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應(yīng)用開發(fā)

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SiC MOSFET應(yīng)用技術(shù)在雪崩條件下的魯棒性評(píng)估

作者：Salvatore La Mantia1,Mario Pulvirenti2, Angelo G. Sciacca2，Massimo Nania2，意法半導(dǎo)體摘要本文將探討如何在雪崩工作條件下評(píng)估SiC MOSFET的魯棒性。MOSFET功率變換器，特別是電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)電機(jī)功率變換器，需要能夠耐受一定的工作條件。如果器件在續(xù)流導(dǎo)通期間出現(xiàn)失效或柵...
SiC MOSFET應(yīng)用技術(shù)雪崩條件魯棒性 2020-08-04

SiC器件和封裝技術(shù)現(xiàn)狀

眾所周知，封裝技術(shù)是讓寬帶隙 (WBG) 器件發(fā)揮潛力的關(guān)鍵所在。碳化硅器件制造商一直在快速改善器件技術(shù)的性能表征，如單位面積的導(dǎo)通電阻 (RdsA)，同時(shí)同步降低電容以實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)。新的分立封裝即將推出，它能讓用戶更好地利用寬帶隙快速開關(guān)性能。可用的標(biāo)準(zhǔn)模塊越來越多，而且有越來越多的新先進(jìn)技...
SiC器件導(dǎo)通電阻封裝技術(shù) 2020-03-02

SiC在電動(dòng)車功率轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用

電動(dòng)車 (EV) 的發(fā)貨量正在迅速增長，預(yù)計(jì) 21 世紀(jì) 20 年代還將加速發(fā)展。主要汽車制造商都已經(jīng)推出了電動(dòng)車或已制定了推出計(jì)劃，它們還積極與伙伴合作，研究最佳的動(dòng)力電子學(xué)方案，從而盡量延長單次充電行駛里程和降低成本。SiC 器件的主要應(yīng)用如圖 1 所示，預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)表明，到 2030 年，SiC&n...
SiC電動(dòng)車動(dòng)力電子學(xué) 2020-03-02

超高壓 SiC 與超共源共柵

新應(yīng)用不斷涌現(xiàn)，這就需要有高壓開關(guān)技術(shù)，而且與硅 IGBT 和 IGCT 技術(shù)相比，該技術(shù)的系統(tǒng)平衡成本和運(yùn)行損耗要顯著降低。該技術(shù)的應(yīng)用范圍非常廣，從固態(tài)變壓器、中壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)器到智能電網(wǎng)應(yīng)用（FACTS、STATCOM）和高壓直流斷路器均包含在內(nèi)。SiC MOSFET 被認(rèn)為是在不久的將來顛覆這一領(lǐng)域的絕佳選擇，...
SiC超共源共柵IGBT 2020-02-21

如何利用 SiC 打造更好的電動(dòng)車牽引逆變器

在本文中，我們將調(diào)查電動(dòng)車牽引逆變器采用 SiC 技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。我們將展示在各種負(fù)荷條件下逆變器的能效是如何提升的，包括從輕負(fù)荷到滿負(fù)荷。使用較高的運(yùn)行電壓與高效的 1200V SiC FET 可以幫助降低銅損。還可以提高逆變器開關(guān)頻率，以對(duì)電機(jī)繞組輸出更理想的正弦曲線波形和降低電機(jī)內(nèi)的鐵損。預(yù)計(jì)在所...
SiC電動(dòng)車牽引逆變器電機(jī) 2020-02-21

SiC器件與Si技術(shù)的對(duì)比優(yōu)勢(shì)及在PFC和Boost轉(zhuǎn)換器、硬／軟開關(guān)電路、電動(dòng)汽車牽引逆變器等應(yīng)用中的趨勢(shì)

SiC的應(yīng)用始于2000年，最早在PFC中采用了SiC JBS二極管。隨后是在光伏行業(yè)中，開始使用SiC二極管和FET。但是，最近在EV車載充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器相關(guān)領(lǐng)域應(yīng)用的激增，顯著推動(dòng)了SiC需求的增長。電動(dòng)汽車逆變器、650V設(shè)備的新興應(yīng)用以及服務(wù)器電源和5G電信整流器等的應(yīng)用有望推動(dòng)SiC需求的快速增長。本文...
SiC二極管電動(dòng)汽車逆變器車載充電器 2020-02-21

SiC 在電動(dòng)車功率轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用

電動(dòng)車 (EV) 的發(fā)貨量正在迅速增長，預(yù)計(jì) 21 世紀(jì) 20 年代還將加速發(fā)展。主要汽車制造商都已經(jīng)推出了電動(dòng)車或已制定了推出計(jì)劃，它們還積極與伙伴合作，研究最佳的動(dòng)力電子學(xué)方案，從而盡量延長單次充電行駛里程和降低成本。SiC 器件的主要應(yīng)用如圖 1 所示，預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)表明，到 2030 年，SiC&n...
SiC電動(dòng)車動(dòng)力電子學(xué) 2020-02-21

SiC 器件和封裝技術(shù)現(xiàn)狀

眾所周知，封裝技術(shù)是讓寬帶隙 (WBG) 器件發(fā)揮潛力的關(guān)鍵所在。碳化硅器件制造商一直在快速改善器件技術(shù)的性能表征，如單位面積的導(dǎo)通電阻 (RdsA)，同時(shí)同步降低電容以實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)。新的分立封裝即將推出，它能讓用戶更好地利用寬帶隙快速開關(guān)性能。可用的標(biāo)準(zhǔn)模塊越來越多，而且有越來越多的新先進(jìn)技...
SiC 器件封裝技術(shù)導(dǎo)通電阻 2020-02-21

使用ADuM4136隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器和LT3999 DC／DC轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)1200 V SiC電源模塊

作者：Juan Carlos Rodriguez和Martin Murnane, ADI公司簡介電動(dòng)汽車、可再生能源和儲(chǔ)能系統(tǒng)等電源發(fā)展技術(shù)的成功取決于電力轉(zhuǎn)換方案能否有效實(shí)施。電力電子轉(zhuǎn)換器的核心包含專用半導(dǎo)體器件和通過柵極驅(qū)動(dòng)器控制這些新型半導(dǎo)體器件開和關(guān)的策略。目前最先進(jìn)的寬帶器件，如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)半導(dǎo)...
ADuM4136 隔離式柵極驅(qū)...SiC功率器件 2019-12-10

為什么超低阻抗SiC FET受歡迎？

簡介功率半導(dǎo)體開關(guān)通常在用于電路設(shè)計(jì)時(shí)，能夠在不增加開關(guān)損耗的情況下減小電流傳導(dǎo)期間的損耗，這是其一大優(yōu)勢(shì)。在各種電路保護(hù)應(yīng)用中，器件需要連續(xù)傳送電流，較低的傳導(dǎo)態(tài)損耗有利于使系統(tǒng)保持較高的效率，并將產(chǎn)生的廢熱降至最低。如果在這些應(yīng)用中需要放心地使用這些功率開關(guān)，必須滿足各種類型...
SiC FET功率晶體管 2019-12-10

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