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↓在全部中搜索到 3094 條關于“FET”的信息，用時:0.061 sec.

--BBS主題帖: ROHM開發出USB Type-C Power Delivery控制器IC

[font=微軟雅黑, Tahoma,][size=14px]全球知名半導體制造商ROHM開發出在連接信息設備與周邊設備的USB Type-C連接器中實現“USB Power Delivery（以下稱“USBPD”）”的供受電控制器IC“BM92TxxMWV系列”。 [align=center][url=http://upload.semidata.info/new.eefocus.com/article/image/2015/09/1...
2015-10-13

--BBS主題帖: 便攜式設備中的電源效率

電源效率對于便攜式設備以及模擬 IC 的噪聲抗擾度來說都非常重要。本文主要介紹電壓參考電路，其不僅支持極低的工作靜態電流（低于 250nA），而且還符合標準CMOS工藝。這種電路針對各種應用進行了優化設計，適合便攜式電子設備、汽車、醫療設備，以及高電源抑制比（PSRR）和開關噪聲抗擾度都非常重要的...
2015-10-12

--BBS主題帖: Intersilx新推出用于平板電腦的高效節電解決方案

[b]美國加州、MILPITAS -- 2015年9月30日[/b] — 創新電源管理與精密模擬解決方案領先供應商Intersil公司（納斯達克交易代碼：ISIL）今天宣布，推出用于二合一變形本、超極本和平板電腦的最新節電解決方案：ISL95852高度集成電源管理IC（PMIC）和ISL95521電池充電器。兩款器件均滿足英特爾的IMVP8規范，...
2015-10-12

--BBS主題帖: 利用精密儀表放大器實現負壓電流檢測

[font=微軟雅黑, Tahoma,]　監測正電源的電流時，通常使用高邊檢流放大器。然而，對于ISDN、電信電源，通常需要一個工作在負電源的檢流放大器。本文介紹了一種采用MAX4460單電源儀表放大器設計負壓檢流放大器的方法。　　圖1所示電路提供了一種負電源電流檢測的原理框圖，利用MAX4460或MAX4208儀表...
2015-10-11

--BBS主題帖: LED照明設計基礎知識

[color=#000][font=Arial,]發光[/font][/color][url=http://www.eechina.com/keyword/%E4%BA%8C%E6%9E%81%E7%AE%A1]二極管[/url][color=#000][font=Arial,]([/font][/color][url=http://www.eechina.com/keyword/LED]LED[/url][color=#000][font=Arial,])繼在中小尺寸屏幕的便攜產品背光等應用獲大量采...
2015-09-24

TI推出最新SoC 66AK2H14以及面向KeyStoneTM 66AK2Hx系列SoC的評估板

日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款最新片上系統 (SoC) 66AK2H14 以及面向 KeyStoneTM 66AK2Hx 系列 SoC 的評估板 (EVM)，進一步簡化處理密集型應用的開發。有了最新 66AK2H14 器件，設計高性能計算系統的開發人員現在可獲得 10Gbps 的以太網片上開關。板上同時包含10GigE 開關與其它高速片上接口，...
2013-11-15

三相正弦波逆變器瞬態的共同導通問題設計方案

在三相正弦波逆變器瞬中瞬態共同導通往往是被忽略的問題，因為瞬態過程很難捕捉。以半橋變換器為例，其典型驅動電路如下圖a)所示，理想的柵極電壓波形如下圖(b)所示。但是，在實際測試中的柵極電壓波形則如下圖所示。圖中，圓圈處的電壓尖峰就是其中一個MOSFET開通時，引起處于關閉狀...
2013-11-10

如何使用氮化鎵：增強型氮化鎵晶體管的電學特性

對于一直使用功率MOSFET器件設計產品的功率系統工程師來說，使用更高效的增強型氮化鎵晶體管并不困難。雖然兩種器件的基本工作特性非常相似，如果想發揮這種新世代器件的最大優勢，我們還需考慮它的幾個特性以實現高效設計。留意這些電學特性每個半導體的性能都有其極限值，器件的數據手冊里通常清...
2013-11-10

三相正弦波逆變器瞬態的共同導通問題設計方案

在三相正弦波逆變器瞬中瞬態共同導通往往是被忽略的問題，因為瞬態過程很難捕捉。以半橋變換器為例，其典型驅動電路如下圖a)所示，理想的柵極電壓波形如下圖(b)所示。但是，在實際測試中的柵極電壓波形則如下圖所示。圖中，圓圈處的電壓尖峰就是其中一個MOSFET開通時，引起處于...
2013-11-08

如何使用氮化鎵：增強型氮化鎵晶體管的電學特性

對于一直使用功率MOSFET器件設計產品的功率系統工程師來說，使用更高效的增強型氮化鎵晶體管并不困難。雖然兩種器件的基本工作特性非常相似，如果想發揮這種新世代器件的最大優勢，我們還需考慮它的幾個特性以實現高效設計。留意這些電學特性每個半導體的性能都有其極限值，器件的數據手冊里通常清楚地...
2013-11-08

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