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↓在全部中搜索到 34 條關于“SuperGaN”的信息，用時:0.026 sec.

Transphorm推出TOLL封裝FET，將氮化鎵定位為支持高功率能耗人工智能應用的最佳器件

三款新器件為SMD的高功率系統帶來了SuperGaN的常閉型(Normally-Off D-Mode)平臺優(yōu)勢，此類高功率系統需要在高功率密度的情況下實現更高的可靠性和性能，并產生較低的熱量新世代電力系統的未來、氮化鎵(GaN)功率半導體的全球領先供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克股票代碼：TGAN）近日宣布，推出三款TO...
TransphormTOLL封裝FET人工智能 2023-11-07

Normally－off D－Mode 氮化鎵晶體管的根本優(yōu)勢

常閉耗盡型 (D-Mode) 與增強型 (E-Mode) 氮化鎵晶體管本質優(yōu)勢對比之簡短指南氮化鎵功率半導體器件毫無疑問是目前電力電子領域中非常火熱的一個話題。當今占主導有兩種晶體管類型：Normally-off D-mode和Normally-off E-mode 氮化鎵晶體管。當人們面臨選擇時，有時會難以言明地傾向于使用增強型晶體管。...
氮化鎵晶體管半導體 2023-10-18

Transphorm發(fā)布業(yè)界首款1200伏GaN－on－Sapphire器件的仿真模型

該器件已準備就緒：為Transphorm的創(chuàng)新常關型氮化鎵平臺應用于新一代汽車和三相電力系統高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先鋒企業(yè)和全球供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始規(guī)格書。TP120H070WS功率管是迄今為止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sap...
Transphorm1200伏GaN－on－Sapph...仿真模型 2023-05-31

Transphorm和偉詮電子合作發(fā)布集成式GaN SiP

該系統級封裝(SiP)氮化鎵功率管可以為USB-C PD適配器和其它低功耗應用提供結構緊湊、具成本效益、快速面市的解決方案。Transphorm將在APEC2023會議上展出該產品(展位#853)。加州戈利塔和臺灣新竹—March 1, 2023 -- 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)功率轉換產品的先鋒企業(yè)和全球供貨商Transphorm, Inc...
Transphorm偉詮電子集成式GaN SiP 2023-03-21

Transphorm發(fā)布緊湊型240瓦電源適配器參考設計，該方案采用了高性能TO－220封裝氮化鎵功率管

目前，同業(yè)競爭氮化鎵技術均未推出插件式封裝的氮化鎵器件。采用符合產業(yè)標準的插件式封裝，電源能夠以更低的成本獲得功率密度優(yōu)勢。高可靠性、高性能氮化鎵(GAN)電源轉換產品的先鋒企業(yè)和全球供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今日宣布推出新的240瓦電源適配器參考設計。TDAIO-TPH-ON-2...
Transphorm240瓦電源適配器參考設...封裝氮化鎵功率管 2023-01-13

Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場效應管可靠性指標，現已按照功率級別劃分

公司的高壓氮化鎵(GaN)器件在各種功率級別的應用中持續(xù)提供一流的可靠性高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先驅和全球供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)發(fā)布了氮化鎵功率場效應管(FET)的最新可靠性指標。可靠性采用失效率(FIT)來衡量，這種分析方式考慮了在應用現場使用時客戶...
Transphorm氮化鎵場效應管GaN 2022-12-19

Transphorm按功率段發(fā)布氮化鎵功率管可靠性評估數據

該公司高壓氮化鎵器件持續(xù)為全功率范圍的應用提供極佳的可靠性高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先鋒企業(yè)和全球供貨商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今日發(fā)布了針對其氮化鎵功率管的最新可靠性評估數據。評估可靠性使用的失效率（FIT）是分析客戶現場應用中失效的器件數。迄今為止，基于超過...
Transphorm氮化鎵功率管評估數據 2022-12-16

Transphorm推出參考設計組合，加快USB-C PD氮化鎵電源適配器的開發(fā)

高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先驅和全球供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今天宣布推出七款參考設計，旨在加快基于氮化鎵的USB-C PD電源適配器的研發(fā)。該參考設計組合包括廣泛的開放式框架設計選項，覆蓋多種拓撲結構、輸出和功率（45W至140W）。 SuperGaN®技術的差異化...
TransphormUSB－C PD氮化鎵電源適配器 2022-06-27

利用寬帶隙半導體和數字控制設計更有效的功率因數校正電路

作者：Jeff Shepard 為了最大限度地提高交流市電供電設備（包括 AC/DC 電源、電池充電器、基于電池的儲能系統、電機驅動器和不間斷電源）的效率，功率因數校正 (PFC) 必不可少。其重要性在于，一些法規(guī)規(guī)定了特定類型電子設備的最低功率因數 (PF) 水平。設計人員面對在不斷縮小的外形尺寸內提高整體性能...
寬帶隙半導體數字控制功率因數校正 2022-03-24

和SiC相比，GaN都有什么優(yōu)勢？

從廣泛的工業(yè)和消費電子產品到快速發(fā)展的電動汽車行業(yè)，無數的應用市場都在推動著對高效電源轉換解決方案的巨大需求。為了滿足相關電力系統的高質量，高性能要求，并且繼續(xù)實現電力轉換技術的重大革新，目前產業(yè)界正在引入硅基氮化鎵（GaN-on-Si，以下簡稱GaN）方案。相對于硅（Si）和碳化硅（SiC）而言...
GaNSiC氮化鎵碳化硅 2020-12-07

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