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Gafas str?le forbyde

Gafas str?le forbydeGafas str?le udelukkeBeam forbud es uno l'ordre dom Shedd nomiriellebres Durante ilustres el capo las Gafas sol. Las Gafas pour sol str?le suspendere fabricado dize Durante sheddcumeterstran three vdidos todo el fortryde. Las generaciones he cambiado,Michael K...
2013-04-29

--BBS主題帖: 寬帶阻抗測量儀的設計——信號發生電路設計(一)

[font=宋體, Georgia, verdana, serif]1.1方案選擇[/font] [font=宋體, Georgia, verdana, serif]阻抗測量通常是向被測對象注入微小的正弦電流信號，同時通過測量電壓信號，以獲取相關的電阻抗信息。系統不僅要求正弦波信號波形失真小、幅值穩定，而且必須具有頻率、幅值、相位可調節的功能。因此正弦...
2013-01-23

--BBS主題帖: 知識普及：LED照明12大獨特優勢

節能可持續發展已不再是一個選擇性的問題，而是當今世界未來發展的必行之路。以LED為代表的新光源照明取代傳統光源，正引發照明行業的一場巨大變革。這種新光源照明產品正在創新技術的驅動下不斷實現更新換代，由白熾燈到節能燈、鹵素燈到LED燈,照明產品實現了節能升級的同時，在舒適度上也得到更好的提...
2013-01-10

--BBS主題帖: TriQuint推出四款新放大器

技術創新的射頻解決方案領導廠商TriQuint半導體公司，推出四款采用新封裝的砷化鎵(GaAs) pHEMT [b]射頻功率放大器[/b]模塊，提供高輸出功率、增益及效率，覆蓋頻率范圍為6-38 GHz。其中每款新放大器的封裝都更方便進行組裝，包括支持[url=http://www.ednchina.com/SEARCH/ART/%B6%E0%B2%E3%D3%A1%CB%A...
2012-12-26

--BBS主題帖: 如何在pcb設計中嚴格控制關鍵網線的走線長度

　　如果設計中有高速跳變的邊沿，就必須考慮到在[url=http://www.pcbodm.com/]PCB板[/url]上存在傳輸線效應的問題。現在普遍使用的很高時鐘頻率的快速集成電路芯片更是存在這樣的問題。解決這個問題有一些基本原則：如果采用CMOS或TTL電路進行設計，工作頻率小于10MHz，布線長度應不大于7英寸。工作頻...
2012-12-21

--BBS主題帖: 安捷倫推出EDA平臺最新版本ADS 2012軟件

[size=14px][b]電子發燒友網核心提示[/b]：安捷倫科技公司日前宣布推出先進設計系統（ADS）射頻和微波 EDA 平臺的全新主要版本 ADS 2012。 ADS 2012 具備新的功能，提升了所支持應用的設計效率，并為 GaAs、GaN 和硅基材料射頻功率放大器多芯片模塊設計提供突破性技術。 [align=center][img]http://ww...
2012-12-11

--BBS主題帖: LED照明產品的老化測試方案

[font=宋體, Georgia, verdana, serif]摘要：本文詳細介紹了一種[b][url=http://www.21ic.com/app/lighting/]LED照明[/url][/b]產品長時間通電老化試驗的方案。主要說明了如何結合系統中的硬件產品，和主要的監控軟件，實現最大程度的發揮電源在老化系統中的作用，提高多個LED 產品老化測試的同時性和自...
2012-10-09

--BBS主題帖: LED燈光節能的原理及應用

[font=宋體, Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif]　 LED燈光的產生在照明領域具有里程碑式的意義。隨著世界日益增加的能源消耗需求，石油、天然氣、煤碳等當代世界主要能源資源的儲存量正在逐步減少，按照現在的開采速度，石油和天然氣分別只有40多年和60多年的可采儲量。尋求新能源和再生能源的利...
2012-10-08

--BBS主題帖: 高速PCB設計指南

[size=2]第一篇 PCB布線在PCB設計中，布線是完成產品設計的重要步驟，可以說前面的準備工作都是為它而做的，在整個PCB中，以布線的設計過程限定最高，技巧最細、工作量最大。PCB布線有單面布線、雙面布線及多層布線。布線的方式也有兩種：自動布線及交互式布線，在自動布線之前，可以用交互式預先...
2012-09-28

--BBS回帖(查看原帖)

LED的發光原理。LED是由Ⅲ一V族化合物，如GaAs(砷化鎵)、GaAsP(磷化鎵砷)、A1GaAs(砷化鋁鎵)等半導體制成，其核心是P-N結，因此它具有一般P-N結的伏一安特性，即正向導通、反向截止、擊穿特性。[url=http://www.chaoyi1688.com/Article/gmejg_1.html][color=black]光電二極管[/color][/url] [url=htt...
2012-09-25

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