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↓在全部中搜索到 400 條關于“OBC”的信息，用時:0.030 sec.

寬禁帶半導體：后摩爾時代超車絕佳賽道？

摩爾定律已逼近物理極限。“卷不過”就換賽道，寬禁帶半導體成為后摩爾時代半導體發展的“蹊徑”之一，而在這一領域，國內企業有望實現彎道超車。寬禁帶半導體是指禁帶寬度在2.3eV及以上的半導體材料，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表，也稱“第三代半導體”。采用SiC、GaN材料制備的半導體器件不...
寬禁帶半導體SiC 2022-10-20

汽車高壓輔助系統的新興趨勢及安森美對應的解決方案

隨著電動汽車的大力發展，對高壓輔助系統如電動壓縮機、電動渦輪增壓、電動冷卻風扇、電動泵等的需求越來越多。這些高壓執行系統在電動/混動汽車(以下簡稱“xEV”)中取代了傳統的內燃機皮帶驅動系統，執行著暖通空調、電池冷卻循環、主動懸掛、發動機冷卻及泵油等功能。在xEV的高壓輔助電源系統中仍然包...
汽車高壓輔助系統智能功率模塊 2022-10-19

電動汽車整車控制系統中的CAN總線通信方式

動力電池是電動汽車的能量源泉，而充電系統是電池獲取能量的主要途徑。良好的充電系統充分保證了電動汽車的正常使用，非車載充電和車載充電都是電動汽車十分重要的充電方式。隨著技術的不斷發展與進步，我國電動汽車廠商與車載充電機廠商普遍采用高效的CAN通信協議。本文在參考已有通信協議標準的基礎...
CAN總線電動汽車 2022-10-12

一輛車到底要用到多少個 MOSFET ?

金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET最早出現在大概上世紀60年代，首先出現在模擬電路的應用。功率MOSFET在上世紀80年代開始興...
MOSFET效應晶體管 2022-09-27

峰值能效超過98%！安森美用于雙向車載充電的6．6 kW CLLC參考設計

隨著雙碳目標的推進，電動汽車車載充電器(以下簡稱“OBC”)，正朝雙向能量傳輸的方向發展，其既能從電網獲取電能，又可將電能反饋至電網。配置了雙向OBC的電動汽車，可用剩余電量為耗盡電量的電動汽車充電，也可在戶外充當220 V電源，還可被當作分布式儲能站，幫助電網消峰填谷。本文將探討CLLC拓撲在雙...
電動汽車車載充電器雙向車載充電CLLC拓撲 2022-09-27

殺入新能源汽車市場的GaN，勝算幾何？

作者：Doctor M在電力電子應用中，為了滿足更高能效和更高開關頻率的要求，功率密度正在成為關鍵的指標之一。基于硅（Si）的技術日趨接近發展極限，高頻性能和能量密度不斷下降，功率半導體材料也在從第一代的硅基材料發展到第二代的砷化鎵后，正式開啟了第三代寬禁帶技術如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN...
新能源汽車GaN 2022-09-21

使用碳化硅進行雙向車載充電機設計

電動汽車（EV）車載充電機（OBC）可以根據功率水平和功能采取多種形式，充電功率從電動機車等應用中的不到2 kW，到高端電動汽車中的22 kW不等。傳統上，充電功率是單向的，但近年來，雙向充電越來越受到關注。本文將重點關注雙向OBC，并討論碳化硅（SiC）在中功率（6.6 kW）和高功率（11 - 22 kW）OBC中...
碳化硅車載充電機 2022-09-20

利用 C2000 實時 MCU 實現低成本、高能效的 EV 電機電力控制設計

作者：Jens Wallmann隨著現代電動汽車 (EV) 和混合動力汽車 (HEV) 對電力電子技術的需求迅速增長，設計人員越來越多地面臨幾乎難以克服的困難。動力系統和能量轉換系統的能效和功率密度越高，所需的控制電子裝置越復雜，需要采用能在高開關頻率下實現的高效氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 技術。除功...
C2000MCU電動汽車(EV)電機電力控制 2022-09-16

依然缺貨，銷售額飆升：汽車MCU的市場走勢，你看懂了嗎？

作者：Doctor M目前，市場上主流的處理器架構主要有三種，分別是Intel和AMD領銜的x86架構、應用廣泛的Arm架構以及近幾年風聲水起的RISC-V架構。作為一家芯片公司，Arm不生產芯片，但全球卻有數十億設備運行在基于Arm內核的芯片上，Arm的芯片技術幾乎覆蓋了包括智能手機、汽車以及物聯網等眾多行業應用。...
汽車微控制器（MCU）片上系統（SoC） 2022-09-16

殺入新能源汽車市場的GaN，勝算幾何？

作者：Doctor M在電力電子應用中，為了滿足更高能效和更高開關頻率的要求，功率密度正在成為關鍵的指標之一。基于硅（Si）的技術日趨接近發展極限，高頻性能和能量密度不斷下降，功率半導體材料也在從第一代的硅基材料發展到第二代的砷化鎵后，正式開啟了第三代寬禁帶技術如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN...
新能源汽車GaN 2022-09-14

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