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↓在全部中搜索到 7629 條關于“SRAM”的信息，用時:0.047 sec.

Cypress推出首款32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM

賽普拉斯半導體公司日前推出32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM，開創業界先河。新的SRAM器件在如此高的密度上，擁有非常快的響應時間和最小化的封裝尺寸。目標應用領域包括存儲服務器、交換機和路由器、測試設備、高端安全系統和軍事系統。 CY7C1071DV33 32-Mbit 3V 和 CY7C1081DV33 64-Mbit 3V快速異步SR...
CypressSRAM 2010-07-09

Cypress推出 65納米144-Mbit SRAM CY7C16xxKV18

賽普拉推出了首款單片具有144-Mbit密度的SRAM，該產品成為其65納米SRAM產品系列中的最新成員。新的144-Mbit QDRII, QDRII+, DDRII 和 DDRII+存儲器采用65納米工藝技術，由臺灣聯華電子（UMC）的芯片工廠代工生產。該產品擁有市場上最快的時鐘，速率可達550MHz，在36-bit I/O寬度的QDRII+器件中，整體數...
Cypress144-Mbit SRAMCY7C16xxKV18 2009-10-30

Cypress推出采用 65 納米工藝技術的 SRAM實現550 MHz 工作速度

賽普拉斯推出采用 65 納米線寬的 Quad Data Rate (QDR) 和 Double Data Rate (DDR) SRAM 器件樣品。新推出的 72-Mbit QDRII、QDRII+、DDRII 和 DDRII+ 存儲器采用了賽普拉斯合作伙伴制造商 UMC 開發的工藝技術。新型 SRAM 實現了目前市場上最快的 550 MHz時鐘速度，在 36 位 I/O 寬度的 QDRII+ 器件中可...
Cypress65 納米SRAM 2009-05-04

Cypress推出65nm QDR和 Double Data Rate (DDR) SRAM 器件樣品

賽普拉斯推出采用 65 納米線寬的 Quad Data Rate (QDR) 和 Double Data Rate (DDR) SRAM 器件樣品。新推出的 72-Mbit QDRII、QDRII+、DDRII 和 DDRII+ 存儲器采用了賽普拉斯合作伙伴制造商 UMC 開發的工藝技術。新型 SRAM 實現了目前市場上最快的 550 MHz時鐘速度，在 36 位 I/O 寬度的 QDRII+ 器件中可...
CypressQDRDouble Data Rate (DD...樣品 2009-04-30

Cypress 推出了一款低功耗 SRAM 和兩款快速異步 SRAM

賽普拉斯半導體公司推出了一款低功耗 SRAM 和兩款快速異步 SRAM，進一步豐富了其業界領先的產品系列。新型的 64 兆比特 (Mbit) MoBL (More Battery Life) SRAM 是市場上密度最大的低功耗 SRAM，旨在延長高端銷售點終端、游戲應用、VoIP 電話、手持消費和醫療設備等應用的電池工作時間。新推...
CY7C1024DV33CY7C1034DV33CypressSRAM快速異步 SRAM 2009-04-09

HOLTEK推出新一代回音IC HT8972內建40KB SRAM

HOLTEK半導體累積多年來的回音IC市場技術經驗，推出新一代回音IC : HT8972 。 HT8972內建40KB SRAM (前一代回音IC HT8970內建20KB SRAM)，讓回音效果更細膩，信噪比更高。 HT8972內含4個運算放大器，并內建AD/DC 轉換器，大幅減少外部的使用零件與成本，增加產品的競爭力。HT8972采用16DIP/SOP封裝，...
HOLTEK回音ICHT8972SRAM 2009-01-05

瑞薩科技發布采用片上大容量閃存和SRAM的MCU

瑞薩科技推出采用片上閃存的 32 位 MCU SH74504 和 SH74513 ，有助于汽車應用中的輔助駕駛控制系統實現 “ 主動安全 ” 功能，并可實現比早期同類產品更高的性能。樣品將從2009年2月開始在日本交付。 SH74504 和 SH74513 是采用瑞薩科技 SuperH 系列中最強大的 SH -4A CPU 內核。這些器件采用 90 n...
片上大容量閃存SRAMMCUSH74504SH74513汽車電子 2008-11-17

瑞薩發布64 Mb先進低功耗SRAM R1WV6416R系列

瑞薩科技開發出了目前市場上最高容量的64 Mb先進低功耗SRAM（先進LPSRAM） R1WV6416R系列，以及小尺寸的32 Mb先進LPSRAM產品R1LV3216R系列。32 Mb產品的樣品將于2008年4月開始在日本交付，64 Mb產品的樣品交付時間為7月份。這兩個新系列將進一步擴展瑞薩科技采用專有存儲單元技術實現更小芯片尺寸和無...
64 MbR1WV6416R系列低功耗SRAM汽車電子 2008-04-14

瑞薩開發出實現32納米工藝片上SOI SRAM的前瞻技術

瑞薩科技（Renesas ）宣布，開發出一種可在32 nm（納米）及以上工藝有效實現SRAM的技術，以用于集成在微處理器或SoC（系統級芯片）中的片上SRAM。新開發的技術采用SOI（絕緣硅）技術，可獨立控制基體電位，也就是構成SRAM的晶體管的三種襯底部分，從而顯著擴展SRAM的運行容限。對采用這一技術的65 nm...
32納米工藝片上SOI SRAM 2007-06-27

瑞薩科技與松下合作開發片上SRAM制造技術

瑞薩科技與松下電器產業有限公司宣布，共同開發出一種可以使45nm工藝傳統CMOS的SRAM（靜態隨機存取存儲器）穩定工作的技術，這種SRAM可以嵌入在SoC（系統級芯片）器件和微處理器（MPU）當中。采用這種技術的512Kb SRAM的實驗芯片的測試已經得到證實，可以在寬泛的溫度條件下（-40度－125度）穩定工作，...
45nm工藝SRAM制造技術 2007-02-27

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