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↓在全部中搜索到 252 條關于“VRM”的信息，用時:0.042 sec.

Vishay發布翼式4040封裝尺寸大電流電感器IHLW-4040CF-11

Vishay推出翼式且采用4040封裝尺寸的超薄、大電流電感器 --- IHLW-4040CF-11。IHLW-4040CF-11是為安裝在分離(cut-out)PCB上而設計的，透過使用較大尺寸的部件，可為設計人員提供大電流解決方案，而其在電路兩板側的厚度不超過1.2mm。 IHLW-4040CF-11具有0.10μH至2.2mH的電感范圍、14.0A至48A的飽和電流...
4040封裝尺寸IHLW-4040CF-11Vishay大電流電感器翼式 2009-04-29

Vishay 推出新型 IHLP® 薄型大電流電感器IHLP-6767GZ-01

Vishay推出采用 6767 封裝尺寸的新型 IHLP® 薄型大電流電感器 --- IHLP-6767GZ-01。作為Vishay目前最大的 IHLP 器件，IHLP-6767GZ-01 的封裝尺寸為17.15 mm × 17.65 mm、厚度為 7.0 mm，且具有較高的最大頻率及 0.22 µH 至 22 µH 的標準電感值范圍。憑借高達 2 MHz 的頻...
VishayIHLP® 薄型大電流... 2009-03-27

Vishay 推出新型 IHLP超薄大電流電感器IHLP-2020BZ-11

Vishay推出采用2020 封裝尺寸的新型 IHLP 超薄大電流電感器 --- IHLP-2020BZ-11。這款小型器件 IHLP-2020BZ-11 具有 2.0mm 超薄厚度、廣泛的電感范圍和較低的 DCR。憑借高達1 MHz 的頻率范圍，新型 IHLP 電感器成為面向終端產品中穩壓器模塊 (VRM) 和直流到直流轉換器應用的小型高性能、低功耗解決方...
VishayIHLP-2020BZ-11IHLP超薄大電流電感器 2008-12-22

Vishay 推出IHLP薄型、高電流電感器IHLP-2020CZ-11

Vishay推出采用 2020 封裝尺寸的新型 IHLP 薄型、髙電流電感器 --- IHLP-2020CZ-11。這款小型 IHLP-2020CZ-11 器件具有 3.0mm 的超薄厚度、寬泛的電感范圍及低 DCR。憑借最高 1 MHz 的頻率范圍，該新型IHLP® 電感器成為面向終端產品中穩壓器模塊（VRM）和直流到直流轉換器應用的小型高性能、...
IHLPIHLP-2020CZ-11Vishay高電流電感器 2008-12-18

Vishay提供計算電感器開關損失的免費在線計算工具

Vishay提供了計算 IHLP® 電感器開關損失的免費工具，這種易于使用的開關損失計算器可針對各個單獨應用進行定制，從而使設計人員能夠選擇正確的部件以優化板設計，同時加速產品上市時間。該開關損失計算器可用于降壓、升壓及降壓/升壓直流到直流轉換器拓撲結構。在過去為計算電感器損失，設計人...
Vishay免費在線計算工具電感器開關損失 2008-12-17

Vishay推出新型 20V n 通道器件SiR440DP

Vishay推出一款新型 20V n 通道器件 --- SiR440DP，擴展了其第三代 TrenchFET 功率 MOSFET 系列。該器件采用 PowerPAK SO-8 封裝，在 20V 額定電壓時具有業界最低導通電阻及導通電阻與柵極電荷乘積。 SiR440DP 在 4.5V 柵極驅動時最大導通電阻為 2.0mΩ，在 10V 柵極驅動時最大導通電阻為 1....
20V n 通道器件SiR440DPVishay 2008-11-24

Intersil 推出高輕負載效率MOSFET柵極驅動器ISL6622/A

Intersil推出新系列12V至5V同步整流降壓式MOSFET驅動器，為英特爾 VR11.1系統提供業界最高的輕負載效率。 ISL6622和ISL6622A及ISL6622B具有3A的吸收能力，以及快速上升/下降時間，支持高達1MHz的開關頻率。這將有助于實現非常高的總體效率。 ISL6622結合了Intersil的VR11.1 PWM控制器和N溝道MOSFET，其...
ISL6622/AMOSFET柵極驅動器高輕負載效率 2008-10-30

Vishay推出Siliconix 25V TrenchFET Gen III功率MOSFET

Vishay推出一款新型 25V n 通道器件，從而擴展了其 Gen III TrenchFET? 功率 MOSFET 系列，對于采用 PowerPAK SO-8 封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業界最低的導通電阻以及導通電阻與柵極電荷之乘積。該SiR476DP在 4.5V 柵極驅動時最大導通電阻為 2.1m?，在 10V 柵極驅動時最大導通電...
Gen III功率MOSFETSiR476DPTrenchFET 2008-10-29

Vishay 推出30V 單片功率MOSFET和肖特基二極管

Vishay推出采用具有頂底散熱通路的封裝的30V單片功率MOSFET和肖特基二極管 --- SkyFET SiE726DF，該器件可在具有強迫通風冷卻功能的系統中高效能的運作。新型SkyFET SiE726DF器件采用具有雙面冷卻功能的PolarPAK?封裝，可提升高電流、高頻運用的效率。新型SiE726DF在10V柵極驅動時，具有極低的導通電阻...
30V 單片功率MOSFET雙面冷卻功能肖特基二極管 2008-09-27

--BBS主題帖: IR3092:80A可編兩相PWM控制IC

7月21日訊,IR公司推出兩相隔行脈寬調制(PWM)控制IC IR3092, AMD Athlon?, AMD Athlon64TM, AMD Opteron和Intel VR10.X處理器.應用包括服務器和臺式計算機主板,電壓調整器模塊(VRM),視頻圖像卡和通信單列直插封裝(SIP)模塊.
2004-07-29

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