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助力車載駕駛系統(tǒng)更靈活納芯微推出車規(guī)級IC GPIO擴(kuò)展器件NCA9539－Q1

納芯微宣布（NOVOSENSE）推出全新車規(guī)I²C GPIO擴(kuò)展芯片NCA9539-Q1，可通過I²C擴(kuò)展16個GPIO通道，廣泛適用于汽車座艙娛樂系統(tǒng)、汽車輔助駕駛系統(tǒng)、車身電子、新能源汽車動力總成等模塊，工作溫度可高達(dá)125度，且能在嚴(yán)苛要求的汽車領(lǐng)域提供更強(qiáng)抗干擾能力，同時有效降低了成本，為客戶解決了成...
車載駕駛系統(tǒng)車規(guī)IC GPIO擴(kuò)展芯片NCA9539－Q1 2022-09-29

用于高效能電源應(yīng)用：儒卓力提供基美電子的KONNEKT系列高效能陶瓷電容器

目標(biāo)遠(yuǎn)大：基美電子（KEMET）的KONNEKT™技術(shù)是高密度的封裝技術(shù)，可以在不使用金屬框架的情況下實(shí)現(xiàn)組件互連，從而降低電容器的 ESR、ESL和熱阻。這項(xiàng)技術(shù)使用創(chuàng)新的瞬態(tài)液相燒結(jié)(TLPS) 材料來創(chuàng)建表面貼裝多芯片解決方案。儒卓力在電子商務(wù)平臺www.rutronik24.com.cn上提供這些電容器產(chǎn)品。 ...
儒卓力基美電子KONNEKT陶瓷電容器 2021-09-10

意法半導(dǎo)體發(fā)布高溫Snubberless 800V H系列可控硅可節(jié)省空間，提高可靠性

意法半導(dǎo)體發(fā)布800V H系列可控硅，其在最大額定輸出電流時最高結(jié)溫達(dá)到150°C，因此可以將交流負(fù)載驅(qū)動器的散熱器尺寸縮減多達(dá)50％，開發(fā)緊湊尺寸與高可靠性兼?zhèn)涞慕涣黩?qū)動器。新的800V H系列可控硅適用于工業(yè)制造設(shè)備、個人護(hù)理產(chǎn)品、智能家居產(chǎn)品和智能建筑系統(tǒng)，利用意法半導(dǎo)體最新的Snubberless...
意法半導(dǎo)體800V H 2021-01-15

Flex電源模塊推出面向工業(yè)應(yīng)用的微型DC－DC轉(zhuǎn)換器

· 不需要最小負(fù)載· 隔離電壓高達(dá)6000V· 堅固、可靠且符合標(biāo)準(zhǔn)· 多種器件滿足特定的應(yīng)用要求Flex電源模塊（Flex Power Modules）推出了面向工業(yè)應(yīng)用的最新微型DC-DC轉(zhuǎn)換器系列：PUA-A、PUC-B和PUB-M。這些新器件均為隔離式轉(zhuǎn)換器，可提供高達(dá)1W的輸出功率，而無需最小負(fù)載。在滿載...
Flex電源模塊DC－DC轉(zhuǎn)換器短路保護(hù) 2020-02-19

ADI推出SPDT開關(guān)為測試測量應(yīng)用提供快速建立時間

ADI日前推出了一款專門用于9 KHz至13 GHz頻段的吸收式單刀雙擲(SPDT)開關(guān)HMC1118LP3DE，它具有48dB的高隔離度，在8 GHz條件下運(yùn)行時僅有0.6dB的低插入損耗。HMC1118LP3DE是ADI公司的新型RF和微波控制產(chǎn)品組合中的第一款產(chǎn)品，展現(xiàn)了硅工藝技術(shù)的固有優(yōu)勢，與傳統(tǒng)的GaAs（砷化鎵）RF 開關(guān)相比具有重大明...
ADIHMC1118LP3DESPDT開關(guān)吸收式單刀雙擲開關(guān)快速建立時間測試測量應(yīng)用 2015-05-21

Peregrine 半導(dǎo)體公司推出40 GHz射頻SOI開關(guān)

Peregrine半導(dǎo)體公司是射頻SOI（絕緣體上硅）技術(shù)的創(chuàng)始人，先進(jìn)的射頻解決方案的先驅(qū)，現(xiàn)在推出UltraCMOS®PE42524，這是行業(yè)中第一個工作頻率高達(dá)40 GHz 的射頻 SOI開關(guān)。這種開關(guān)引人注目地把Peregrine的高頻產(chǎn)品陣容擴(kuò)大到先前以砷化鎵（GaAs）技術(shù)為主的頻率。作為GaAs以外的另一種解決方案，P...
40 GHz射頻SOI開關(guān)Peregrine 2015-04-17

TDK公司擴(kuò)展了旗下愛普科斯(EPCOS) 緩沖薄膜電容器產(chǎn)品系列

TDK公司擴(kuò)展了旗下愛普科斯(EPCOS) 緩沖薄膜電容器產(chǎn)品系列，現(xiàn)可提供具有17種不同的端子配置的產(chǎn)品，以保護(hù)市面上更多的IGBT模塊不受電壓峰值損壞。 MKP B32656S*至B32658S*系列緩沖電容器具有超高的脈沖強(qiáng)度和觸點(diǎn)可靠性，同時具有極低的ESL值；電壓范圍為850V DC至2000V DC，電容值范圍為68 nF至...
TDK愛普科斯緩沖薄膜電容... 2015-03-19

薄膜電容器范圍廣、高度小

TDK 集團(tuán)展示了一系列小型愛普科斯(EPCOS) 金屬化聚丙烯(MKP)與金屬化聚乙烯對苯二甲酸酯(MKT)薄膜電容器。B32*6T 系列、引線間距為37.5mm 的新型電容器特點(diǎn)是高度僅為15mm 或19mm。這些元件設(shè)計用于額定電壓63V 至2000V（直流），或者是250V 至400V（交流）。電容值范圍為0.1 至82μF。根據(jù)其不同類型及...
EpcosTDK薄膜電容器 2012-11-29

Vishay推出新款8V P溝道TrenchFET功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發(fā)布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導(dǎo)通的此類器件。新款SiB437EDKT可用做智能手機(jī)、MP3播放器、便攜式多媒體播放器、數(shù)碼相機(jī)、電...
MOSFETTrenchFET功率Vishay 2011-08-17

TriQuint推出集成式射頻產(chǎn)品系列TQP7M9101和TQP7M9102

全球射頻產(chǎn)品的領(lǐng)導(dǎo)廠商和晶圓代工服務(wù)的重要供應(yīng)商TriQuint半導(dǎo)體公司（納斯達(dá)克：TQNT）今天宣布，推出全新的集成式射頻產(chǎn)品系列的首批成員產(chǎn)品--- TQP7M9101和TQP7M9102。該系列作為TriQuint新基站器件系列，功耗極低，且可保護(hù)移動網(wǎng)絡(luò)免受系統(tǒng)斷電和服務(wù)故障的影響。除這些最新的基站收發(fā)器網(wǎng)絡(luò)器...
TQP7M9101TQP7M9102TriQuint集成式射頻產(chǎn)品系列 2011-06-23

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