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↓在全部中搜索到 3767 條關于“NAND”的信息，用時:0.038 sec.

SST的NAND閃存盤控制器系列SST55LC100

12月5日訊,SST推出新的SST55LC100,以擴充它的NAND閃存盤控制器系列.這種新的媒體控制器器件為用戶提供了高性能高質量高性價比的解決方案,補充了SST的NAND閃存盤控制器系列產品,進一步擴展了該系列的應用范圍.SST的NAND閃存盤控制器允許設計者能創建基于閃存的海量數據存儲解決方案,以適應用戶的特殊應用...
存儲器控制器閃存 2005-12-07

NAND128WW3A2BN6E:90nm的128Mb NAND

NAND128WW3A2BN6E:90nm的128Mb NAND 8月29日訊,ST公司推出采用90nm工藝技術的128Mb NAND閃存器件NAND128W3A2BN6E.縮小到90nm降低了存儲器芯片的成本和功耗,這些閃存廣泛應用在成本效益的消費類電子產品如數碼相機,音頻錄音機,PDA,機頂盒(STB),打印機和各種閃存卡.NAND128是目前市場上采用90nm工藝技術...
存儲器閃存 2005-08-29

MT29F8G08FABWP:8Gb NAND閃存

8月24日訊,Micron公司推出8Gb和4Gb閃存存儲器器件,8Gb的型號為MT29F8G08FABWP,4Gb的型號為MT29F4G08BABWP和MT29F4G16BABWP.這三種產品具有大容量的NAND閃存,用于移動設備市場.大容量的8Gb和4Gb NAND器件采用3.3V電源,封裝為標準的48引腳TSOP封裝,很容易集成在大多數現有的設計中. Micron公司的8Gb (MT...
存儲器閃存 2005-08-25

DiskOnChipG4:下一代NAND移動存儲

DiskOnChip G4:下一代NAND移動存儲 1月5日訊,M系統公司推出下一代MLC NAND移動存儲解決方案DiskOnChip G4,用在主流有豐富多媒體特性的手持設備.多級單元(MLC) NAND DiskOnChip G4在它的系列中能提供最好的成本結構,具有DiskOnChip G3三倍的寫入性能,20倍的MLC NOR性能,它的讀取性能將會證明在NAND器...
存儲器手機 2005-01-11

DiskOnChip G4:下一代NAND移動存儲

1月5日訊,M系統公司推出下一代MLC NAND移動存儲解決方案DiskOnChip G4,用在主流有豐富多媒體特性的手持設備.多級單元(MLC) NAND DiskOnChip G4在它的系列中能提供最好的成本結構,具有DiskOnChip G3三倍的寫入性能,20倍的MLC NOR性能,它的讀取性能將會證明在NAND器件中是最好的. 和DiskOnChip G3以及最...
存儲器手機 2005-01-11

MT29F2G08A/16A:2Gb 90nm NAND閃存

12月20日訊,Micron公司推出兩種2Gb的90nm閃存存儲器MT29F2G08A和 MT29F2G16A,并以此來表明他進入NAND市場的策略.移動和海量存儲應用越來越增加的存儲器的需求使得NAND閃存成為最快增長的器件之一. 目標應用在閃存卡,USB器件,海量存儲設備和移動應用,NAND閃存補充了Micron存儲器系列和CMOS圖像傳感器解...
存儲器 2004-12-23

--BBS主題帖: NAND256:新型256Mb NAND閃存

11月22日訊,ST公司推出新型有最小BGA封裝的256Mb NAND閃存NAND256,封裝尺寸為8x10mm.該器件將會使制造商能在手提設備如照相手機和智能手機,低成本數碼相機,PDA和USB照相機存儲棒以及其它板空間受到限制的設備中使用有重要容量的存儲器.
2004-11-24

--BBS主題帖: K9W8G08U1M:1Gx8位NAND閃存存儲器

9月20日訊,Samsung電子公司推出業界首個60nm 8Gb NAND閃存儲器K9W8G08U1M,用作存儲媒體如用在移動設備的低容量移動硬盤.
2004-09-29

--BBS主題帖: KBE00H005M:2.5Gb多片封裝NAND閃存

9月6日訊,Samsung公司推出業界最高容量多片封裝(MCP)2.5Gb NAND閃存KBE00H005M,它是4芯片MCP,折扣用在第三代移動手機.Samsung的最新MCP有2Gb的NAND閃存和512Mb 移動DRAM,是目前移動應用中可用的容量最高存儲器.這種MCP能以低功耗組合了更多多媒體數據存儲,給手機設計者在新一代手機中提供了增加新功能的...
2004-09-14

--BBS主題帖: NAND256W3A/R3A:256Mb NAND閃存

7月15日訊,ST公司推出256Mb NAND閃存NAND256W3A(3V)和NAND256R3A (1.8V)以及128Mb NAND 閃存NAND128W3A(3V)和NAND128R3A(1.8V),提供超快速數據吞吐量和擦除功能以及低功耗編程和低電壓工作,滿足手機,PDA和其它手提設備的需要.它們采用先進的120nm技術開發和小尺寸存儲器單元保證了大容量存儲器的成本最...
2004-07-16

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