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東芝第3代SiC肖特基勢壘二極管產(chǎn)品線增添1200 V新成員，其將助力工業(yè)電源設(shè)備實現(xiàn)高效率

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBD）產(chǎn)品線中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V產(chǎn)品，為其面向太陽能逆變器、電動汽車充電站和開關(guān)電源等工業(yè)設(shè)備降低功耗。東芝現(xiàn)已開始提供該系列的十款新產(chǎn)品，其中包括采用TO-247-2L封裝的五款產(chǎn)品...
東芝第3代SiC肖特基勢壘二...TRSxxx120Hx系列 2024-09-25

思瑞浦發(fā)布支持振鈴抑制功能的汽車級CAN SIC收發(fā)器TPT1462xQ

聚焦高性能模擬芯片和嵌入式處理器聚焦高性能模擬芯片和嵌入式處理器的半導(dǎo)體供應(yīng)商思瑞浦3PEAK（股票代碼：688536）推出支持振鈴抑制功能、具有待機模式的CAN信號改善功能(CAN Signal Improvement Capability, CAN SIC)收發(fā)器TPT1462xQ。TPT1462xQ符合ISO 11898-2:2024高速CAN規(guī)范物理層要求并實現(xiàn)了信...
思瑞浦汽車級CAN SIC收發(fā)器TPT1462xQ 2024-08-05

SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二極管和雙二極管模塊

近日，半導(dǎo)體器件領(lǐng)域企業(yè)SemiQ宣布，其QSiC™產(chǎn)品系列中新增了1700V SiC(碳化硅)肖特基分立二極管和雙二極管模塊。這一創(chuàng)新舉措旨在滿足包括開關(guān)電源(SMPS)、不間斷電源(UPS)、電動汽車(EV)充電站在內(nèi)的多種高要求應(yīng)用場景在尺寸和功率上的嚴格標(biāo)準(zhǔn)。這款新推出的SiC肖特基二極管技術(shù)亮點在于其無...
SemiQSiC肖特基二極管雙二極管模塊 2024-07-04

Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二極管，提升開關(guān)電源設(shè)計能效和可靠性

器件采用MPS結(jié)構(gòu)設(shè)計，額定電流5 A~ 40 A，低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流低日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二極管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基（MPS）結(jié)構(gòu)設(shè)計，具有高浪涌電流保護能力...
Vishay肖特基二極管SiC開關(guān)電源設(shè)計 2024-07-01

三菱電機推出兩款新型SBD嵌入式SiC－MOSFET模塊

三菱電機集團近日（2024年6月10日）宣布，從6月10日起開始為包括鐵路和電力系統(tǒng)在內(nèi)的大型工業(yè)設(shè)備提供低電流版本3.3kV/400A和3.3kV/200A肖特基勢壘二極管（SBD）嵌入式SiC-MOSFET模塊。與現(xiàn)有的3.3kV/800A模塊一起，新命名的Unifull™系列包含3款產(chǎn)品，以滿足大型工業(yè)設(shè)備對能夠提高功率輸出和功...
三菱電機SBD嵌入式SiC－MOSFET模塊 2024-06-13

Nexperia的650 V SiC二極管產(chǎn)品組合現(xiàn)可滿足汽車和更廣泛的工業(yè)應(yīng)用需求

符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的肖特基二極管現(xiàn)采用R2P DPAK封裝Nexperia今天宣布，其一流的650 V、10 A碳化硅(SiC)肖特基二極管現(xiàn)已符合汽車標(biāo)準(zhǔn)(PSC1065H-Q)，并采用真雙引腳(R2P) DPAK (TO-252-2)封裝，適用于電動汽車和其他汽車中的多種應(yīng)用。此外，為了進一步擴展其SiC二極管產(chǎn)品組合，Ne...
Nexperia650 V SiC二極管工業(yè)級器件 2024-06-13

Qorvo推出采用 TOLL 封裝的 750V 4mΩ SiC JFET，推動斷路器技術(shù)的革命性變革

全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo®（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布，率先在業(yè)界推出采用 TOLL 封裝的 4mΩ 碳化硅（SiC）結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）——UJ4N075004L8S。該產(chǎn)品專為包括固態(tài)斷路器在內(nèi)的電路保護應(yīng)用而設(shè)計，UJ4N075004L8S 所具有的低電阻、卓越的熱性能、小巧的尺寸和高可靠...
QorvoTOLL 封裝SiC JFET斷路器技術(shù) 2024-06-13

Littelfuse推出用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側(cè)柵極驅(qū)動器

可提供量身定制的導(dǎo)通和關(guān)斷時序，將開關(guān)損耗降至最低，并增強dV/dt抗擾性能Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器。這款創(chuàng)新的驅(qū)動器專門設(shè)計用于驅(qū)動工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。 IX4352NE低側(cè)柵極驅(qū)動器 IX4352NE的主要優(yōu)勢在于...
LittelfuseSiC MOSFETIX4352NE低側(cè)柵極驅(qū)動器 2024-05-23

Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越來越受歡迎的D2PAK－7封裝

1200 V器件采用SMD-7封裝，性能領(lǐng)先同類產(chǎn)品 Nexperia今天宣布，公司現(xiàn)推出業(yè)界領(lǐng)先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面貼裝器件(SMD)封裝，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供選擇。這是繼Nexperia于2023年底發(fā)布兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件之后的又一新產(chǎn)...
NexperiaSiC MOSFET分立器件D2PAK－7封裝 2024-05-23

納芯微推出基于創(chuàng)新型振鈴抑制專利的車規(guī)級CAN SIC: NCA1462－Q1

NCA1462-Q1支持更高系統(tǒng)傳輸速率（>8Mbps）和通信節(jié)點數(shù)，VIO低至1.8V，高EMI/ESD性能助力工程師簡化系統(tǒng)設(shè)計，優(yōu)化系統(tǒng)成本納芯微宣布推出基于其自研創(chuàng)新型振鈴抑制專利的車規(guī)級CAN SIC（信號改善功能，Signal Improvement Capability）NCA1462-Q1。相比當(dāng)前主流的CAN FD車載通信方案，NCA1462-Q1在...
納芯微車規(guī)級CAN SICNCA1462－Q1 2024-03-13

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