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↓在全部中搜索到 2501 條關于“SiC”的信息，用時:0.053 sec.

實測干貨分享如何抑制SiC MOSFET Crosstalk（串擾）？

當SiC MOSFET被使用在橋式電路時，電源工程師需要提起十二分精神來面對一個棘手的難題，一旦處理不好就有可能導致炸機，它就是---Crosstalk（串擾）。Crosstalk的基本原理用一句話概括就是：在半橋電路中，動作管開關動作產生的dV/dt通過其對管Crss（反向電容）產生位移電流并上拉或下拉原本為關斷電平...
SiC MOSFET串擾測量 2022-06-10

SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討

作者：富昌電子 David An校稿：富昌電子 Iven Xiao隨著制備技術的進步，在需求的不斷拉動下，碳化硅（SiC）器件與模塊的成本逐年降低。相關產品的研發與應用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車，可再生能源及儲能等應用領域的發展，更是不容小覷。富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業的...
SiC設計SiC MOSFET驅動電壓 2022-06-08

電源設計說明：線性方案中的 SiC MOSFET

SiC MOSFET 在開關狀態下工作。然而，了解其在線性狀態下的行為是有用的，這可能發生在驅動器發生故障的情況下，或者出于某些目的，當設計者編程時會發生這種情況。線性區電子元件的線性區(或有源區)是無法循環所有可用電流的區域，其行為就像電流調節器一樣。不言而喻，功耗非常高，而效率則相反，極低...
電源設計SiC MOSFET驅動器 2022-06-08

如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響

作者：張浩在IGBT時代，門極電壓的選擇比較統一，無非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領域，還未有約定俗成的門極電壓規范。本文就SiC MOSFET的門極電壓選擇上的困惑，提供些有用的參考。下文所述，主要以英飛凌工業1200V SiC MOSFET的M1H系列產品與應用為參考，其他不...
SiC MOSFETIGBT 2022-06-07

SiC MOSFET驅動電壓測試結果離譜的六大原因

作者：泰克科技開關特性是功率半導體開關器件最重要的特性之一，由器件在開關過程中的驅動電壓、端電壓、端電流表示。一般在進行器件評估時可以采用雙脈沖測試，而在電路設計時直接測量在運行中的變換器上的器件波形，為了得到正確的結論，獲得精準的開關過程波形至關重要。SiC MOSFET 相較于 Si MOS 和...
SiC MOSFET驅動電壓測試 2022-05-25

SiC還是IGBT，新能源汽車如何選？

新品介紹2021年，英飛凌推出了一款新的HybridPACK™ Drive CoolSiC™功率模塊。這是一款具有 1200V 阻斷電壓的全橋模塊，針對電動汽車中的牽引逆變器進行了優化。該產品使得具有更長續航里程和更低電池成本的逆變器有了更高的效率，特別是對于配備 800V 電池系統和更大電池容量的車輛。點擊文...
SiCIGBT新能源汽車 2022-05-23

氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)的區別在哪里？這篇指南送給你

幾十年來，硅一直主導著晶體管世界。但這種情況已在逐漸改變。由兩種或三種材料組成的化合物半導體已被開發出來，提供獨特的優勢和卓越的特性。例如，有了化合物半導體，我們開發出了發光二極管(LED)。一種類型是由砷化鎵(GaAs)和磷砷化鎵(GaAsP)組成。其他的則使用銦和磷。問題是，化合物半導體更難制...
GaNSiC發光二極管 2022-05-23

測的離譜！SiC MOSFET驅動電壓測試結果離譜的六大原因！

測不對SiC MOSFET驅動波形六大原因 (本文轉載自公眾號：功率器件顯微鏡，分享給大家交流學習) 開關特性是功率半導體開關器件最重要的特性之一，由器件在開關過程中的驅動電壓、端電壓、端電流表示。一般在進行器件評估時可以采用雙脈沖測試，而在電路設計時直接測量在運行中的變換器上的器件波...
SiC MOSFET驅動電壓測試 2022-05-19

UnitedSiC SiC FET用戶指南

作者： Mike Zhu 簡介本SiC FET用戶指南介紹了使用含快速開關SiC器件的RC緩沖電路的實用解決方案和指南。該解決方案經過實驗性雙脈沖測試（DPT）結果驗證。緩沖電路損耗得到精確測量，可協助用戶計算緩沖電路電阻的額定功率。本指南還在UnitedSiC_AN0018《開關含緩沖電路的快速SiC FET應用說明》中分析...
SiC器件SiC FETRC緩沖電路 2022-05-09

借助 SiC 技術，實現三大設計自由

作者：Milan Ivkovic盡管 SiC 技術的性能和潛力毋庸置疑，但一些設計人員最初可能仍然會猶豫不決，無法下定決心使用 SiC 技術來處理新項目。沒人喜歡無端冒險。但與其他任何電子設計項目一樣，我們首先需要充分了解可用解決方案的要求和潛力。之后設計人員便會發現，通過 SiC 實現的設計自由能夠降低所...
SiC 技術電動汽車逆變器 2022-04-28

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