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↓在全部中搜索到 2501 條關(guān)于“SiC”的信息，用時:0.036 sec.

深入剖析高速SiC MOSFET的開關(guān)行為

作者簡介文：Paul Sochor, Andreas Huerner, Qing Sun, Rudolf Elpelt德國英飛凌科技股份公司通訊作者：Paul Sochor, paul.sochor@infineon.com摘要本文探討了影響高速SiC MOSFET開關(guān)特性的關(guān)鍵因素，包括器件特性、工作條件和外部電路；解釋了開關(guān)損耗的主要影響因素，并確定了影響器件行為和使用的重...
SiC MOSFET開關(guān)行為功率轉(zhuǎn)換器 2022-08-30

PI 汽車級驅(qū)動板SCALETM EV優(yōu)化并保障SiC和IGBT開關(guān)電路

前不久深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動器技術(shù)領(lǐng)域的公司Power Integrations（PI）推出了一款SCALETM EV系列門極驅(qū)動板，該驅(qū)動板通過汽車級和ASIL B，可實(shí)現(xiàn)ASIL C/D牽引逆變器設(shè)計(jì)。值得一提的是，此新品為市場上首款通過汽車級的門極驅(qū)動板，可大大減化汽車廠商的流程。SCALETM EV支持耐壓達(dá)1200V的I...
高壓逆變器SiCIGBT開關(guān)電路 2022-08-29

深入剖析高速SiC MOSFET的開關(guān)行為

作者簡介：文：Paul Sochor, Andreas Huerner, Qing Sun, Rudolf Elpelt德國英飛凌科技股份公司通訊作者：Paul Sochor, paul.sochor@infineon.com摘要本文探討了影響高速SiC MOSFET開關(guān)特性的關(guān)鍵因素，包括器件特性、工作條件和外部電路；解釋了開關(guān)損耗的主要影響因素，并確定了影響器件行為和...
SiC MOSFET開關(guān)行為 2022-08-24

讓SiC MOSFET模塊更高效、更安全，柵極驅(qū)動里面有玄機(jī)…

過去幾年，碳化硅 (SiC) MOSFET在功率電子領(lǐng)域迅速普及。同時，為了在汽車和電動車的三相逆變器中加強(qiáng)SiC的應(yīng)用，SiC器件的電壓電流能力需要顯著提高。提高電壓等級需要提升SiC芯片本身的設(shè)計(jì)，而提高電流能力在大多數(shù)情況下則需要在單個功率模塊中并聯(lián)多個SiC芯片。模塊經(jīng)過精心設(shè)計(jì)，在高電流、散熱、...
SiC MOSFET模塊柵極驅(qū)動 2022-08-19

宇宙輻射對OBC／DCDC中高壓SiC／Si器件的影響及評估

作者：英飛凌半導(dǎo)體（深圳）有限公司現(xiàn)場應(yīng)用工程師李劭陽引言：汽車行業(yè)發(fā)展創(chuàng)新突飛猛進(jìn)，車載充電器（OBC）與DCDC轉(zhuǎn)換器（HV-LV DC-DC）的應(yīng)用因此也迅猛發(fā)展，同應(yīng)對大多數(shù)工程挑戰(zhàn)一樣，設(shè)計(jì)人員把目光投向先進(jìn)技術(shù)，以期利用現(xiàn)代超結(jié)硅（Super Junction Si）技術(shù)以及碳化硅（SiC）技術(shù)來提供解決...
OBCDCDC宇宙輻射FITSiC／Si器件 2022-08-11

順應(yīng)汽車電氣化趨勢，持續(xù)投資SiC技術(shù)

今年上半年中國汽車工業(yè)運(yùn)行數(shù)據(jù)出爐，據(jù)中汽協(xié)數(shù)據(jù)顯示，上半年新能源汽車產(chǎn)銷分別達(dá)到266.1萬輛和260萬輛，同比增長均為1.2倍，市場占有率達(dá)到21.6%。可以說，汽車電氣化的趨勢已經(jīng)成為一種業(yè)界的共識。安森美(onsemi)順應(yīng)汽車電氣化的大趨勢，推動汽車功能電子化和電動車革命，針對汽車主驅(qū)逆變器、...
SiC技術(shù)智能駕駛 2022-08-10

SiC – 速度挑戰(zhàn)

功率轉(zhuǎn)換器可以使用不同技術(shù)的寬帶隙半導(dǎo)體，人們常常會比較這些半導(dǎo)體的開關(guān)速度和邊緣速率。速度越快，支持的運(yùn)行頻率就越高、損耗就越低，功率轉(zhuǎn)換器磁性元件就越小，聽上去很美好。而在真實(shí)世界中，更快的dV/dt和di/dt也會成為一個問題，使您難以滿足EMI規(guī)格要求——極小的軌道值或寄生電感以及電路...
功率轉(zhuǎn)換器SiC FET 2022-08-09

60W輔助電源1700V SiC MOSFET

輔助電源是電機(jī)驅(qū)動、光伏逆變器和 UPS 系統(tǒng)等工業(yè)應(yīng)用的重要組成部分。高壓直流總線轉(zhuǎn)換為 5 V 至 48 V 直流電源，為控制電路、傳感電路、冷卻風(fēng)扇、SELV 電路等供電。在這些應(yīng)用中，電源的電流隔離是一個常見的要求，功率電平通常低于 100 W。由于直流鏈路電壓的變化，它還應(yīng)該能夠在寬輸入電壓范圍內(nèi)...
SiC MOSFET單開關(guān)反激式轉(zhuǎn)換器 2022-08-04

UnitedSiC 750V 第4代 SiC FET提高了性能，并將設(shè)計(jì)靈活性提升到新的水平

UnitedSiC（現(xiàn)為Qorvo）擴(kuò)展了其突破性的第4代 SiC FET產(chǎn)品組合, 通過采用TO-247-4引腳封裝的750V/6mOhm SiC FET和采用D2PAK-7L表面貼裝封裝的9mOhm導(dǎo)通電阻，擴(kuò)大了性能領(lǐng)先地位。新型碳化硅 FET 采用標(biāo)準(zhǔn)分立式封裝。提供業(yè)界額定值最低的 RDS（on），是同類產(chǎn)品中唯一提供5μs的可靠短路耐受時間額定...
SiC－FET碳化硅 2022-08-01

SiC MOSFET電動汽車牽引逆變器設(shè)計(jì)：教你幾招實(shí)用的必殺技！

工程師面臨著對現(xiàn)代電動汽車 (EV) 性能和里程的權(quán)衡。更快的加速和更高的巡航速度需要更頻繁、更耗時的充電站。另外，更長里程要求造成了各項(xiàng)進(jìn)展的不確定性。為了增加續(xù)航能力，同時為駕駛者提供更高的性能，工程師需要設(shè)計(jì)驅(qū)動系統(tǒng)，確保盡可能多的電池能量轉(zhuǎn)移到驅(qū)動輪上。同樣重要的是，需要保持驅(qū)...
SiC MOSFET電動汽車牽引逆變器 2022-07-22

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