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↓在全部中搜索到 2356 條關于“Gan”的信息，用時:0.035 sec.

科銳推出S波段GaN器件

科銳公司（Nasdaq: CREE）宣布推出可適用于軍用和商用S 波段雷達中的高效GaN HEMT 晶體管。新型 S 波段GaN HEMT 晶體管的額定功率為60W，頻率為 3.1至3.5GHz 之間，與傳統Si或 GaAs MESFET 器件相比，能夠提供優越的漏極效率（接近70%）。同時，高效率和高功率密度的結合有助于最大限度地降低散熱的要求...
GaN器件S波段科銳 2012-07-09

科銳展出最新封裝GaN HEMT功率晶體管與高功率放大器單片式微波集成電路

科銳公司（納斯達克：CREE）日前在巴爾的摩舉行的 2011 年 IEEE 國際微波研討會上展出其 2.7~3.5 GHz（S 波段）最新封裝 GaN HEMT 功率晶體管與高功率放大器 (HPA) 單片式微波集成電路（MMIC）。這些產品提供業界最佳的功率與效率組合，可實現 60% 的典型功率附加效率 (PAE)。與現有解決方案相比，可降...
GaN HEMT功率晶體管單片式微波集成電路放大器科銳 2011-06-23

科銳展示首款用于衛星通信的C波段GaN HEMT單片式微波集成電路高功率放大器

科銳公司（納斯達克：CREE）日前在巴爾的摩舉行的 2011 年 IEEE 國際微波研討會上展出業界首款面向衛星通信應用的 GaN HEMT MMIC 高功率放大器 (HPA) 。與現有商用 GaAs MESFET 晶體管或基于行波管的放大器相比，該產品可大幅提高性能。科銳無線射頻（RF）總監 Jim Milligan 指出：“這是首款可為...
GaN HEMTIEEE科銳集成電路高功率放大器 2011-06-22

Cree推出面向軍事／ISM應用的GaN　MMIC　PA

CMPA0060025F GaN HEMT MMIC功率放大器在20 MHz~6 GHz實時帶寬提供25 W的輸出功率，適合應用于軍事和ISM（工業、科學和醫療）中。該器件封裝的占位面積為0.25平方吋，工作電壓高達50V，典型功率增益為12dB（聯系公司獲得產品的價格和供貨情況）公司網址： http://www.cree.com
CREEGaN　MMIC　PA 2010-02-09

TriQuint推出工作頻率為30~3,000MHz的GaN放大器TGA2540-FL

TGA2540-FL GaN功率放大器在30~3,000MHz頻率范圍內提供8W（最小）輸出功率和40% PAE。非常適合用于包括JTRS在內的國防通信，還適用于反IED電子戰系統。其它性能包括增益為19.5dB，靜態電流為360mA（聯系銷售人員獲得產品的價格和供貨情況） TriQuint Semiconductor
GaN放大器TGA2540-FLTriQuint 2010-01-11

Toshiba推出高增益大功率的GaN PA系列TGI7785-120L等

TGI7785-120L、TGI1314-50L和TGI1011-50-771 GaN放大器, 工作頻率7.7~8.5 GHz輸出功率為120 W、工作頻率13.75 to 14.5 GHz和11.3~11.5 GHz輸出功率為50 W。C-波段 TGI7785-120L輸出功率為51.0 dBm典型值，輸入功率為44 dBm，線性增益為11.0 dB典型值，漏極電流為10.0 A典型值。 Ku波段TGI1314-50L輸出...
GaN PA系列TGI1011-50-771TGI1314-50LTGI7785-120Ltoshiba高增益 2009-06-19

INNOVATIVE POWER PRODUCTS推出混合耦合器分離/連接 GaN MMIC器件

Model IPP-4011利用25-Ohm輸入和輸出阻抗可分離和連接GaN MMIC器件，這一阻抗變換3-dB 90?混合耦合器覆蓋了1GHz--2.5GHz頻率范圍。器件結合了兩個信號，提供 300W CW總輸出功率，采用的正在申請專利的設計具有兩個50-Ohm端口和兩個25-Ohm端口。阻抗變換在耦合器內部進行，因此器件非常適用于阻抗混合的...
混合耦合器GaN MMIC器件阻抗混合系統 2008-10-13

RFMD發布了S波段雷達用400W GaN高功率放大器

RF Micro Device，日前發布了400W高功率放大器，具有RFMD自身開發的GaN工藝杰出性能特性。400W GaN HPA為航空運輸控制雷達航載或地面脈沖S波段監視雷達應用所設計。在雷達應用中，RFMD的400W GaN HPA工作頻率在2.9-3.5GHz，提供65V電源和10.5dB增益。400W GaN HPA使用熱高效陶瓷密封，尺寸僅僅為24×17...
400W GaN高功率放大器GaN工藝S波段雷達 2008-07-11

GaN HEMT三極管創造寬帶寬下更高放大效率

用于一般用途的軍用和工業應用的CGH40090PP GaN HEMT微波三極管，與GaAs MEFET或Si LDMOSFET技術相比提升了在很寬帶寬下優越的性能。器件在工業標準Gemini陶瓷-金屬封裝中由一對GaN HEMT三極管組成。工作在平衡的500MHz-2.5GHz瞬時帶寬參考放大器，提供了的典型值為14 dB的小信號增益，在整個帶寬下具有...
CGH40090PPGaN HEMT微波三極管放大效率 2008-06-24

Cree推出用于5GHzWiMAX的GaN HEMT三極管

Cree發布了兩款突破性的GaN HEMT三極管，用于覆蓋4.9-5.8GHz頻帶的WiMAX。新款三極管CGH55015F與CGH55030F是首次發布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX產品，其性能級別進一步證實了Cree在GaN技術上的的領導地位。新款15-watt與30-watt器件的重要潛在特性包括： 1. 相比于類似功率級的GaAs MOSFET...
5GHzWiMAXGaN HEMT產品 2008-06-13

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