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應(yīng)用開(kāi)發(fā)

VR/無(wú)人機(jī)| 智能照明| 智能家居| 工業(yè)自動(dòng)化| 測(cè)試測(cè)量| 人工智能| 碳化硅/氮化鎵| 智能電源及能源| 智能可穿戴| 智能手機(jī)| 智能醫(yī)療及看護(hù)| 通信及物聯(lián)網(wǎng)| 智能交通及汽車(chē)

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ST VIPERGAN5065100系列高壓氮化鎵轉(zhuǎn)換器，支持最高100W輸出功率

VIPERGAN50、VIPERGAN65和VIPERGAN100是意法半導(dǎo)體VIPerGaN系列中首款高壓GAN轉(zhuǎn)換器，可在寬范圍工作電壓（9 V至23 V）中分別提供50 W、65 W和高達(dá)100 W的功率。我們還推出了EVLVIPGAN100PD，這是我們首款用于USB-PD應(yīng)用的VIPERGAN100評(píng)估板。VIPerGaN器件使用650V氮化鎵（GaN）晶體管，這意味著在自適...
ST VIPERGAN5065100系... 2023-07-12

IGBT如何選擇，你真的了解嗎？

本文作者：安森美產(chǎn)品線(xiàn)經(jīng)理 Jinchang Zhou最近，碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶半導(dǎo)體的應(yīng)用日益增多，受到廣泛關(guān)注。然而，在這些新技術(shù)出現(xiàn)之前，許多高功率應(yīng)用都是使用高效、可靠的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)，事實(shí)上，許多此類(lèi)應(yīng)用仍然適合繼續(xù)使用 IGBT。在本文中，我們介紹 IGBT 器件的...
IGBT碳化硅SiC 2023-07-07

降低開(kāi)關(guān)電源噪聲

開(kāi)關(guān)電源的特征就是產(chǎn)生強(qiáng)電磁噪聲，若不加嚴(yán)格控制，將產(chǎn)生極大的干擾。下面介紹的技術(shù)有助于降低開(kāi)關(guān)電源噪聲，能用于高靈敏度的模擬電路。1、電路和器件的選擇一個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)是保持dv/dt和di/dt在較低水平，有許多電路通過(guò)減小dv/dt和/或di/dt來(lái)減小輻射，這也減輕了對(duì)開(kāi)關(guān)管的壓力，這些電路包括ZVS（零...
開(kāi)關(guān)電源電源噪聲 2023-06-29

注意！設(shè)計(jì)半橋 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器，你得注意這些

在眾多諧振轉(zhuǎn)換器中，LLC 諧振轉(zhuǎn)換器有著高功率密度應(yīng)用中最常用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。與其他諧振拓?fù)湎啾龋@種拓?fù)渚哂性S多優(yōu)點(diǎn)：它能以相對(duì)較小的開(kāi)關(guān)頻率變化來(lái)調(diào)節(jié)整個(gè)負(fù)載變化的輸出；它可以實(shí)現(xiàn)初級(jí)側(cè)開(kāi)關(guān)的零電壓開(kāi)關(guān) (ZVS) 和次級(jí)側(cè)整流器的零電流開(kāi)關(guān) (ZCS)；而且，諧振電感可以集成到變壓器中。NCP43...
LLC 諧振轉(zhuǎn)換器安森美NCP4390 2023-06-15

高能效、小外形的240W USB PD3．1 EPR適配器的參考設(shè)計(jì)

更大容量電池需具備相同或更快充電時(shí)間的趨勢(shì)正在加速USB-C PD采用更大的功率及更高的輸出電壓， USB PD組織發(fā)布了最新的USB PD3.1 EPR規(guī)范，使得最大的輸出達(dá)到48V 5A, 240W的功率。在設(shè)計(jì)USB PD適配器和充電器時(shí)，要滿(mǎn)足COC V5 Tier2 等最新的能效標(biāo)準(zhǔn)，并考慮小型化設(shè)計(jì)以配合移動(dòng)便攜式設(shè)備等輕薄短...
240W USB PD3．1 EPR適...高頻準(zhǔn)諧振(QR)控制器 2023-06-13

使用碳化硅進(jìn)行雙向車(chē)載充電機(jī)設(shè)計(jì)

電動(dòng)汽車(chē)（EV）車(chē)載充電機(jī)（OBC）可以根據(jù)功率水平和功能采取多種形式，充電功率從電動(dòng)機(jī)車(chē)等應(yīng)用中的不到2 kW，到高端電動(dòng)汽車(chē)中的22 kW不等。傳統(tǒng)上，充電功率是單向的，但近年來(lái)，雙向充電越來(lái)越受到關(guān)注。本文將重點(diǎn)關(guān)注雙向OBC，并討論碳化硅（SiC）在中功率（6.6 kW）和高功率（11 - 22 kW）OBC中...
碳化硅車(chē)載充電機(jī) 2023-05-25

12V不夠用了，數(shù)據(jù)中心48V電源架構(gòu)正在走向臺(tái)前！

高性能計(jì)算（HPC）的進(jìn)步推動(dòng)了計(jì)算密集型應(yīng)用的創(chuàng)新，比如5G通信、航天發(fā)射、自動(dòng)駕駛汽車(chē)等。與此同時(shí)，數(shù)據(jù)中心的能耗也在持續(xù)增加。這其中的大部分功率主要供給基礎(chǔ)CPU，以確保其能高效率的工作。例如，1U AMD Opteron或Intel Xeon服務(wù)器的功耗大約為300~400kW。一個(gè)機(jī)架上如果有24臺(tái)這樣的服務(wù)器，...
數(shù)據(jù)中心電源架構(gòu)電源管理 2023-05-12

將無(wú)線(xiàn)充電提升到新水平

傳統(tǒng)的無(wú)線(xiàn)充電技術(shù)，包括基于 Qi 標(biāo)準(zhǔn)的技術(shù)，由于效率低下且只能在較低功率水平下運(yùn)行，因此實(shí)際上僅適用于智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備、醫(yī)療植入物和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品等小型設(shè)備。它們的低效率意味著它們?cè)谔寂欧欧矫鎸?duì)環(huán)境不友好，而且它們產(chǎn)生的熱量會(huì)減慢充電速度，因此必須進(jìn)行散熱。目前，由于需要非常地定...
無(wú)線(xiàn)充電技術(shù) 2023-05-05

輕量級(jí)的電源系統(tǒng)，該如何設(shè)計(jì)？

當(dāng)今的電子系統(tǒng)日趨復(fù)雜，為了滿(mǎn)足不斷擴(kuò)展的、多樣性的負(fù)載供電要求，高效而可靠的供電網(wǎng)絡(luò)（PDN）設(shè)計(jì)越來(lái)越重要。PDN的作用，就是將來(lái)自主電源的電能通過(guò)轉(zhuǎn)換和傳輸，配送到各個(gè)負(fù)載點(diǎn)。PDN由AC-DC及DC-DC轉(zhuǎn)換器和穩(wěn)壓器等電源管理器件，以及電路保護(hù)、連接器、線(xiàn)纜等電子元件組成。衡量一個(gè)PDN系統(tǒng)...
電流密度電源系統(tǒng) 2023-04-20

MOSFET與IGBT的區(qū)別

· 由于MOSFET的結(jié)構(gòu)，通常它可以做到電流很大，可以到上KA，但耐壓能力沒(méi)有IGBT強(qiáng)。· IGBT可以做很大功率，電流和電壓都可以，就是一點(diǎn)頻率不是太高，目前IGBT硬開(kāi)關(guān)速度可以到100KHZ，那已經(jīng)是不錯(cuò)了。不過(guò)相對(duì)于MOSFET的工作頻率還是九牛一毛，MOSFET可以工作到幾百KHZ，上MHZ，以至幾十MH...
MOSFETIGBT 2023-04-10

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