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↓在全部中搜索到 1478 條關(guān)于“Infineon”的信息，用時:0.032 sec.

[原創(chuàng)]Infineon　IMM101T智能IPM馬達控制方案

系列集成了500V FredFET或650V CoolMOS以及行業(yè)基準(zhǔn)三相高壓強健的柵極驅(qū)Infineon公司的iMOTION™ IMM101T/IMM102T是全集成高性能一站式方案(交鑰匙)高壓馬達驅(qū)動模塊,用于高性能高效率PMSM/BLDC馬達驅(qū)動應(yīng)用如風(fēng)扇,泵和壓縮機.器件在12x12mm封裝內(nèi)集成了Infineon公司先進的馬達控制引擎(MCE),柵極...
馬達控制PMSMBLDCIMM101T／IMM102T 2020-07-13

[原創(chuàng)] Infineon ICE5QRxx80BG 42W開關(guān)電源解決方案

Infineon公司的ICE5QRxx80BG是第五代準(zhǔn)諧振CoolSET™功率集成電路,最適合串聯(lián)配置的離線開關(guān)電源,在單個封裝內(nèi)有兩個單獨的芯片:控制器芯片和HV MOSFET芯片.器件通過專有新穎的準(zhǔn)諧振運作,降低數(shù)字頻率,從而得到更低的EMI和更高的效率.增強的有源突發(fā)模式使得待機功率范圍更加靈活機動.器件的工作...
電源管理開關(guān)電源(SMPS)CoolMOSICE5QRxx80BG 2020-06-16

[原創(chuàng)] Infineon 2EDF7275F雙路隔離MOSFET柵極驅(qū)動器解決方案

Infineon公司的EiceDRIVER™2EDF7275F是雙路隔離MOSFET柵極驅(qū)動器集成電路系列,通過無芯變壓器(CT)技術(shù),提供功能(2EDFx)或加強(2EDSx)輸入/輸出隔離性能.由于高驅(qū)動電流,極好的共模抑制和快速信號傳輸,2EDi系列特別適合于開速開關(guān)電源系統(tǒng)中驅(qū)動中/高壓MOSFET器件(CoolMOS™, OptiMOS™...
電源管理開關(guān)電源(SMPS)UPS2EDF7275F 2020-06-03

[原創(chuàng)] Infineon TLD5542－1同步MOSFET H橋DC－DC控制器解決方案

摘要: Infineon公司的TLD5542-1是內(nèi)置了保護特性和SPI接口的同步MOSFET H橋DC-DC控制器,特別適合于驅(qū)動具有最大系統(tǒng)效率和最少外接元件的大功率LED. TLD5542-1是單電感大功率降壓-升壓控制器,提供模擬和數(shù)字(PWM)調(diào)光,開關(guān)頻率在200 kHz 到700 kHz間可調(diào).LED正向電壓在2V-55V),VIN電壓范圍寬...
DC／DC轉(zhuǎn)換器LED照明電源管理 2020-05-14

[原創(chuàng)] Infineon TLD5099EP大功率LED應(yīng)用方案

Infineon公司的TLD5099EP是靈活有用的DC/DC升壓控制器,內(nèi)置診斷和保護特性,特別設(shè)計用來驅(qū)動LED.器件還包括脈寬調(diào)制器以容易實現(xiàn)調(diào)光彩功能,和降低色彩偏移,它的廣譜調(diào)制器改善了EMI性能.器件在多種拓?fù)淙缟龎?降壓-升壓,SEPIC和反激中支持固定電流和固定電壓配置. TLD5099EP以內(nèi)部5V線性穩(wěn)壓器來驅(qū)動低...
電源管理LED驅(qū)動器DC／DC轉(zhuǎn)換器TLD5099EP 2020-05-08

[原創(chuàng)] Infineon TLD5099EP多拓?fù)銵ITIX功率DC－DC轉(zhuǎn)換器控制方案

Infineon公司的TLD5099EP是多拓?fù)銵ITIX™功率DC/DC控制器集成電路,靈活使用的確升壓控制器,內(nèi)置了診斷和保護特性,特別適合用來設(shè)計驅(qū)動LED.它包括脈寬調(diào)制器,很容易實現(xiàn)調(diào)光功能和降低色彩偏移,它的廣譜調(diào)制器改善了EMI性能.器件在多種拓?fù)淙缟龎?降壓-升壓,SEPIC和反激中支持固定電流和固定電壓配...
電源管理DC／DC轉(zhuǎn)換器LED驅(qū)動器TLD5099EP 2020-04-27

Infineon推出70nm DRAM Trench技術(shù)

12月14日訊,Infineon公司在2004年12月13-15日的IEEE國際電子器件會議(IEDM)上宣布開發(fā)出用于將來DRAM的300mm硅片70nm溝槽(Trend)技術(shù).目前全世界大約25%的DRAM采用這種溝槽技術(shù)來生產(chǎn).Infineon開發(fā)的這種技術(shù)首先采用高K介質(zhì)(Al2O3)材料,表明了70nm DRAM技術(shù)的突破和溝槽技術(shù)的可升級性. Infineon期望...
dram存儲器 2005-01-05

Infineon推出業(yè)界最小閃存存儲器單元

12月16日訊,Infineon公司的科學(xué)家推出業(yè)界最小的非易式閃存存儲器單元.這種新的存儲器單元的尺寸僅為20納米(nm),比人的頭發(fā)絲要薄大約5000倍.所有和制造工藝有關(guān)的問題,包括光刻技術(shù)都已解決,新的技術(shù)將使在幾年內(nèi)能開發(fā)出32Gb容量的非易式存儲器芯片成為可能.這將是目前市場上芯片容量的八倍. 非易式...
存儲器 2004-12-20

Infineon推出業(yè)界最小的納米管晶體管

11月22日訊,Infineon公司推出業(yè)界最小的納米管晶體管,它的溝道長度僅為18nm,目前在生產(chǎn)的最先進的晶體管幾乎是這種尺寸的四倍.為了開發(fā)這種納米晶體管,研究人員在可控的工藝中生長出碳納米管,每個的直徑僅為0.7到1.1nm,作為比較,人的頭發(fā)絲大約是它的厚度的10萬倍. 碳納米管的特征性能使它很適合用在微...
晶體管 2004-11-24

Infineon高性能低成本4GSPS 6位閃存ADC

6月21日訊,Infineon公司在2004年VLSI技術(shù)和電路座談會上推出采用0.13um標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝的新型6位閃存模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC),它的取樣速率為4GSPS. 在各種串行通信應(yīng)用如硬盤讀通道的高速率數(shù)據(jù)傳輸取決于數(shù)字信號處理電路.這些電路需要高速的ADC,提供系統(tǒng)中模擬和數(shù)字部分的接口.在標(biāo)準(zhǔn)CMOS技術(shù)中實現(xiàn)這些集成電...
ADC 2004-06-24

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