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↓在全部中搜索到 75 條關于“UnitedSiC”的信息，用時:0.041 sec.

Qorvo：創新技術引領下一代移動產業

在近期舉辦的第12屆中國硬科技產業鏈創新趨勢峰會上，Qorvo 中國高級銷售總監江雄于現場分享了 Qorvo 在新一代5G應用下的技術創新和市場機遇。Qorvo 在中國深耕二十多年，其產品應用廣泛，涵蓋互聯移動、電源電器、AI 服務器以及汽車等領域。江雄表示，隨著新一代5G應用的普及，市場對技術創新的需求愈...
Qorvo移動產業 2024-11-11

突破射頻技術：從UWB到下一代移動設備的傳感器創新

在E維智庫第12屆中國硬科技產業鏈創新趨勢峰會上，Qorvo中國高級銷售總監江雄分享了公司最新的技術發展和市場布局。在第五代移動通信技術的引領下，智能手機和物聯網設備成為了實現人與設備無縫連接的核心載體，而Qorvo在射頻技術、超寬帶（UWB）和傳感器領域的突破則為下一代移動設備的升級注入了新的...
傳感器射頻技術 2024-11-08

貿澤開售采用D2PAK－7L 封裝的工業用UnitedSiC 750V UJ4C／SC SiC FET

提供超豐富半導體和電子元器件™的業界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子(Mouser Electronics) 即日起備貨采用行業標準D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現已被 Qorvo®收購）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場效應晶體管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封裝選項提供低開關損耗、在...
D2PAK－7L 封裝UJ4C／SC SiC FET 2022-09-23

UnitedSiC 750V 第4代 SiC FET提高了性能，并將設計靈活性提升到新的水平

UnitedSiC（現為Qorvo）擴展了其突破性的第4代 SiC FET產品組合, 通過采用TO-247-4引腳封裝的750V/6mOhm SiC FET和采用D2PAK-7L表面貼裝封裝的9mOhm導通電阻，擴大了性能領先地位。新型碳化硅 FET 采用標準分立式封裝。提供業界額定值最低的 RDS（on），是同類產品中唯一提供5μs的可靠短路耐受時間額定...
SiC－FET碳化硅 2022-08-01

UnitedSiC SiC FET用戶指南

作者： Mike Zhu 簡介本SiC FET用戶指南介紹了使用含快速開關SiC器件的RC緩沖電路的實用解決方案和指南。該解決方案經過實驗性雙脈沖測試（DPT）結果驗證。緩沖電路損耗得到精確測量，可協助用戶計算緩沖電路電阻的額定功率。本指南還在UnitedSiC_AN0018《開關含緩沖電路的快速SiC FET應用說明》中分析...
SiC器件SiC FETRC緩沖電路 2022-05-09

UnitedSiC銀燒結技術，可提高功率半導體導熱系數

作者: UnitedSiC工程副總裁Anup Bhalla雖然電子器件帶來的功能似乎沒有止境，但是數字和模擬器件的集成器件制造商（IDM）仍然不得不在所用材料的物理限制內設計解決方案。由于半導體發展大趨勢和終端市場帶來的需求，隨著時間推移，管理產品的熱密度變得越來越重要。一般而言，熱管理管理的是二極...
功率半導體銀燒結技術 2021-03-03

聯合碳化硅擴大肖特基二極管產品組合

碳化硅（SiC）功率半導體的領先制造商美商聯合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布，將推出四種新型結勢壘肖特基（JBS）二極管，以補充FET和JFET晶體管產品。新推出的UJ3D 1200V和1700V器件具有業界更佳的浪涌電流性能，是UnitedSiC第三代SiC混合式PiN肖特基（MPS）二極管的一部分。 UnitedSiC的...
UnitedSiC 2020-10-26

UnitedSiC推出具有最低RDS（on）的DFN 8x8格式FET

美商聯合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布推出采用流行的扁平型DFN 8x8表面貼裝封裝、同時具有業界最低RDS（on）的SiC FET器件UF3SC065030D8和UF3SC065040D8，這些650V SiC FET能夠取代已有的標準硅器件，使工程師可以采用比分立設計方法具有更高效率和更高功率密度的解決方案來構建開關電路。 ...
UnitedSiCSiC FET器件DFN 8x8表面貼裝封裝 2020-02-04

UnitedSiC在UF3C“FAST”FET產品系列中新增4引腳Kelvin器件

新型功率半導體企業美商聯合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布進一步擴展UF3C FAST產品系列，新增采用TO-247-4L4引腳Kelvin Sense分立封裝選項的1200V高性能SiC FET器件。新產品UF3C120150K4S具有150mΩ的典型導通電阻（RDS（on）），使4引腳FAST系列器件的總數達到6個，并將整個系列的導通電阻范圍從...
UF3C FAST SiC系列UF3C120150K4SSiC FET器件 2019-06-21

UnitedSiC宣布推出用于低功率AC－DC反激式轉換器的SiC JFET系列

2019年3月19日，美國加州Anaheim應用電源電子會議（APEC），美國新澤西州普林斯頓 --- 碳化硅（SiC）功率半導體制造商UnitedSiC宣布已經推出一系列適用于與具備內置低壓MOSFET的控制器IC共同封裝的SiC JFET晶片，由此可制造出速度極快，基于共源共柵的20～100W反激式產品。這些常導通型SiC JFET的工作電...
SiC JFET晶片低功率AC－DC反激式轉...控制器IC 2019-03-20

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