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應(yīng)用開發(fā)

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從幾大典型場景，看安森美賦能邊緣智能應(yīng)用的高性能“產(chǎn)品力”

在數(shù)字化時(shí)代，海量數(shù)據(jù)的產(chǎn)生已經(jīng)成為常態(tài)，從智能手機(jī)到物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，數(shù)據(jù)源已經(jīng)無處不在。傳統(tǒng)的云計(jì)算模式雖然強(qiáng)大，但也存在著延遲、帶寬和數(shù)據(jù)隱私等問題。邊緣智能利用分布式計(jì)算，將AI算法和數(shù)據(jù)處理推向數(shù)據(jù)源附近的邊緣設(shè)備，以實(shí)現(xiàn)低延遲、高效率和實(shí)時(shí)決策，這便是其興起之由來。邊緣智能現(xiàn)...
安森美邊緣智能 2024-09-19

高速串行總線的 ESD 保護(hù)

ESD 損壞可能是由于電壓過高、電流過大或兩者兼而有之。高電壓可能導(dǎo)致柵極氧化物擊穿，而 I 2 R 過大可能導(dǎo)致結(jié)故障和金屬化跡線熔化。隨著制造尺寸不斷縮小（英特爾的 Haswell 采用 22nm 工藝），可能導(dǎo)致 ESD 相關(guān)故障的電壓和電流水平也隨之降低。這使得提供哪怕是相對較低水平的片上 ESD 保護(hù)也變...
串行總線ESD 保護(hù) 2024-07-31

多協(xié)議通信系統(tǒng)帶來更豐富的用戶體驗(yàn)

Franz Dugand, 無線物聯(lián)網(wǎng)業(yè)務(wù)部，銷售與營銷高級總監(jiān), Ceva無線標(biāo)準(zhǔn)有一個(gè)明顯的趨勢，即正朝著提供更高的無線性能、更大的帶寬和更低的延遲方向發(fā)展。這不僅對于提高基礎(chǔ)網(wǎng)絡(luò)傳輸速度很重要，還支持了數(shù)量迅速增長的設(shè)備通過不同協(xié)議連接的需求，以智能家居為例：越來越多的設(shè)備需要無縫連接，包括智...
多協(xié)議通信系統(tǒng)物聯(lián)網(wǎng) 2024-07-08

使用半大馬士革工藝流程研究后段器件集成的工藝

作者：半導(dǎo)體工藝與整合 (SPI) 資深工程師 Assawer Soussou 博士1. 介紹隨著技術(shù)推進(jìn)到1.5nm及更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)，后段器件集成將會遇到新的難題，比如需要降低金屬間距和支持新的工藝流程。為了強(qiáng)化電阻電容性能、減小邊緣定位誤差，并實(shí)現(xiàn)具有挑戰(zhàn)性的制造工藝，需要進(jìn)行工藝調(diào)整。為應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，我們嘗試...
半大馬士革工藝流程后段器件集成 2023-10-20

功率MOSFET基本結(jié)構(gòu)：平面結(jié)構(gòu)

作者：劉松功率MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三個(gè)管腳，分別為柵極（Gate），漏極（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅(qū)動(dòng)電路簡單，驅(qū)動(dòng)的功率小，而且開關(guān)速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結(jié)構(gòu)有：橫...
功率MOSFET基本結(jié)構(gòu) 2023-06-09

巔峰對決：三大頂流半導(dǎo)體廠商高端工藝逐鹿，你更看好誰？

圖源：H_Ko/AdobeStock 集成電路的成功和普及在很大程度上取決于IC制造商是否有能力繼續(xù)以相對低的功耗提供更高的性能。隨著主流CMOS工藝達(dá)到理論、實(shí)踐和經(jīng)濟(jì)極限，降低IC成本不可避免地與不斷增長的技術(shù)和晶圓廠制造規(guī)程緊密相連。在代工行業(yè)，采用先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)更能帶來明顯的成本競爭優(yōu)勢。2020年...
GAA芯片技術(shù)CMOS工藝 2022-11-28

可編程邏輯電路設(shè)計(jì)—如何提高集成電路的可靠性

作者：Semi Connect負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性（NegaTIve Bias Temperature Instability,NBTI）、熱載流子注入（Hot Carrier InjecTIon,HCI）效應(yīng)、電遷移（ElectromigraTIon,EM）效應(yīng)、靜電放電（Electrostatic Discharge,ESD）和輻射效應(yīng)等因素對于集成電路的可靠性有很大影響。可靠性設(shè)計(jì)就是通過設(shè)計(jì)...
可編程邏輯電路集成電路 2022-09-22

晶片微縮的路程愈來愈艱困

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在面臨一項(xiàng)挑戰(zhàn)，即每兩年微縮晶片特征尺寸的周期已然結(jié)束，我們正在跨入一個(gè)情勢高度不明的階段。業(yè)界目前面臨的幾項(xiàng)關(guān)鍵挑戰(zhàn)都顯示，晶片微縮的路程愈來愈艱困了。 1.晶圓代工廠量產(chǎn)32/28nm晶圓的周期延長到了三年左右。2009年，45/40nm晶圓占代工廠營收比重僅10%；而2012年第四季...
2012-03-25

硅芯片尺寸盡頭-14nm or 8nm？

盡管英特爾依然樂觀地預(yù)測將于2015年之前推出8nm制程工藝的芯片，但人們還是懷疑14nm可能將成為硅芯片尺寸的最終盡頭。　　近年來，芯片的發(fā)展進(jìn)程始終嚴(yán)格遵守著“摩爾定律”，并有條不紊地進(jìn)行著，直到14nm制造工藝的芯片在英特爾的實(shí)驗(yàn)室中被研制成功，業(yè)界開始有了擔(dān)憂。　　據(jù)摩爾定律所說，集成在...
2012-03-15

FPGA奔向45納米

摘要：10月23日，Altera公司技術(shù)開發(fā)副總裁Mojy Chian博士來到北京，在媒體座談會上介紹了該公司45nm IC開發(fā)的情況。他說，45nm相對65nm的優(yōu)勢要比65nm相對90nm的優(yōu)勢更大，同時(shí)開發(fā)難度也更高。Altera通過選擇正確的合作伙伴、采用“第一片硅投產(chǎn)”的方法以及協(xié)作設(shè)計(jì)和工藝開發(fā)的方式來實(shí)現(xiàn)2008年45n...
2012-03-13

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