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↓在全部中搜索到 3767 條關于“Nand”的信息，用時:0.059 sec.

嵌入式系統中Nand-Flash的原理及應用

當前各類嵌入式系統開發設計中，存儲模塊是不可或缺的重要方面。NOR和NAND是目前市場上兩種主要的非易失閃存技術。Nor-flash存儲器的容量較小、寫入速度較慢，但因其隨機讀取速度快，因此在嵌入式系統中，常應用在程序代碼的存儲中。Nor-flash存儲器的內部結構決定它不適合朝大容量發展;而Nand-flash存...
2010-05-19

NAND256:新型256Mb NAND閃存

11月22日訊,ST公司推出新型有最小BGA封裝的256Mb NAND閃存NAND256,封裝尺寸為8x10mm.該器件將會使制造商能在手提設備如照相手機和智能手機,低成本數碼相機,PDA和USB照相機存儲棒以及其它板空間受到限制的設備中使用有重要容量的存儲器. 1mm厚的封裝保持了出腳和其它NAND產品兼容,但在典型應用中板的面...
存儲器 2004-11-24

K9W8G08U1M:1Gx8位NAND閃存存儲器

9月20日訊,Samsung電子公司推出業界首個60nm 8Gb NAND閃存儲器K9W8G08U1M,用作存儲媒體如用在移動設備的低容量移動硬盤. NAND閃存技術,平均每12個月增加容量一倍.在1999年為256Mb,2000年則增加到512Mb,2001年為1Gb,2002年為2Gb,2003年為4Gb,現在2004年則為8Gb. 開發這樣高容量和精細的電路設計的關鍵...
存儲器 2004-09-29

KBE00H005M:2.5Gb多片封裝NAND閃存

9月6日訊,Samsung公司推出業界最高容量多片封裝(MCP)2.5Gb NAND閃存KBE00H005M,它是4芯片MCP,折扣用在第三代移動手機.Samsung的最新MCP有2Gb的NAND閃存和512Mb 移動DRAM,是目前移動應用中可用的容量最高存儲器.這種MCP能以低功耗組合了更多多媒體數據存儲,給手機設計者在新一代手機中提供了增加新功能的...
存儲器 2004-09-14

NAND256W3A/R3A:256Mb NAND閃存

7月15日訊,ST公司推出256Mb NAND閃存NAND256W3A(3V)和NAND256R3A (1.8V)以及128Mb NAND 閃存NAND128W3A(3V)和NAND128R3A(1.8V),提供超快速數據吞吐量和擦除功能以及低功耗編程和低電壓工作,滿足手機,PDA和其它手提設備的需要.它們采用先進的120nm技術開發和小尺寸存儲器單元保證了大容量存儲器的成本最...
FLASH 2004-07-16

NAND1G:1Gb NAND閃存存儲器

3月30日訊,ST公司推出1Gb和512Mb的NAND閃存存儲器,工作電壓有1.8V和3V兩種型號.它為USB閃存驅動,數字消費類電子產品,MP3播放器,照相機和第三代(3G)手機等設備提供了高性價比的數據存儲解決方案. NAND閃存的需求由新興的多媒體系統產品所推動,主要的應用將在2004年有大幅度的增長.NAND閃存滿足批量大尺...
存儲器 2004-04-01

--BBS主題帖: NAND1G:1Gb NAND閃存存儲器

3月30日訊,ST公司推出1Gb和512Mb的NAND閃存存儲器,工作電壓有1.8V和3V兩種型號.它為USB閃存驅動,數字消費類電子產品,MP3播放器,照相機和第三代(3G)手機等設備提供了高性價比的數據存儲解決方案.
2004-04-01

K9W8G08U1M:8Gb NAND閃存

2003年十二月16日訊,Samsung公司推出業界首個8Gb NAND閃存器件K9W8G08U1M.它的結構為1Gbx8,工作電壓2.7-3.6V.數據頁的數據讀取速度為50ns/字節.片內的寫控制器能自動所有的編程和擦除功能,包括脈沖重復,內部確認和數據富余度.這種高密度器件能使存儲子系統的高水平功能滿足快速產品如數碼相機,USB閃存驅...
閃存 2004-01-07

512MB和1GB NAND閃存卡

3月13日訊，SanDisk公司預展出下一代512MB和1GB的閃存卡，大量生產計劃在今年后期。SanDisk已推出1Gb單芯片NAND閃存芯片。兩個2Gb的芯片封在單一的TSOP封裝，便能生產出4Gb(512MB)的NAND元件。2Gb芯片是采用SanDisk的多級單元(MLC)和0.13um NAND閃存技術，由Toshiba 和SanDisk共同開發的。新的1GB 單密...
存儲器 2003-03-18

DiskOnChip G3:512Mb MLC NAND 閃存盤

2月23日訊，M-Syatems公司推出一種移動DiskOnChip G3 512Mb閃存盤，它采用0.13um多級單元(MLC）NAND技術，在單一NAND存儲單元中能存儲兩位信息。由于采用先進的內置控制器和獨特的閃存媒體結構，移動DiskOnChip G3有增強的性能和無可匹敵的可靠性。其封裝尺寸為85引腳的7x10x1.2mm FBGA，是業界最小的高...
閃存盤 2003-02-27

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