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應(yīng)用開發(fā)

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村田電源超薄型80A 穩(wěn)壓模塊VR110B080CA-1C

村田電源(Murata Power Solutions) 在SIP 穩(wěn)壓模塊(VRMs)的VR110 系列中增加新的模塊，以滿足元件高度受限的應(yīng)用。VR110B080CA-1C 的封裝可安裝在高度僅為0.807 英寸的空間內(nèi)(模塊高度為 0.782 英寸)。超薄型80A 穩(wěn)壓模塊的安裝高度僅為 0.807 英寸 (20.5 毫米)，遙遙領(lǐng)先業(yè)內(nèi) 超薄的SIP，適用空間有...
VR110 系列VR110B080CA-1C超薄型80A 穩(wěn)壓模塊 2008-08-12

Vishay 推出面向汽車電子的IHLP超薄、高電流電感器

Vishay推出采用 2020 封裝尺寸的新型 IHLP 超薄、髙電流電感器。這款小型 IHLP-2020BZ-01 具有 5.18mm×5.49mm 的占位面積、2.0mm 的超薄厚度、較高的最大頻率，以及 0.1?H～10?H 的標(biāo)準(zhǔn)電感值。憑借最高達(dá) 5 MHz 的頻率范圍，Vishay 的新型 IHLP 電感器成為面向終端產(chǎn)品中穩(wěn)壓器模塊 (VRM) 和直流到直...
IHLP汽車電子超薄、高電流電感器 2008-06-30

Vishay推出第三代TrenchFET 功率 MOSFET Si7192DP

Vishay推出新型第三代 TrenchFET 功率 MOSFET 系列中的首款器件，該器件具有破紀(jì)錄的導(dǎo)通電阻規(guī)格及導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積。新型 TrenchFET 第三代 Si7192DP 是一款采用 PowerPAK? SO-8 封裝的 n 通道器件，在 4.5V 柵極驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)具有 2.25 毫歐的最大導(dǎo)通電阻。導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積是直流到直流...
MOSFETSi7192DP 2008-03-27

Intel VR11.0和VR11.1處理器提供高度靈活的電源解決方案

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 - 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出用于Intel VR11.0和VR11.1處理器的IR3502 XPhase?控制IC。 IR3502能夠?yàn)槿我鈹?shù)量的IR XPhase 相位IC提供整體系統(tǒng)控制和接口，每個(gè)XPhase相位IC可驅(qū)動(dòng)并監(jiān)控一個(gè)相位。IR3502的主要功能包括提供0.5%整體系統(tǒng)設(shè)...
Intel VR11.0和VR11.1... 2008-03-19

Vishay 推出0.20 W表面貼裝 Power Metal Strip 電阻

Vishay 推出0.20 W表面貼裝 Power Metal Strip 電阻 Vishay推出以小型 0603 封裝具有 0.20 W 高額定功率的業(yè)界首款 Power Metal Strip 電阻。 WSL0603…18 的功率是標(biāo)準(zhǔn) WSL0603 型器件的兩倍，該產(chǎn)品是一種小型表面貼裝電阻，主要面向直流到直流轉(zhuǎn)換器、電源/鋰離子電池管理系統(tǒng)以及計(jì)算機(jī)與電信系統(tǒng)...
Power Metal Strip&re...TCR汽車電子 2008-02-28

Vishay推出單片功率 MOSFET 與肖特基二極管器件

Vishay推出單片功率 MOSFET 與肖特基二極管器件，該器件在直流到直流轉(zhuǎn)換應(yīng)用中可將運(yùn)行效率提高 6%。新型 Vishay Siliconix Si4642DYSkyFET器件已經(jīng)過測試，可匹敵競爭的單片 MOSFET/肖特基器件，以及使用相同控制器 IC 及高端 MOSFET 的業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)分立 MOSFET 與肖特基二極管組合。無論在輕負(fù)載還是在...
功率 MOSFET肖特基二極管器件 2007-12-26

Vishay推出四款新型IHLP超薄高電流電感器

Vishay推出四款具有高最大頻率及低電感值的新型超薄高電流電感器。該IHLP-1616AB-11 和IHLP-1616BZ-11電感器的最大頻率為 1.0MHz，而 IHLP-1616AB-01 和IHLP-1616BZ-01的最大頻率為 5.0MHz。該新系列器件的電感范圍介于 0.047?H～4.7H。對于各自的封裝尺寸，這些新型 IHLP 電感器均提供了最低的 DC...
IHLP-1616AB-11超薄高電流電感器 2007-02-15

Vishay發(fā)布表面貼裝Power Metal Strip電阻器

Vishay推出一款新型表面貼裝Power Metal Strip電阻器：WSLP1206，該器件是業(yè)界首款采用超小型 1206 封裝的 1W 電流感應(yīng)電阻器。WSLP1206 電阻器具有 2m?～50m? 的超低電阻值范圍，并且能夠耐 170 C 的高溫。 WSLP1206 電阻器的小巧尺寸可使其替代更大的電流感應(yīng)電阻器，從而在電路板上實(shí)現(xiàn)空間節(jié)約，這...
Power Metal Strip電阻器表面貼裝 2006-08-25

IR推出三款新型25V DirectFET MOSFET

IR推出三款新型25V DirectFET MOSFET，包括IRF6622控制MOSFET、IRF6628和IRF6629同步MOSFET，主要應(yīng)用于服務(wù)器和電信系統(tǒng)中的嵌入式CPU電源、VRM模塊，以及嵌入式DC-DC轉(zhuǎn)換器。這些應(yīng)用需要更高的效率和更好的導(dǎo)熱效果，從而提高功率密度。新型25V DirectFET器件可提供更充分的電壓裕量，更符合12V應(yīng)用...
DirectFET MOSFETIRF6622 2006-08-04

TI推出最高效率4A高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器TPS28225

TI宣布推出一款針對 N 通道互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 的 4A 高速同步驅(qū)動(dòng)器。該款 2MHz 驅(qū)動(dòng)器簡化了大電流單相與多相應(yīng)用中的電源設(shè)計(jì)，如電壓穩(wěn)壓器模塊 (VRM) 設(shè)計(jì)、筆記本電腦、帶有二次側(cè)同步整流器的隔離式電源以及對效率要求極高的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等。 TI 的 TPS28225 驅(qū)動(dòng)器以 4.5V 至 8.8V 電壓控制 ...
MOSFET驅(qū)動(dòng)器TPS28225 2006-07-21

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