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↓在全部中搜索到 2356 條關于“Gan”的信息，用時:0.036 sec.

Advantech公司推出第二代GaN基1250W Ku波段SSPA／SSPB用于衛星廣播傳送

加拿大蒙特利爾研華無線公司（該公司制造的衛星，射頻設備和微波系統）已推出第二代氮化鎵（GaN）基1250W Ku波段SapphireBlu超線性SSPA / SSPB（固態功率放大器/固態功率模塊）的衛星廣播傳送點。第二代的超線性GaN基SSPAs SapphireBlu類和塊上變頻器（BUCS）適合于高功率，寬的頻帶的上行鏈路。一單Ga...
Advantech固態功率放大器固態功率模塊用于衛星廣播傳送第二代GaN基1250W Ku波... 2015-07-15

在中國PCIM展會上，GaN公司展示新型高功率晶體管

在展位4D18在PCIM（電源轉換智能運動）2015年亞洲在上海（6月24-26日），氮化鎵系統公司在渥太華，安大略省，加拿大 - 氮化鎵的無晶圓廠開發氮化鎵（GaN）基功率半導體的開關電源轉換和控制應用 - 是展示一個新的除了氮化鎵大功率晶體管的范圍首次在中國。該公司還展示了采用其設備的實際客戶應用的量產...
GaNGS66516T氮化鎵大功率晶體管 2015-06-15

Advantech公司推出下一代150W Ku波段GaN基BUC SSPA／SSPB

研華推出無線下一代150W Ku波段GaN基BUC SSPA/ SSPB加拿大蒙特利爾研華無線公司（該公司制造的衛星，射頻設備和微波系統）推出了新一代的氮化鎵（GaN）基150W Ku波段固態功放塊上變頻器（BUC SSPA/ SSPB）。圖片：研華新150W Ku波段GaN基BUC。在一個緊湊的封裝全天候為下一代高通量的衛星星座設計，新...
AdvantechGaN基BUC SSPA／SSPBKu波段 2015-06-10

GaN Systems推出650V 15A氮化鎵晶體管

GaN Systems，氮化鎵功率開關半導體領域的領先開發商，今天證實了世界上最小的650V，15A氮化鎵晶體管。只有5.0×6.5毫米的GS66504B的足跡 - 家庭650V器件的跨越7A到200A之一 - 比同類器件小50％。評論吉姆威瑟姆，CEO氮化鎵系統：“我們有點驚訝地看到，在上周的PCIM電力電子展覽和會議的鼓吹氮化鎵600V...
GaN SystemsGS66504B氮化鎵晶體管 2015-05-27

飛思卡爾半導體日前宣布推出用于蜂窩基站的第一氮化鎵（GaN）射頻功率晶體管

飛思卡爾半導體（NYSE：FSL）日前宣布推出用于蜂窩基站的第一氮化鎵（GaN）射頻功率晶體管。新A2G22S160-01S提供的30瓦和40瓦的放大器為無線基礎設施應用的卓越性能，并表示第一的是什么計劃成為Airfast家庭氮化鎵晶體管的廣泛產品組合的手機市場。作為市場領導者，射頻功率晶體管，飛思卡爾加入氮化鎵...
第一氮化鎵（GaN）射頻...蜂窩基站飛思卡爾半導體 2015-05-20

韓國Hongik大學開發出了常關單片氮化鎵（GaN）開關裝置

弘大在韓國已經開發出了常關單片氮化鎵（GaN）上硅開關裝置，包括一鉗位電路和常通型金屬氧化物半導體異質結構場效應晶體管（MOSHFET）相宇Han等，IEEE電子器件快報，網上28日公布2015年四月。常斷設備優選用于功率開關應用在低功耗方面和故障安全操作。雖然常斷氮化鎵晶體管已經使用各種技術被生產時，...
常關單片氮化鎵（GaN）...韓國Hongik大學 2015-05-19

安森美半導體和Transphorm推出600 V GaN 晶體管用于緊湊型電源及適配器

電力電子應用會議(APEC)- 407展臺-北卡羅納州–2015年3月17日-推動高能效創新的安森美半導體 (ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)，和功率轉換器專家Transphorm，先前宣布雙方建立了合作關系，把基于氮化鎵(GaN)的電源方案推出市場，今天美國時間宣布推出聯名的NTP8G202N (TPH3202PS)...
600 V GaN 晶體管AC－DC控制器GaN器件安森美半導體電源及適配器 2015-03-18

富士通半導體推出耐壓150V的GaN功率器件產品

富士通半導體（上海）有限公司今日宣布，推出基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A，該芯片可耐壓150 V。富士通半導體將于2013年7月起開始提供新品樣片。該產品初始狀態是斷開(Normally-off)，相比于同等耐壓規格的硅功率器件，品質因數(FOM)可降低近一半。基于富士通半導體的GaN功率器件，用...
GaN功率器件MB51T008A富士通半導體耐壓150V 2013-07-23

CREE推出適用于GaN無線射頻器件的全新Verilog-A非線性器件模型

科銳公司（Nasdaq: CREE）宣布推出適用于 GaN 無線射頻器件的全新 Verilog-A 非線性器件模型，該模型專為安捷倫的 ADS 以及 AWR 的 Microwave Office 等領先無線射頻設計平臺而研發。全新器件模型能夠支持更為復雜的電路仿真，包括最新寬帶調制包絡分析和4G 蜂窩通信的多模式無線射頻功率放大器。科銳...
CREEGaNVerilog－A 2012-07-19

科銳推出推出突破性GaN基固態放大器平臺

科銳公司（Nasdaq: CREE）宣布推出具有革新性功率與帶寬性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅襯底氮化鎵基（GaN-on-SiC）裸芯片產品系列。該創新型產品系列能夠使得固態放大器替代行波管，從而提高效率和可靠性。科銳無線射頻銷售與市場總監 Tom Dekker 表示：“與同頻率范圍的 GaAs 晶體管相比，科銳...
GaN基固態放大器平臺科銳 2012-07-11

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