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半導(dǎo)體巨頭發(fā)起存儲技術(shù)新變革，這次盯上了MRAM

近年來，在人工智能（AI）、5G等推動下，以MRAM（磁阻式隨機(jī)存取存儲器）、鐵電隨機(jī)存取存儲器 (FRAM)、相變隨機(jī)存取存儲器（PRAM），以及可變電阻式隨機(jī)存取存儲器（RRAM）為代表的新興存儲技術(shù)逐漸成為市場熱點(diǎn)。這些新技術(shù)吸引各大晶圓廠不斷投入，最具代表性的廠商包括臺積電、英特爾、三星和格芯（...
MRAM 2020-08-13

北斗三號衛(wèi)星核心部件實(shí)現(xiàn)100％國產(chǎn)化

8月3日上午，國務(wù)院新聞辦公室召開新聞發(fā)布會，請中國衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)管理辦公室主任、北斗衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)新聞發(fā)言人冉承其等介紹北斗三號全球衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)建成開通有關(guān)情況，并答記者問。以下為騰訊科技整理的發(fā)布會核心內(nèi)容：北斗三號提前半年完成全球星座部署冉承其介紹，北斗三號2009...
北斗三號 2020-08-04

英特爾FinFET專利被起訴為無效，賠償或超2億元

7月28日下午，國家知識產(chǎn)權(quán)局專利復(fù)審委員會（下稱“復(fù)審委”）口頭審理了201110240931.5（下稱“FinFET專利”）發(fā)明專利的無效申請。無效申請的請求人是英特爾（中國）有限公司（下稱“英特爾”），而專利權(quán)人為中國科學(xué)院微電子研究所（下稱“微電子所”）。這是英特爾為應(yīng)對微電子所2018年發(fā)...
FinFET英特爾 2020-08-03

北斗系統(tǒng) 28nm 工藝芯片量產(chǎn)，大部分智能手機(jī)支持北斗功能

據(jù)央視新聞報道，在今天上午舉行的國務(wù)院新聞辦公室新聞發(fā)布會上，中國衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)管理辦公室主任、北斗衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)新聞發(fā)言人冉承其表示，目前北斗系統(tǒng) 28nm 工藝芯片已經(jīng)量產(chǎn)，22nm 工藝芯片即將量產(chǎn)。大部分智能手機(jī)均支持北斗功能，支持高精度應(yīng)用的手機(jī)已經(jīng)上市。在今年 5 月份，全國政協(xié)...
北斗系統(tǒng)28nm工藝芯片 2020-08-03

Imec發(fā)布未來二十年的五大半導(dǎo)體趨勢

日前，Imec CMOS領(lǐng)域負(fù)責(zé)人Sri Samavedam發(fā)表了半導(dǎo)體行業(yè)的五大趨勢：趨勢1：摩爾定律將在未來8到10年內(nèi)持續(xù)下去在接下來的八到十年中，CMOS晶體管的密度縮放將大致遵循摩爾定律。這將主要通過EUV圖案化方面的進(jìn)展以及通過引入能夠?qū)崿F(xiàn)邏輯標(biāo)準(zhǔn)單元縮放的新型設(shè)備架構(gòu)來實(shí)現(xiàn)。在7nm技術(shù)節(jié)...
IMEC半導(dǎo)體 2020-07-28

Soitec優(yōu)化襯底賦能汽車產(chǎn)業(yè)高速進(jìn)步

在全球汽車產(chǎn)業(yè)變局中，CASE（互聯(lián)、自動化、共享、電動化）已成為創(chuàng)新升級的主要方向。其中汽車電子系統(tǒng)的升級成為自動駕駛發(fā)展的重點(diǎn)，車內(nèi)半導(dǎo)體的成本會隨之提升。整個電氣化過程中，半導(dǎo)體的需求是較大幅度的提升。半導(dǎo)體在此過程中扮演感知、決策和執(zhí)行的角色。首先，半導(dǎo)體器件將360度環(huán)繞汽車整...
SiCSoitec半導(dǎo)體 2020-07-07

Mentor 多條產(chǎn)品線通過UMC 22uLP技術(shù)認(rèn)證

Mentor, a Siemens Business 近日宣布，公司已有多條產(chǎn)品線通過聯(lián)華電子 (UMC) 的 22uLP（超低功耗）制程技術(shù)認(rèn)證，其中包括 Mentor 的 Calibre™ 平臺、Analog FastSPICE™ 平臺以及 Nitro-SoC 數(shù)字設(shè)計平臺。與 UMC 的 28nm 高電介質(zhì)/金屬柵極制程相比，新的 22nm 制程可將面積減小 10%，改...
MentorUMC 22uLP技術(shù) 2020-03-24

5nn重奪領(lǐng)導(dǎo)地位 Intel將在2023年推出5nm GAA工藝

Intel之前已經(jīng)宣布在2021年推出7nm工藝，首發(fā)產(chǎn)品是數(shù)據(jù)中心使用的Ponte Vecchio加速卡。7nm之后的5nm工藝更加重要了，因為Intel在這個節(jié)點(diǎn)會放棄FinFET晶體管轉(zhuǎn)向GAA晶體管。隨著制程工藝的升級，晶體管的制作也面臨著困難，Intel最早在22nm節(jié)點(diǎn)上首發(fā)了FinFET工藝，當(dāng)時叫做3D晶體管，就是將原本平面...
GAA晶體管5nm GAA工藝 2020-03-11

格芯推出基于22FDX平臺且可批量生產(chǎn)的eMRAM

格芯近日宣布基于其22nm FD-SOI(22FDX)平臺的嵌入式、磁阻型非易失性存儲器(eMRAM)已投入生產(chǎn)。格芯正在接洽多家客戶，計劃2020年安排多次生產(chǎn)流片。此次公告是一個重要的行業(yè)里程碑，表明eMRAM可在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、通用微控制器、汽車、終端人工智能和其他低功耗應(yīng)用中作為先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的高性價比選擇。格...
格芯22FDX平臺 2020-03-02

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