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UnitedSiC（現(xiàn)名Qorvo）宣布推出具有業(yè)界出眾品質(zhì)因數(shù)的1200V第四代SiC FET

移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo®（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布推出新一代1200V碳化硅（SiC）場效應(yīng)晶體管（FET）系列，這些產(chǎn)品在導(dǎo)通電阻方面具備業(yè)界出眾的性能表征。新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET非常適合主流的800V總線結(jié)構(gòu)，...
UnitedSiCQorvoSiC FET 2022-05-11

Power Integrations推出汽車級IGBT/SiC模塊驅(qū)動器產(chǎn)品系列SCALE EV，為巴士、卡車以及建筑和農(nóng)用電動汽車提供強大動力

深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號：POWI）今日宣布推出適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM EV系列門極驅(qū)動板。新款驅(qū)動器同樣適用于原裝、仿制以及其它新的采用SiC的衍生模塊，其應(yīng)用范圍包括電動汽車、混合動力和燃料電池汽車（包...
Power IntegrationsIGBTSiC模塊SCALE EV 2022-05-11

意法半導(dǎo)體雙通道柵極驅(qū)動器優(yōu)化并簡化SiC和IGBT開關(guān)電路

意法半導(dǎo)體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅(qū)動器在高壓電力變換和工業(yè)應(yīng)用中節(jié)省空間，簡化電路設(shè)計。 IGBT驅(qū)動器STGAP2HD 和SiC MOSFET驅(qū)動器STGAP2SICD 利用意法半導(dǎo)體最新的電隔離技術(shù)，采用SO-36W 寬體封裝，能夠耐受6kV瞬變電壓。此外，±100V/ns dv/dt 瞬變耐量可防止...
意法半導(dǎo)體SiCIGBT開關(guān)電路STGAP2HDSTGAP2SICD 2022-02-15

Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二極管系列，繼續(xù)擴充寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品

基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的專家Nexperia，今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二極管，正式進(jìn)軍高功率碳化硅(SiC)二極管市場。這對于高效功率氮化鎵(GaN) FET的可靠供應(yīng)商Nexperia而言是一項戰(zhàn)略性舉措，旨在擴展高壓寬禁帶半導(dǎo)體器件產(chǎn)品范圍。 Nexperia的首款SiC肖特基二極管為工業(yè)級器件，重復(fù)反向峰...
NexperiaSiC二極管碳化硅 2021-11-05

意法半導(dǎo)體的穩(wěn)健的隔離式 SiC 柵極驅(qū)動器采用窄型 SO－8 封裝可節(jié)省空間

意法半導(dǎo)體的 STGAP2SiCSN是為控制碳化硅 MOSFET而優(yōu)化的單通道柵極驅(qū)動器，采用節(jié)省空間的窄體 SO-8 封裝，具有穩(wěn)健的性能和精確的 PWM 控制。 SiC 功率技術(shù)被廣泛用于提高功率轉(zhuǎn)換效率，SiC驅(qū)動器STGAP2SiCSN可以簡化節(jié)能型電源系統(tǒng)、驅(qū)動和控制電路的設(shè)計，節(jié)省空間，并增強穩(wěn)健性和可靠性。...
意法半導(dǎo)體隔離式 SiC 柵極驅(qū)動器STGAP2SiCSN 2021-10-20

UnitedSiC推出業(yè)界最佳6mΩ SiC FET

領(lǐng)先的碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC（聯(lián)合碳化硅）公司，現(xiàn)已發(fā)布業(yè)界最佳的750V、6mΩ器件，從而響應(yīng)了電源設(shè)計人員對更高性能、更高效率的SiC FET的需求。這款6mΩ新器件的RDS(on)值不到最接近的SiC MOSFET競爭產(chǎn)品的一半，并且還提供了魯棒的5μs額定短路耐受時間。今天所發(fā)布的產(chǎn)品包括750...
UnitedSiC6mΩ SiC FET 2021-09-14

儒卓力提供英飛凌CIPOS Maxi SiC IPM IM828系列1200 V電源模塊

英飛凌CIPOS™ Maxi SiC IPM 是一款基于MOSFET的55 mΩ三相CoolSiC™發(fā)射極開路智能電源模塊，采用36x23D DIP封裝。該模塊具有優(yōu)良導(dǎo)熱性和高開關(guān)速率范圍(高達(dá)80 Hz)，提供了功能齊全的緊湊型逆變器解決方案。這個產(chǎn)品系列適用于變速驅(qū)動器中的三相和永磁電機等應(yīng)用，以及有源暖通空調(diào)濾波器...
儒卓力英飛凌CIPOSMaxi SiC IPM IM828 2021-08-30

CISSOID推出適用于航空應(yīng)用的SiC智能功率模塊，以滿足其對自然冷卻的需求

作為高溫半導(dǎo)體器件和功率模塊的領(lǐng)導(dǎo)者，CISSOID 日前宣布推出了一種基于輕質(zhì)AlSiC平板基板(Flat Baseplate)的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊（IPM），以滿足航空和其他特殊工業(yè)應(yīng)用中針對自然空氣對流或背板冷卻的需求。此項高溫芯片和模塊技術(shù)平臺亦將大力推動電動汽車動力總成系統(tǒng)（電機、電控...
CISSOIDSiC智能功率模塊 2021-04-27

科銳推出新型SiC功率模塊產(chǎn)品系列，為電動汽車快速充電和太陽能市場提供業(yè)界領(lǐng)先的效率

全球碳化硅技術(shù)領(lǐng)先企業(yè)科銳Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布，推出Wolfspeed WolfPACK™ 功率模塊，擴展其解決方案范圍，并為包括電動汽車快速充電、可再生能源和儲能、工業(yè)電源應(yīng)用在內(nèi)的各種工業(yè)電源的性能開啟新時代。通過采用1200V Wolfspeed® MOSFET 技術(shù)，該新型模塊在簡...
SiC功率模塊科銳 2021-01-12

聯(lián)合碳化硅基于第四代先進(jìn)技術(shù)推出新型SiC FET器件

領(lǐng)先的碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC（聯(lián)合碳化硅）公司，現(xiàn)已基于其第四代SiC FET先進(jìn)技術(shù)平臺推出四款首批器件。作為目前市場上首批也是唯一的750V SiC FET，這四款第四代器件基于領(lǐng)先的品質(zhì)因數(shù)（FoM）實現(xiàn)了新的性能水平，從而使汽車、工業(yè)充電、電信整流器、數(shù)據(jù)中心功率因數(shù)校正（PFC）...
聯(lián)合碳化硅SiC FET 2020-12-01

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