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應(yīng)用開發(fā)

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功率半導(dǎo)體驅(qū)動電源設(shè)計（一）綜述

作者：陳子穎工業(yè)應(yīng)用中，功率半導(dǎo)體的驅(qū)動電源功率不大，設(shè)計看似簡單，但要設(shè)計出簡單低成本的電路并不容易，主要難點(diǎn)有幾點(diǎn)： 1. 電路要求簡潔，占用線路板面積要小一個EasyPACK™ 2B 1200V 100A六單元IGBT模塊，周長20cm，占板面積27cm²，很小，在四周要安排布置6路驅(qū)動和4-6...
功率半導(dǎo)體驅(qū)動電源設(shè)計 2025-02-19

聊聊逆變器：進(jìn)軍綠色能源市場，你繞不開的技術(shù)門檻！

生活中我們常見的電源轉(zhuǎn)換以DC-DC、AC-DC居多，隨著綠色能源的發(fā)展，將DC轉(zhuǎn)換為AC的應(yīng)用逐漸多了起來。例如，在并網(wǎng)太陽能系統(tǒng)中，太陽能電池板產(chǎn)生直流電，而交流電在輸送過程中可以實(shí)現(xiàn)高效的能量分配，更適合長距離輸電，因此，借助DC-AC轉(zhuǎn)換技術(shù)，方可順利實(shí)現(xiàn)太陽能與現(xiàn)有電網(wǎng)的并網(wǎng)發(fā)電。將DC轉(zhuǎn)換...
逆變器綠色能源DC－AC轉(zhuǎn)換 2024-09-04

MPPT常用拓?fù)湓砼c英飛凌實(shí)現(xiàn)方法

作者：花文敏來源：英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體MPPT（Maximum Power Point Tracking）是光伏逆變器系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)最大程度利用太陽能的關(guān)鍵部分，不同的MPPT拓?fù)溆懈髯缘奶攸c(diǎn)。本文將對比常見的三種MPPT電路，并對雙boost (Dual Boost)的開關(guān)模式限制做了原理性分析，直觀解釋了Dual Boost 在MPPT中無法交錯開關(guān)。...
MPPT拓?fù)湓?/a>英飛凌 2024-04-25

談?wù)凷iC MOSFET的短路能力

在電力電子的很多應(yīng)用，如電機(jī)驅(qū)動，有時會出現(xiàn)短路的工況。這就要求功率器件有一定的扛短路能力，即在一定的時間內(nèi)承受住短路電流而不損壞。目前市面上大部分IGBT都會在數(shù)據(jù)手冊中標(biāo)出短路能力，大部分在5~10us之間，例如英飛凌IGBT3/4的短路時間是10us，IGBT7短路時間是8us。而大部分的 SiC MOSF...
SiC MOSFET短路IGBT 2024-01-31

集合SiC T－MOSFET和Si IGBT優(yōu)點(diǎn)的新型ANPC功率模塊，滿足高度緊湊型1500－V并網(wǎng)逆變器的需求

1.引言過去十年，光伏產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了大規(guī)模增長。規(guī)模經(jīng)濟(jì)效應(yīng)和光伏系統(tǒng)技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新，促使平準(zhǔn)化度電成本降低，同時也是光伏產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展的主要驅(qū)動因素[1]。此外，我們可以觀察到電網(wǎng)級光伏系統(tǒng)的直流電壓從1000V提升到1500V[2]。然而，這背后的主要動因在于電纜和安裝成本下降，以及直流和交流電...
MOSFETANPC功率模塊并網(wǎng)逆變器 2023-10-27

絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)簡史

作者： Stephen Russell，一年的結(jié)束通常是回顧和反思的時候。在TechInsights 2021年底發(fā)布的功率半導(dǎo)體博客中，我們總結(jié)了SiC MOSFET設(shè)計的一些最新發(fā)展[1]。盡管人們對寬帶隙(WBG)功率半導(dǎo)體器件感到興奮，但硅基絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)在今天比以往任何時候都更加重要。在我們10月份發(fā)布的電動汽車...
IGBT功率半導(dǎo)體絕緣柵雙極晶體管 2023-07-25

如何通過優(yōu)化模塊布局解決芯片縮小帶來的電氣性能挑戰(zhàn)

作者：Jan Baurichter在本文的第一部分——《如何通過改進(jìn)IGBT模塊布局來克服芯片縮小帶來的熱性能挑戰(zhàn)》，我們提到尺寸和功率往往看起來像硬幣的兩面。當(dāng)你縮小尺寸時，你不可避免地會降低功率。在那篇文章中，我們介紹了芯片縮小對熱性能的影響，以及如何通過優(yōu)化芯片位置和模塊布局來減輕這種影響。...
IGBTTRENCHSTOP英飛凌 2023-03-24

如何通過改進(jìn)IGBT模塊布局來克服芯片縮小帶來的熱性能挑戰(zhàn)

作者：Jan Baurichter尺寸和功率往往看起來像是硬幣的兩面。當(dāng)你縮小尺寸時--這是我們行業(yè)中不斷強(qiáng)調(diào)的目標(biāo)之一--你不可避免地會降低功率。但情況一定是這樣嗎？如果將我們的思維從芯片轉(zhuǎn)移到模塊設(shè)計上，就不需要拋硬幣了。在IGBT模塊中，芯片面積減小導(dǎo)致了熱阻抗的增加，進(jìn)而影響性能。但是，由于較...
IGBT模塊熱阻抗散熱器 2023-03-10

米勒電容、米勒效應(yīng)和器件與系統(tǒng)設(shè)計對策

作者：趙佳搞電力電子的同學(xué)想必經(jīng)常被“米勒效應(yīng)”這個詞困擾。米勒效應(yīng)增加開關(guān)延時不說，還可能引起寄生導(dǎo)通，增加器件損耗。那么米勒效應(yīng)是如何產(chǎn)生的，我們又該如何應(yīng)對呢？我們先來看IGBT開通時的典型波形：上圖中，綠色的波形是GE電壓，藍(lán)色的波形是CE電壓，紅色的波形是集電極電流IC...
IGBT功率器件 2023-03-08

英飛凌亮相PCIM Asia 2019，以最新產(chǎn)品技術(shù)助力多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)節(jié)能增效

英飛凌科技（中國）有限公司（以下簡稱英飛凌）近日參加在上海世博展覽館舉辦的2019年上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會（PCIM Asia 2019）及相關(guān)論壇會議。此次，英飛凌以“我們賦能世界”（We Power the World）為主題，在2號館的F01展臺展示了具備更高功率密度、最新芯片技術(shù)和功能更集成的一...
英飛凌PCIMAsia2019智能功率模塊工業(yè)和大數(shù)據(jù) 2019-07-02

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