电影一区二区三区_亚洲激情二区_亚洲欧洲成人av每日更新_91超碰国产在线

<button id="sqeqo"><source id="sqeqo"></source></button>

<cite id="sqeqo"></cite>

<table id="sqeqo"></table>

<li id="sqeqo"><source id="sqeqo"></source></li>

<li id="sqeqo"><input id="sqeqo"></input></li>

<tfoot id="sqeqo"></tfoot>

<samp id="sqeqo"><tbody id="sqeqo"></tbody></samp>

設(shè)為首頁網(wǎng)站地圖加入收藏

應(yīng)用開發(fā)

VR/無人機(jī)| 智能照明| 智能家居| 工業(yè)自動化| 測試測量| 人工智能| 碳化硅/氮化鎵| 智能電源及能源| 智能可穿戴| 智能手機(jī)| 智能醫(yī)療及看護(hù)| 通信及物聯(lián)網(wǎng)| 智能交通及汽車

↓在全部中搜索到 368 條關(guān)于“3nm”的信息，用時:0.028 sec.

第9講：SiC的加工工藝（1）離子注入

離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入，可以實現(xiàn)對n型區(qū)域和p型區(qū)域?qū)щ娦钥刂?。本文簡要介紹離子注入工藝及其注意事項。SiC的雜質(zhì)原子擴(kuò)散系數(shù)非常小，因此無法利用熱擴(kuò)散工藝制造施主和受主等摻雜原子的器件結(jié)構(gòu)（形成pn結(jié)）。因此，SiC器件的制造采用了基于離子注入工藝的摻雜技術(shù)：在...
SiC三菱電機(jī) 2024-11-14

通過工藝建模進(jìn)行后段制程金屬方案分析

虛擬半導(dǎo)體工藝建模是研究金屬線設(shè)計選擇更為經(jīng)濟(jì)、快捷的方法作者：泛林集團(tuán) Semiverse Solutions 部門半導(dǎo)體工藝與整合部高級經(jīng)理 Daebin Yim• 由于阻擋層相對尺寸及電阻率增加問題，半導(dǎo)體行業(yè)正在尋找替代銅的金屬線材料。• 在較小尺寸中，釕的性能優(yōu)于銅和鈷，因此是較有潛力的替...
工藝建模金屬線材料電阻電容 2024-04-08

【探索前沿測試為先】低電壓測試，AI技術(shù)熱潮背后算力核心的重要支撐

2023什么最火？無疑是以ChatGPT為代表的AGI (通用人工智能)了，甚至被稱之為第四次工業(yè)革命的推動者。比爾·蓋茨說，“ChatGPT像互聯(lián)網(wǎng)發(fā)明一樣重要，將會改變世界?！奔铀俦l(fā)的AI無處不在AI芯片和AI服務(wù)器 – 掀起大規(guī)模建設(shè)熱潮ChatGPT的強(qiáng)大讓很多人看到了AI所帶來的無限可能，國內(nèi)外互聯(lián)網(wǎng)公司紛紛...
泰克AI技術(shù)電壓測試ChatGPT 2024-02-28

何為聚合物電容器？設(shè)計哪些電子設(shè)備需要村田聚合物鋁電解電容器？

常見主要電容器種類如果您查看電腦等電子設(shè)備的主機(jī)板的話，最常看見的是上圖中的6種類型的電容器。鉭電解電容器(二氧化錳型、高分子型)，鋁電解電容器(罐狀/電解液、罐狀/高分子、貼片型)，MLCC等。聚合物電容器是指陰極使用了導(dǎo)電聚合物的電解電容器，具有低ESR、穩(wěn)定的溫度特性、安全和長壽命等特...
聚合物電容器電解電容器 2023-12-26

LPDDR5X來襲！準(zhǔn)備迎接內(nèi)存速度大爆炸！

無論是切換智能手機(jī)應(yīng)用程序，還是享受沉浸式游戲體驗，都有可能遇到系統(tǒng)內(nèi)存訪問速度慢的問題。如果汽車的自動制動系統(tǒng)不能及時響應(yīng)前方道路上的障礙物，問題是很嚴(yán)重的。如今，智能、互聯(lián)和帶寬密集型應(yīng)用依賴于超快、低延遲的內(nèi)存訪問，以實現(xiàn)我們?nèi)粘Ｉ钏蕾嚨囊幌盗泄δ堋Ｄ敲?，什么樣的技術(shù)能...
LPDDR5X內(nèi)存新思科技 2023-12-20

半大馬士革集成中引入空氣間隙結(jié)構(gòu)面臨的挑戰(zhàn)

幫助imec確定使用半大馬士革集成和空氣間隙結(jié)構(gòu)進(jìn)行3nm后段集成的工藝假設(shè) 作者：泛林集團(tuán)Semiverse™ Solution部門半導(dǎo)體工藝與整合工程師Assawer Soussou博士• 隨著芯片制造商向3nm及以下節(jié)點邁進(jìn)，后段模塊處理迎來挑戰(zhàn)• 半大馬士革集成方案中引入空氣間隙結(jié)構(gòu)可能有助于縮短電...
半大馬士革集成空氣間隙結(jié)構(gòu) 2023-12-18

晶圓的另一面：背面供電領(lǐng)域的最新發(fā)展

探討晶圓背面的半導(dǎo)體新機(jī)遇作者：泛林集團(tuán) Semiverse™ Solutions 半導(dǎo)體和工藝整合工程師 Sandy Wen在我從事半導(dǎo)體設(shè)備的職業(yè)生涯之初，晶圓背面是個麻煩問題。當(dāng)時發(fā)生了一件令我記憶深刻的事：在晶圓傳送的過程中，幾片晶圓從機(jī)器人刀片上飛了出來。收拾完殘局后，我們想到，可...
晶圓背面供電領(lǐng)域 2023-09-04

上海勤酬便攜式分光光度計UV1800

分光光度計上海生產(chǎn)，雙光束，帶掃描功能，可連接電腦，付軟件，高端性能，價格優(yōu)惠，性價比高，索求報價請來電。生產(chǎn)廠家銷售招標(biāo)零售直銷經(jīng)銷代理UV1901PC雙光束紫外可見分光光度計價格非常優(yōu)惠（1nm1納米掃描型，電腦型），求購，價格，固體樣品檢測，雙光束紫外可見分光光度計，紫外分光光度...
2012-06-29

日本發(fā)布可抑制薄膜硅型太陽能電池光劣化方法

日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所的光伏發(fā)電工學(xué)研究中心2012年5月24～25日在筑波國際會議中心舉行了成果報告會。會上發(fā)布了可抑制薄膜硅型太陽能電池光劣化的方法。日本產(chǎn)綜研采用此次方法試制了薄膜硅型太陽能電池，發(fā)現(xiàn)該方法可將光劣化率抑制在10%、獲得9.6%的...
2012-06-01

硅芯片尺寸盡頭-14nm or 8nm？

盡管英特爾依然樂觀地預(yù)測將于2015年之前推出8nm制程工藝的芯片，但人們還是懷疑14nm可能將成為硅芯片尺寸的最終盡頭?！　〗陙?，芯片的發(fā)展進(jìn)程始終嚴(yán)格遵守著“摩爾定律”，并有條不紊地進(jìn)行著，直到14nm制造工藝的芯片在英特爾的實驗室中被研制成功，業(yè)界開始有了擔(dān)憂。　　據(jù)摩爾定律所說，集成在...
2012-03-15

1... 上一頁 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 下一頁

關(guān)鍵字搜索分類查看

新聞(282)

技術(shù)文章(33)

主站蜘蛛池模板：建水县| 苏州市| 甘肃省| 拜城县| 吴忠市| 海兴县| 临泽县| 会同县| 松阳县| 海伦市| 德化县| 玉田县| 万年县| 西贡区| 麟游县| 莒南县| 辽宁省| 荆门市| 东乌珠穆沁旗| 福贡县| 乌兰察布市| 临洮县| 德清县| 石渠县| 木兰县| 星子县| 永修县| 霍州市| 柘荣县| 南皮县| 宣武区| 碌曲县| 桓台县| 扶余县| 阳西县| 广安市| 呼玛县| 漳州市| 城口县| 子长县| 绍兴县|

<li id="c44k4"></li>

<samp id="c44k4"><strong id="c44k4"></strong></samp>

<cite id="c44k4"></cite>

<button id="c44k4"></button>