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通過合適的柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)最大化SiC的性能

電動(dòng)汽車革命即將來臨。汽車公司拼命地尋求技術(shù)優(yōu)勢(shì)，驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車的電力電子設(shè)備正在迅速發(fā)展。諸如碳化硅(SiC)之類的寬禁帶FET技術(shù)有望顯著提高效率，減輕系統(tǒng)重量并減小電池體積。在汽車設(shè)計(jì)中，SiC兌現(xiàn)了這些承諾，并推動(dòng)了下一代電動(dòng)汽車的創(chuàng)新。 SiC和其他寬禁帶器件的基本優(yōu)勢(shì)源于它們的帶...
SiC電動(dòng)汽車 2021-04-01

智能功率模塊加速邁向基于SiC的電動(dòng)汽車

當(dāng)前，新型快速開關(guān)的碳化硅（SiC）功率晶體管主要以分立器件或裸芯片的形式被廣泛供應(yīng)，SiC器件的一系列特性，如高阻斷電壓、低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和耐高溫性能，使系統(tǒng)工程師能夠在電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器和電池充電器的尺寸、重量控制和效率提升等方面取得顯著進(jìn)展，同時(shí)推動(dòng)SiC器件的價(jià)格持續(xù)下降。 ...
SiC智能功率模塊 2021-03-08

如何利用SiC高效驅(qū)動(dòng)電動(dòng)車

摘要：反激變換器/隔離柵-驅(qū)動(dòng)器組合降低了在電動(dòng)汽車系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)SiC FET設(shè)計(jì)的成本和復(fù)雜性。電動(dòng)汽車正在推動(dòng)今天的能量轉(zhuǎn)換技術(shù)的極限，而大功率SiC FET的出現(xiàn)推動(dòng)了這一技術(shù)。SiC FET有許多優(yōu)點(diǎn)：允許更高的開關(guān)速度和更高的電壓，從而產(chǎn)生更小的磁性、更輕的電纜和更高的效率...
SiC電動(dòng)車柵驅(qū)動(dòng)技術(shù) 2021-03-04

通過合適的柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)最大化SiC的性能

電動(dòng)汽車革命即將來臨。汽車公司拼命地尋求技術(shù)優(yōu)勢(shì)，驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車的電力電子設(shè)備正在迅速發(fā)展。諸如碳化硅（SiC）之類的寬禁帶FET技術(shù)有望顯著提高效率，減輕系統(tǒng)重量并減小電池體積。在汽車設(shè)計(jì)中，SiC兌現(xiàn)了這些承諾，并推動(dòng)了下一代電動(dòng)汽車的創(chuàng)新。SiC和其他寬禁帶器件的基本優(yōu)勢(shì)源于它們的帶隙，...
SiC柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù) 2021-02-18

如何減少SiC MOSFET的EMI和開關(guān)損耗

碳化硅（SiC）MOSFET的快速開關(guān)速度，高額定電壓和低RDSon使其對(duì)于不斷尋求在提高效率和功率密度的同時(shí)保持系統(tǒng)簡(jiǎn)單性的電源設(shè)計(jì)人員具有很高的吸引力。但是，由于它們的快速開關(guān)速度會(huì)產(chǎn)生高振鈴持續(xù)時(shí)間的高漏源電壓（VDS）尖峰，因此會(huì)引入EMI，尤其是在高電流水平下。了解VDS尖峰和振鈴寄生電感是S...
EMISiC MOSFET 2021-02-02

采用具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的低電感表貼封裝的SiC MOSFET

引言人們普遍認(rèn)為，SiC MOSFET可以實(shí)現(xiàn)非常快的開關(guān)速度，有助于顯著降低電力電子領(lǐng)域功率轉(zhuǎn)換過程中的能量損耗。然而，由于傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體封裝的限制，在實(shí)際應(yīng)用中并不總是能發(fā)揮SiC元器件的全部潛力。在本文中，我們首先討論傳統(tǒng)封裝的一些局限性，然后介紹采用更好的封裝形式所帶來的好處。最后，展...
SiC MOSFET功率元器件傳統(tǒng)封裝 2021-01-27

智能功率模塊助力業(yè)界加速邁向基于碳化硅（SiC）的電動(dòng)汽車

當(dāng)前，新型快速開關(guān)的碳化硅（SiC）功率晶體管主要以分立器件或裸芯片的形式被廣泛供應(yīng)，SiC器件的一系列特性，如高阻斷電壓、低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和耐高溫性能，使系統(tǒng)工程師能夠在電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器和電池充電器的尺寸、重量控制和效率提升等方面取得顯著進(jìn)展，同時(shí)推動(dòng)SiC器件的價(jià)格持續(xù)下降。然而，...
智能汽車碳化硅（SiC） 2020-12-24

和SiC相比，GaN都有什么優(yōu)勢(shì)？

從廣泛的工業(yè)和消費(fèi)電子產(chǎn)品到快速發(fā)展的電動(dòng)汽車行業(yè)，無數(shù)的應(yīng)用市場(chǎng)都在推動(dòng)著對(duì)高效電源轉(zhuǎn)換解決方案的巨大需求。為了滿足相關(guān)電力系統(tǒng)的高質(zhì)量，高性能要求，并且繼續(xù)實(shí)現(xiàn)電力轉(zhuǎn)換技術(shù)的重大革新，目前產(chǎn)業(yè)界正在引入硅基氮化鎵（GaN-on-Si，以下簡(jiǎn)稱GaN）方案。相對(duì)于硅（Si）和碳化硅（SiC）而言...
GaNSiC氮化鎵碳化硅 2020-12-07

SiC助力功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用結(jié)溫升高，將大大改變電力系統(tǒng)的設(shè)計(jì)格局

作者：羅寧勝博士，Cissoid 中國總經(jīng)理 Yole Development 的市場(chǎng)調(diào)查報(bào)告表明，自硅功率半導(dǎo)體器件誕生以來，應(yīng)用的需求一直推動(dòng)著結(jié)溫升高，目前已達(dá)到150℃。隨著第三代寬禁帶半導(dǎo)體器件（如SiC）出現(xiàn)以及日趨成熟和全面商業(yè)化普及，其獨(dú)特的耐高溫性能正在加速推動(dòng)結(jié)溫從目前的150℃邁向175℃，未...
SiC功率半導(dǎo)體器件電力系統(tǒng) 2020-11-16

承繼傳統(tǒng)技術(shù)優(yōu)勢(shì) 東芝發(fā)力SiC功率器件

功率半導(dǎo)體器件作為電力電子設(shè)備的關(guān)鍵組成部分，直接影響了整個(gè)電力電子設(shè)備的系統(tǒng)成本和工作效率。特別是伴隨著更多高性能低功耗要求的出現(xiàn)，對(duì)功率器件的應(yīng)用要求也隨之變化。相比于傳統(tǒng)的半導(dǎo)體芯片主要依靠工藝和制程的進(jìn)展提升性能，功率器件的很多性能指標(biāo)則直接由材料的性能指標(biāo)所決定。因此，...
IGBTMOSFETSiC功率器件 2020-10-10

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