial]　日本中央大學理工學部電氣電子信息通信工學科教授竹內健等人的研發小組提出了NAND型相變內存（Phase Change Memory：PCM）方案，并在2012年5月20～23日于意大利米蘭舉行的“International Memory Workshop（IMW）”上發表。這種內存的選擇元件采用多晶硅MOS晶體管，這樣就可以采用...
2014-08-28

--BBS主題帖: 可應用三維存儲結構PCM的高集成NAND型相變內存方案

[font=宋體, arial]日本中央大學理工學部電氣電子信息通信工學科教授竹內健等人的研發小組提出了NAND型相變內存（Phase Change Memory：PCM）方案，并在2012年5月20～23日于意大利米蘭舉行的“International Memory Workshop（IMW）”上發表。這種內存的選擇元件采用多晶硅MOS晶體管，這樣就可以采用無...
2014-08-27

--BBS主題帖: NAND閃存深入解析

[font=宋體, arial]對于許多消費類音視頻產品而言，NAND閃存是一種比硬盤驅動器更好的存儲方案，這在不超過4GB的低容量應用中表現得猶為明顯。隨著人們持續追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產品，NAND正被證明極具吸引力。[/font] [font=宋體, arial]　　NAND閃存陣列分為一系列128kB的區塊（block...
2014-08-19

--BBS主題帖: NAND flash和NOR flash的區別詳解

[font=宋體, arial]我們使用的智能手機除了有一個可用的空間（如蘋果8G、16G等），還有一個RAM容量，很多人都不是很清楚，為什么需要二個這樣的芯片做存儲呢，這就是我們下面要講到的。這二種存儲設備我們都統稱為“FLASH”，FLASH是一種存儲芯片，全名叫Flash EEPROM Memory，通地過程序可以修改數據，...
2014-08-15

韓國ATO小容量nand flash簡介

韓國ATO小容量nand flash簡介最新消息，國際大廠商如三星（samsung),現代（hynix），鎂光（Micron）等廠商的小容量nand flash 都已逐步停產，市場也呈現缺貨漲價勢頭。韓國ATO的小容量nand flash由于供貨穩定...
2013-08-11

NAND flash和NOR flash的區別詳解

我們使用的智能手機除了有一個可用的空間（如蘋果8G、16G等），還有一個RAM容量，很多人都不是很清楚，為什么需要二個這樣的芯片做存儲呢，這就是我們下面要講到的。這二種存儲設備我們都統稱為“FLASH”，FLASH是一種存儲芯片，全名叫Flash EEPROM Memory，通地過程序可以修改數據，即平時所說的“閃存...
2013-08-04

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